稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法技术

本发明专利技术公开了一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为SbxAy；其中0<x≤0.92，0<y≤0.48，x+y=1.00；并且A为稀土。通过该方法使制备的薄膜热稳定性好，数据保持力好，低功耗。

Rare earth doped Sb based phase change thin film material and preparation method thereof

The invention discloses a rare earth doped Sb based phase change thin film material and film preparation method, chemical molecular Sb based phase-change thin films doped with rare earth type SbxAy; 0< 0< X = 0.92, y = 0.48, x+y=1.00; and A for rare earth. The method has the advantages of good thermal stability, good data retention force and low power consumption.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，属于微电子

技术介绍
目前，信息化是当今世界发展的大趋势，是推动经济变革的重要力量。大力推进信息化，是覆盖我国现代化建设全局的战略举措，是贯彻落实科学发展观、全面建设小康社会、构建社会主义和谐社会和建设创新型国家的迫切需要和必然选择（中共中央办公厅，2006—2020年国家信息化发展战略）。信息化的前提条件就是信息的存储、传输和处理。信息的存储是指信息的记录和保存，所以信息存储技术是信息化时代的支柱技术。近些年来，面对信息化带来的数据量的急剧膨胀带来的不断增加的存储需求，同时为了解决传统的存储技术{如闪存（FLASH）技术、动态存储（DRAM）和静态存储（SRAM）

【技术保护点】
一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料，其特征在于它的化学分子式为SbxAy；其中0<x≤0.92，0<y≤0.48，x+y=1.00；并且A为稀土。

【技术特征摘要】
1.一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料，其特征在于它的化学分子式为SbxAy；其中0<x≤0.92，0<y≤0.48，x+y=1.00；并且A为稀土。
2.根据权利要求1所述的稀土掺杂Sb基相变薄膜材料，其特征在于：所述A为Er或Pr或Sm。
3.一种薄膜制备方法，其特征在于：该薄膜使用如权利要求1或2所述的稀土掺杂Sb基相变薄膜材料制成，并且该方法的步骤如下：
（a）制备Sb靶；
（b）制备稀土靶材，并将稀土靶材切割后贴置于Sb靶表面；
（c）对贴置稀土的Sb靶进行磁控溅射，制备得到需要的薄膜；其中，所述薄膜的中稀土的掺杂量通过Sb靶表面贴置的稀土靶材的数量来调控。
4.根据权利要求3所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：所述稀土为Er或Pr或Sm。
5.根据权利要求3所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：在所述的步骤（b）中，稀土靶材切割成规则的扇形结构，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹华，胡益丰，朱小芹，薛建忠，张建豪，孙月梅，郑龙，吴世臣，袁丽，吴卫华，眭永兴，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32