【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料合成方法，具体的是一种Ce掺杂PI/CuO复合薄膜的制备方法。
技术介绍
聚酰亚胺（PI）作为一种综合性能优异的高分子材料，广泛用于航空、航天、纳米、微电子和激光等领域。半导体氧化物是重要的催化剂，尤其是纳米金属氧化物，较大的比表面积赋予其特殊的理化性质，增强了催化性能。将２种不同的金属氧化物进行掺杂，可以实现电子－空穴对更好的分离，扩大催化剂对光的响应范围，提高了光的利用率。当前，我国污水处理亟需低能耗、生态型的污水处理技术。光催化反应是利用光催化剂在紫外线照射下具有的氧化还原能力达到分解净化污染物的效果，利用光催化降解可以将有机污染物分解为二氧化碳和水等小分子，净化效果彻底。将金属氧化物负载于ＰＩ薄膜表面，既拓宽了ＰＩ的应用范围，也解决了光催化剂的回收利用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种Ce掺杂PI/CuO复合薄膜的制备方法，提供一种新的制备方法。本专利技术采用的制备方法，包括如下步骤：将PI薄膜在超声波下清洗15-20min,然后将其放入5-6mol/LKOH溶液中处理25-30min，冲洗过后将薄膜放入Cu(CH3COO)2·H2O、Ce(NO3)3·6H2O（Ce3+量为7-9％（wt,质量分数,下同）、离子液浓度为0.45mol/L）溶液中离子交换，取出清洗并烘干，最后通过阶段升温对薄膜进行热处理，先从室温用1h升温到130℃，保持1h；再从130℃经过1h升温到340℃，保持4h，即制得Ce掺杂PI/CuO薄膜。本专利技术的有益效果是：合成工艺简单，反应条件温和，生产成本较低，可重复性好，制得的Ce掺...
【技术保护点】
一种Ce掺杂PI/CuO复合薄膜的制备方法，包括如下步骤：将PI薄膜在超声波下清洗15‑20min,然后将其放入5‑6mol/L KOH溶液中处理25‑30min，冲洗过后将薄膜放入Cu(CH3COO)2·H2O、Ce(NO3)3·6H2O（Ce3+量为7‑9％（wt,质量分数,下同）、离子液浓度为0.45mol/L）溶液中离子交换，取出清洗并烘干，最后通过阶段升温对薄膜进行热处理，先从室温用1h升温到130℃，保持1h；再从130℃经过1h升温到340℃，保持4h，即制得Ce掺杂PI/CuO薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种Ce掺杂PI/CuO复合薄膜的制备方法，包括如下步骤：将PI薄膜在超声波下清洗15-20min,然后将其放入5-6mol/LKOH溶液中处理25-30min，冲洗过后将薄膜放入Cu(CH3COO)2·H2O、Ce(NO3)3·6H2O（Ce3+...
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