【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种片状ATO粉体的制备方法,该方法所用的原材料本身以及后处理过程中不会对环境造成污染,而且该粉体松装密度低,可以应用于防静电填料、紫外屏蔽膜和气敏传感器等领域。
技术介绍
二氧化锡(SnO2)是一种禁带宽度为3. ·6eV的η型半导体材料。由于其高电子迁移率(109. 56cm2/Vs),高载流子浓度(1. 23 X 1019cm3),高透光性,高折射率(1.9-2)以及高温化学稳定性等物理化学性质,掺杂和未掺杂的SnO2基透明薄膜已得到广泛应用,如用于防静电填料,透明导电涂层,紫外屏蔽膜,气敏元件,光电显示屏,太阳能电池,锂离子电池电极,压敏电阻等方面。SnO2基透明导电材料的制备主要以SnCl2或SnCl4S原料,以SbCl3或NH4F等为施主掺杂剂,采用磁控溅射、化学气相沉积、高温喷涂、溶胶凝胶、共沉淀、水热等工艺进行制备。其中共沉淀法以原料易得,流程少,工艺简单,对设备要求不高,成本低,易于产业化等优点,在实际生产中占据了主导地位。因为原料中含有氯离子,而且后期要采用氨水进行中和,由于强极性离子氯离子和铵根离子的存在,使纳米粒子在沉淀过程中容易产生盐桥,进而导致出现团聚,使颗粒的形貌变得不规则。为了获得规则形貌的纳米粉体,必须通过抽滤过程,置换掉氯离子和铵根离子,这一过程要使用大量的去离子水和酒精,不仅比较费时而且成本也较高。另外,该方法只能获得类球形的粉体。片状ATO粉体,具有比表面积高,导电性好,透明性好等优点,因此有必要开发片状的ATO粉体。有研究者先合成片状的SnS2, 在通过热处理制备片状的SnO2,最后通过掺杂获得AT ...
【技术保护点】
一种片状ATO粉体的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)在搅拌条件下,将草酸亚锡加入水中,缓慢滴加聚丙烯酸铵溶液至获得澄清溶液;草酸亚锡的浓度为0.01~1mol/L,聚丙烯酸铵和草酸亚锡的摩尔比为1∶1~1∶20之间;2)将三氧化二锑用酒石酸溶解后获得浓度0.01~1mol/L的三氧化二锑溶液,缓慢滴加至上述澄清溶液中,滴加酒石酸使体系的PH值在2~5之间,获得前驱液,或者滴加氨水,使体系的PH值在8~12之间,过滤除去透明沉淀物,此时三氧化二锑与草酸亚锡的摩尔比在1∶100~20∶100之间;3)将上述前驱液在40~90℃搅拌加热0.5~48h,然后在120~200℃干燥成固态,将干燥后的粉体在300~800℃热处理0.5~12h既获得片状粉体。
【技术特征摘要】
1.一种片状ATO粉体的制备方法,其特征在于包括以下步骤 1)在搅拌条件下,将草酸亚锡加入水中,缓慢滴加聚丙烯酸铵溶液至获得澄清溶液;草酸亚锡的浓度为O. 01 lmol/L,聚丙烯酸铵和草酸亚锡的摩尔比为1:1 1: 20之间; 2)将三氧化二锑用酒石酸溶解后获得浓度O.01 lmol/L的三氧化二锑溶液,缓慢滴加至上述澄清溶液中,滴加酒石酸使体系的PH值在2 5之间,获得前驱液,或者滴加氨水,使体系的PH值...
【专利技术属性】
技术研发人员:李志祥,许高杰,李勇,蒋俊,段雷,
申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所,
类型:发明
国别省市:
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