降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法技术

本发明专利技术提供一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法，其中降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p型基区上。本发明专利技术通过特殊的结构设计，使基区电阻率大大降低，从而提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，适用于GaN基双极晶体管(HBT)，是一种利用材料的极化效应降低基区电阻率的技术，该技术有利于提高GaN基HBT的性能。
技术介绍
宽带隙GaN基材料因其击穿电场高、饱和速度快、热导率高等优势而成为第三代半导体材料，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。近年来，GaN基HFET和HBT均吸引了众多学者研宄。目前GaN基HFET已经取得了飞跃发展，其截至频率已超过200GHz，并已实现了超高压工作(千伏以上)。相比GaN基HFET，GaN基HBT具有更显著的优势，其具有更高的功率密度、线性的电流增益、均匀的器件开关特性，更重要的是GaN基HBT是一种常关器件。另外，不同于GaN基HFET器件，GaN基HBT是一种纵向器件，在器件工艺上更容易实现较高的频率。自1998年美国UCSB利用二次外延技术实现了第一支GaN基HBT以来，GaN基HBT虽然取得了一定的进展，但总的来说GaN基HBT的研宄还处于初级阶段，无论是材料生长还是器件制造都还存在很多问题。其中一个比较大的问题就是基区空穴浓度较低。2001年NTT公司采用InGaN作为基区材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p型基区上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张连，张韵，王军喜，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11