RFID标签的上电复位电路制造技术

本发明专利技术公开了一种RFID标签的上电复位电路，包括：2个电阻、3个电容、2个NMOS管和3个PMOS管，第一电阻连接输入电压，第二电容用于通过输入电压进行充电，当第二电容的电压大于第四PMOS管的阈值电压时，在第四PMOS的漏极输出一个高电平；当第二电容的电压大于第一PMOS管和第三NMOS管的阈值电压和时，第一PMOS管和第三NMOS管导通使第四PMOS的漏极输出一个低电平，从而能做输入电压上升过程中形成一个脉冲信号用于上电复位。本发明专利技术能有效提供数字基带需要的复位信号，且复位信号稳定，功耗低。

Power on reset circuit for RFID tag

The invention discloses a RFID label on the power on reset circuit comprises 2 resistors, 3 capacitors, 2 NMOS and 3 PMOS tubes, a first resistor connected to the input voltage, the second capacitor for charging the input voltage, when the voltage of the second capacitor is greater than fourth PMOS threshold voltage. In fourth the drain of the PMOS a high level output voltage; when the second capacitor is greater than the threshold voltage of the first third PMOS tube and NMOS tube and PMOS tube, the first and third NMOS to fourth PMOS tube drain outputs a low level, and a pulse signal for power on reset formation in the process of rising input voltage. The invention can effectively provide the reset signal needed by the digital baseband, and the reset signal is stable and low power consumption.

【技术实现步骤摘要】
RFID标签的上电复位电路
本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种RFID标签的上电复位电路。
技术介绍
现有的RFID标签包含天线、射频模拟前端、数字基带及存储单元。设计好的RFID标签是对制造工艺和电路设计的挑战，因为RFID标签需要极低的功耗、稳定的直流电源、较大的动态范围等。所有的这些关键指标都与射频模拟前端电路的设计密切相关，因此需要仔细设计高性能的射频模拟前端电路，既可满足近距离的耐高压的芯片可靠性要求，又可以实现远距离灵敏稳定的功能。RFID系统由三个部分组成：标签(Tag，即射频卡)：由耦合元件及芯片组成，标签含有内置天线，用于和读卡器的射频天线间进行通信。读卡器：读取(在读写卡中还可以写入)标签信息的设备。天线：在标签和读取器间传递射频信号，主要指读卡器天线。整个RFID标签的性能高低都与之密切相关，设计电路结构也有多种，常规的射频模拟前端电路主要包括以下这些基本的电路部分：整流器（Rectifier）：将天线上耦合下来的功率转换成直流电源供模拟前端和整个芯片使用。稳压电路（Power(voltage)Regulator）：主要是提供稳定的具有特定值的直流电压，同时保护电路免受大的输入功率的冲击。解调器（Demodulator）：将数据信息从载波中解调出来。时钟获取和产生电路：通常HF系统（例如13.56MHz）可以直接从载波中获取时钟，直接或经过分频后作为数字部分时钟，或者利用本地振荡器产生所需要的时钟信号作为数字部分时钟。负载调制电路（LoadModulator）：通过数字部分产生控制信号改变标签的阻抗，从而使读卡器感应的信号幅值发生变化，完成信号的上传。PoweronReset：产生芯片的上电复位的控制信号。、其它电路：包括ESD等。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种RFID标签的上电复位电路，能有效提供数字基带需要的复位信号，且复位信号稳定，功耗低。为解决上述技术问题，本专利技术提供的RFID标签的上电复位电路包括：第一电阻和第一PMOS管，所述第一电阻的第一端连接输入电压，所述输入电压为RFID标签的天线输入电压通过整流和稳压处理后的电压；所述第一电阻的第二端连接所述第一PMOS管的源极。第二NMOS管、第三NMOS管，所述第二NMOS管的漏极和栅极、所述第一PMOS管的漏极、所述第三NMOS管的栅极连接在一起，所述第二NMOS管和所述第三NMOS管的源极都接地。第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极接所述第一电阻的第二端，所述第四PMOS管的漏极接所述第三NMOS管的漏极。第二电阻，所述第二电阻连接于所述第四PMOS管的栅极和地之间。第一电容，所述第一电容连接于所述第四PMOS管的栅极和漏极之间。第二电容，所述第二电容连接于所述第四PMOS管的源极和漏极之间。第三电容，所述第三电容连接于所述第三NMOS管的源极和栅极之间。第五PMOS管，所述第五PMOS管的源极和栅极都接所述第一电阻的第二端，所述第五PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的漏极。在上电过程中，所述第四PMOS管的漏极产生一脉冲信号用于上电复位。进一步的改进是，上电复位电路还包括：第六PMOS管和第七NMOS管，所述第六PMOS管和所述第七NMOS管的栅极都接使能信号，所述第六PMOS管和所述第七NMOS管的漏极都和所述第一电阻的第一端连接，所述第六PMOS管的源极连接所述输入电压，所述第七NMOS管的源极接地。进一步的改进是，所述第四PMOS管的漏极还和一数字电路电路连接，该数字电路用于提高所述脉冲信号的稳定性；所述数字电路包括：第一非门、第二非门和第三非门，所述第一非门的输入端接所述第四PMOS管的漏极，所述第一非门的输出端接所述第二非门的输入端，所述第二非门的输出端接所述第三非门的输入端。与非门，所述与非门的第一输入端连接所述第三非门的输出端，所述与非门的第二输入端连接所述第一非门的输出端。第四非门和第五非门，所述与非门的输出端连接所述第四非门的输入端，所述第四非门的输出端接所述第五非门的输入端，所述第五非门的输出端输出所述脉冲信号稳定后形成的上电复位信号。进一步的改进是，对所述天线输入电压进行稳压处理的稳压电路中包括有箝位电路。本专利技术通过控制两路CMOS管子的栅极电压，能够控制这两路CMOS管子的开通或者关断并能在上电过程中形成脉冲信号，从而能有效提供数字基带需要的复位信号，该脉冲信号通过多个非门和一个与非门组成的数字电路能使得输出的脉冲信号更加稳定，本专利技术电路在脉冲后整个电路都会自动关闭，能实现低功耗。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是本专利技术实施例RFID标签的上电复位电路图；图2是本专利技术实施例中采用的稳压电路图；图3是本专利技术实施例中上电复位电路工作的逻辑关系图。具体实施方式如图1所示，是本专利技术实施例RFID标签的上电复位电路图；本专利技术实施例RFID标签的上电复位电路1包括：第一电阻R101和第一PMOS管M101，所述第一电阻R101的第一端连接输入电压avdd，所述输入电压avdd为RFID标签的天线输入电压通过整流和稳压处理后的电压；所述第一电阻R101的第二端连接所述第一PMOS管M101的源极。第二NMOS管M102、第三NMOS管M103，所述第二NMOS管M102的漏极和栅极、所述第一PMOS管M101的漏极、所述第三NMOS管M103的栅极连接在一起，所述第二NMOS管M102和所述第三NMOS管M103的源极都接地。第四PMOS管M104，所述第四PMOS管M104的源极接所述第一电阻R101的第二端，所述第四PMOS管M104的漏极接所述第三NMOS管M103的漏极。第二电阻R102，所述第二电阻R102连接于所述第四PMOS管M104的栅极和地之间。第一电容C101，所述第一电容C101连接于所述第四PMOS管M104的栅极和漏极之间。第二电容C102，所述第二电容C102连接于所述第四PMOS管M104的源极和漏极之间。第三电容C103，所述第三电容C103连接于所述第三NMOS管M103的源极和栅极之间。第五PMOS管M105，所述第五PMOS管M105的源极和栅极都接所述第一电阻R101的第二端，所述第五PMOS管M105的漏极连接所述第四PMOS管M104的漏极。第六PMOS管M122和第七NMOS管M123，所述第六PMOS管M122和所述第七NMOS管M123的栅极都接使能信号enb，所述第六PMOS管M122和所述第七NMOS管M123的漏极都和所述第一电阻R101的第一端连接，所述第六PMOS管M122的源极连接所述输入电压avdd，所述第七NMOS管M123的源极接地。在整个上电复位过程中，所述使能信号enb为低电平，所述第六PMOS管M122导通，所述输入电压avdd输入到所述第一电阻R101的第一端中。在上电过程中，所述第四PMOS管M104的漏极即节点A产生一脉冲信号用于上电复位。所述第四PMOS管M104的漏极还和一数字电路电路连接，该数字电路用于提高所述脉冲信号的稳定性；所述数字电路包括：第一非门、第二非门和第三非门，所述第一非门的输入端接所述第四PMOS管M104的漏极，所述第一非门本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种RFID标签的上电复位电路，其特征在于，包括：第一电阻和第一PMOS管，所述第一电阻的第一端连接输入电压，所述输入电压为RFID标签的天线输入电压通过整流和稳压处理后的电压；所述第一电阻的第二端连接所述第一PMOS管的源极；第二NMOS管、第三NMOS管，所述第二NMOS管的漏极和栅极、所述第一PMOS管的漏极和栅极、所述第三NMOS管的栅极连接在一起，所述第二NMOS管和所述第三NMOS管的源极都接地；第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极接所述第一电阻的第二端，所述第四PMOS管的漏极接所述第三NMOS管的漏极；第二电阻，所述第二电阻连接于所述第四PMOS管的栅极和地之间；第一电容，所述第一电容连接于所述第四PMOS管的栅极和漏极之间；第二电容，所述第二电容连接于所述第四PMOS管的源极和漏极之间；第三电容，所述第三电容连接于所述第三NMOS管的源极和栅极之间；第五PMOS管，所述第五PMOS管的源极和栅极都接所述第一电阻的第二端，所述第五PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的漏极；在上电过程中，所述第四PMOS管的漏极产生一脉冲信号用于上电复位；当所述第二电容的上极板电压上升到大于所述第四PMOS管的阈值电压时，所述第四PMOS管打开，所述第四PMOS管的漏极电压迅速上升到所述第四PMOS管的源极电压并随所述输入电压变化；当所述第二电容的上极板电压继续上升到大于所述第一PMOS管的阈值电压和所述第三NMOS管的阈值电压的和时，所述第三NMOS管打开，所述第四PMOS管的漏极电压迅速降为0。...

【技术特征摘要】
1.一种RFID标签的上电复位电路，其特征在于，包括：第一电阻和第一PMOS管，所述第一电阻的第一端连接输入电压，所述输入电压为RFID标签的天线输入电压通过整流和稳压处理后的电压；所述第一电阻的第二端连接所述第一PMOS管的源极；第二NMOS管、第三NMOS管，所述第二NMOS管的漏极和栅极、所述第一PMOS管的漏极和栅极、所述第三NMOS管的栅极连接在一起，所述第二NMOS管和所述第三NMOS管的源极都接地；第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极接所述第一电阻的第二端，所述第四PMOS管的漏极接所述第三NMOS管的漏极；第二电阻，所述第二电阻连接于所述第四PMOS管的栅极和地之间；第一电容，所述第一电容连接于所述第四PMOS管的栅极和漏极之间；第二电容，所述第二电容连接于所述第四PMOS管的源极和漏极之间；第三电容，所述第三电容连接于所述第三NMOS管的源极和栅极之间；第五PMOS管，所述第五PMOS管的源极和栅极都接所述第一电阻的第二端，所述第五PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的漏极；在上电过程中，所述第四PMOS管的漏极产生一脉冲信号用于上电复位；当所述第二电容的上极板电压上升到大于所述第四PMOS管的阈值电压时，所述第四PMOS管打开，所述第四PMOS管的漏极电压迅速上升到所述第四PMOS管的源极电压并随所述输入电压变化；当所述第二电容的上极板电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱红卫，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31