【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种RF射频器件封装工艺，其特征在于，包括步骤：提供一待封装芯片和该芯片需要封装的目标基板，该芯片上设有若干RF射频器件；对上述芯片进行芯片背金工艺，在该芯片的背面制作多层金属层；在上述目标基板上制作金属镀层；在目标基板上进行点胶工艺，点胶采用烧结型导电银胶；将芯片放置于目标基板上的导电银胶，放入烧结设备中，加热至导电银胶的烧结温度进行烧结，直至导电银胶烧结成固状银层；进行封装后续工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马强，黄翔，
申请(专利权)人：苏州远创达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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