一种芯片封装件的环结构包括：适用于接合至衬底的框架部和至少一个角部。框架部围绕半导体芯片并限定内部开口，内部开口暴露衬底表面的一部分。至少一个角部从框架部的角部朝向芯片延伸，并且该角部没有尖角。本发明还提供了一种芯片封装件的环结构。

一种制造集成电路的方法，包括：提供具有高k介电层的衬底，并且将多晶硅栅极结构设置在高k介电层上方。对邻近多晶硅栅极结构的衬底实施掺杂工艺，此后，去除多晶硅栅极结构并且利用金属栅极结构进行替换。将层间介电层(ILD)沉积在金属栅极结构和掺...

一种设计的外延区通过提供用于减少或者阻止掺杂剂扩散的阻挡层来补偿MOS器件的短沟道效应，同时减少或者消除阻挡层的副作用如增大BJT器件的漏电流和/或降低整流器的击穿电压。通过位于阻挡层和衬底之间的非共形的富掺杂剂层减少或者消除这些副作用...

一种器件包括：下夹具和上夹具，其中下夹具和上夹具被配置成用于固定封装基板。下夹具包括第一基底材料和附接至该第一基底材料的第一多个部件。第一多个部件被设置成邻近所述下夹具的外围。上夹具包括第二基底材料和附接至第二基底材料的第二多个部件。第...

本发明涉及测试探针板，为此，本发明提供了一种用于晶片级测试半导体IC封装器件的测试探针板。该卡包括电路板，其包括测试电路和测试探头。探头包括具有附接至包括多个导电通孔的衬底的多个金属测试探针的探针阵列。在一个实施例中，探针具有相对刚性的...

公开了一种半导体结构。该半导体结构包括第一层。第二层被设置在第一层上，并且在组分上与第一层不同。在第一层和第二层之间存在界面。第三层被设置在第二层上。栅极被设置在第三层上。源极部件和漏极部件被设置在栅极的相对侧上。源极部件和漏极部件均包...

本发明公开了改进的硅化物形成方式及相关器件。一种示例性的方法包括：提供具有在其中的间隔的源极区域和漏极区域的半导体材料；形成栅极结构，该栅极结构介于该源极区域和漏极区域之间；在该栅极结构上方实施栅极替换工艺，从而形成在其中的金属栅电极；...

一种监测晶圆离子分布的装置，包括第一传感器和第二传感器。第一传感器、第二传感器和晶圆置于均匀的离子注入流轮廓的有效区域内。控制器基于来自第一传感器和第二传感器的感测信号确定晶圆的每个区域的离子剂量。此外，控制器调节离子束的扫描频率或晶圆...

本发明提供了用于基于目标的虚拟插入的集成电路方法。一种方法包括提供集成电路(IC)设计布局；以及提供用于仿真IC设计布局上的热效应的热模型，热模型包括光学仿真和硅校验。该方法还包括：提供热模型和IC设计布局的卷积以生成IC设计布局的热图...

公开了用于调节腔室的系统和方法。实施例包括应用沉积腔室沉积第一层，以及调节沉积腔室。可以通过在第一层上方沉积不同种类的材料实施调节沉积腔室的步骤。不同种类的材料可以覆盖并密封第一层，从而阻止第一层的颗粒脱落以及在后续的加工运行期间可能落...

本发明提供了一种方法，包括提供室，室具有第一入口和第二入口。将去离子(DI)水和酸(如，稀酸)的溶液通过第一入口提供到室。将载气(如，N2)通过第二入口提供到室。溶液和载气在室中，然后从室到达单个半导体晶圆上。在实施例中，溶液包括稀HC...

本发明公开了用于控制沟道厚度和阻止因小部件而产生变化的系统与方法。一种实施例包括在衬底上形成凸起的鳍状件和在所述鳍状件上方形成覆盖层。所述沟道载流子被重掺杂的鳍状件排斥，但是限制在所述覆盖层内。这形成允许对栅极更大静电控制的薄沟道。本发...

一个实施例是半导体结构。该半导体结构包括至少两个处于衬底上的栅极结构。该栅极结构限定了处于该栅极结构之间的凹槽，且该凹槽在垂直方向上限定出深度。该深度是从至少一个该栅极结构的顶面到该衬底的顶面下方，且该深度在该衬底的隔离区域内延伸。该半...

本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有表面的衬底，该表面由第一轴和与第一轴垂直的第二轴限定；以及设置在衬底上的电容器，该电容器具有：包括多个第一导电部件的阳极元件和包括多个第二导电部件的阴极元件。第一导电部件和第二导电部件每一...

一种封装系统包括设置在衬底上方的至少一个有源电路。钝化结构设置在所述至少一个有源电路上方。钝化结构具有至少一个开口，所述至少一个开口被配置成暴露至少一个第一电焊盘。至少一个无源电部件设置在钝化结构上方。至少一个无源电部件与至少一个第一电...

本发明涉及一种多芯片半导体器件，该器件包括热增强结构、第一半导体芯片、第二半导体芯片、形成在第一半导体芯片和第二半导体芯片上的顶部上的封装材料层。该多芯片半导体器件进一步包括形成在封装层中的多个热通孔。该热增强结构包括与第一半导体管芯相...

本发明提供一种层叠封装结构和系统级封装结构的封装和功能测试。本发明提供一种方法，包括在夹具上放置多个底部单元，其中多个底部单元没有切割开并且形成集成组件。多个底部单元中的每个都包括封装基板和接合到该封装基板的管芯。将多个上部组件叠层放置...

一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的...

一种组装倒装芯片球栅阵列封装件的方法包括：将球形焊料安装至球栅阵列基板；向分割好的晶圆上设置的多个倒装芯片焊料凸块施加助焊剂；将球栅阵列基板对齐在分割好的晶圆上的芯片上方；以及朝向球栅阵列基板向上推动芯片，直到该芯片上的倒装芯片焊料凸块...

本发明公开一种无掩模光刻的剥离方法。本发明涉及实施无掩模光刻工艺的方法。该方法包括接收用于集成电路(IC)器件的计算机布局文件。布局文件包括多个IC部分。该方法包括将计算机布局文件分为多个子文件。该方法包括使用多个计算机处理器同时分离多...