具有通孔的水平交指型电容器制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有表面的衬底，该表面由第一轴和与第一轴垂直的第二轴限定；以及设置在衬底上的电容器，该电容器具有：包括多个第一导电部件的阳极元件和包括多个第二导电部件的阴极元件。第一导电部件和第二导电部件每一个都包括沿着第一轴延伸的两条金属线。至少一个金属通孔沿着与衬底的表面垂直的第三轴延伸并且互连两条金属线。第一导电部件沿着第二轴和第三轴均与第二导电部件相互交错。本发明专利技术提供了具有通孔的水平交指型电容器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，更具体而言，涉及具有通孔的水平交指型电容器。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了快速发展。IC材料和设计方面的技术进步产生了多个IC代，其中，每个代都具有比上一个代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工和制造IC的复杂性，因此，为了实现这些进步，需要IC加工和制造方面的类似发展。在集成电路发展过程中，功能密度(即，每芯片面积中互连器件的数量)通常都在增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小元件(或线))减小了。在半导体IC上可以形成各种有源或无源元件。例如，半导体电容器可以形成为无源电子元件。传统上，半导体电容器可以具有金属对金属(MOM)结构。当器件尺寸继续减小时，传统半导体电容器的MOM结构可能遇到诸如面积消耗过多、电容密度低、和/或制造成本高的问题。因此，虽然现有的半导体电容器器件通常已经足以实现它们的预期用途，但是在各个方面尚不是完全令人满意的。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件，包括具有表面的衬底，所述表面由第一轴和与所述第一轴垂直的第二轴限定；以及设置在所述衬底上的电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：具有表面的衬底，所述表面由第一轴和与所述第一轴垂直的第二轴限定；以及电容器，被设置在所述衬底上，所述电容器具有：包括多个第一导电部件的阳极元件和包括多个第二导电部件的阴极元件，其中，所述第一导电部件和所述第二导电部件每一个都包括：两条金属线，沿着所述第一轴延伸，以及至少一个金属通孔，沿着与所述衬底的所述表面垂直的第三轴延伸并互连所述两条金属线；以及所述第一导电部件沿着所述第二轴和所述第三轴均与所述第二导电部件相互交错。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卓秀英，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：