【技术实现步骤摘要】
本申请的实施方式涉及半导体装置(semiconductor arrangement,半导体配置)。
技术介绍
在许多半导体装置中，两个半导体开关串联连接从而形成半桥。一个、两个、三个或更多这样的半桥能够用于电机的电源、整流器、电源转换器等中。在半桥中，至少两个可控功率半导体开关串联连接。在两个可控功率半导体开关之间，串联连接包括电路节点。在运行期间，串联连接被连接至正和负电源电位之间的电源电压。电连接至负电源电位的功率半导体开关通常称为“低侧开关”。相应地，电连接至正电源电位的功率半导体开关通常称为“高侧开关”。在运行期间，在电路节点处的电压在基本上等于正和负电源电位的两个电位之间交替。在许多现有的半导体装置中，金属化的陶瓷基底用以实现该装置的至少一些电连接。功率半导体开关被配置在基底的顶侧上。底侧可热并且电耦接至散热器。与绝缘陶瓷一起，金属化的陶瓷基底相对于施加到散热器的地电位形成电容。根据在电路节点处的交流电压的幅度和频率，发生对该电容连续地充电和放电的位移电流。由于在装置中不可避免的介电常数(inductivity，电容率)中的位移电流，所以通过这样的介电...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：电路载体，包括第一金属化层、第二金属化层、配置在所述第一金属化层和所述第二金属化层之间的中间金属化层、配置在所述中间金属化层和所述第二金属化层之间的第一绝缘层、以及配置在所述第一金属化层和所述中间金属化层之间的第二绝缘层；结合配线；至少N个半桥电路，其中，N≥1，各个半桥电路包括：第一电路节点、第二电路节点和第三电路节点；可控的第一半导体开关，包括电连接至所述第一电路节点的第一主接触、电连接至所述第三电路节点的第二主接触、以及用于控制该第一主接触和该第二主接触之间的电流的栅极接触；可控的第二半导体开关，包括电连接至所述第二电路节点的第一主接触、电连接至...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔·多梅斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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