【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体功率器件
，涉及高压集成电路，尤其是高压集成电路中的高压互连结构。
技术介绍
高压集成电路已经在通信、电源管理、马达控制等领域取得巨大的发展，并将继续受到更广泛的关注。功率集成电路将高压器件与低压控制电路集成在一起带来一系列的好处的同时，对电路设计也带来严峻的挑战。 随着集成度的增高，以及更高的互连电压要求，具有高电位的高压互连线(Highvoltage Interconnect ion,简称HVI)在跨过横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管LDMOS (Lateral Double-Diffused M0SFET)等高压器件与隔离区的表面局部区域时,会产生高低压互连线效应即会导致电力线局部集中，在器件的表面产生场致电荷，使表面电场急剧增大，严重影响器件的击穿电压。传统的高压互连电路常常使用浮空场板或厚氧化层等方法来屏蔽高压线对器件耐压的有害影响，但会产生工艺难度大、成本高的问题。
技术实现思路
本专利技术针对在高压互连电路中，高压金属互连线跨过高压功率器件或隔离区表面时，导致电力线局部集中，在器件表面产生感应电荷，使漂移区难以完全耗尽，...
【技术保护点】
一种高压互连结构，用于具有横向高压功率器件的高压集成电路中，在横向高压功率器件的漏极或阳极与高压电路连接端口之间采用邦定技术中的邦定线进行跨接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，张昕，许琬，李燕妃，周锌，吴文杰，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。