垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件。该半导体器件包括衬底。该半导体器件包括被置于衬底上方的电子器件。电子器件包括开口。该半导体器件包括：位于衬底上方并围绕电子器件的屏蔽器件。该屏蔽器件包括多个伸长件。多个伸长件的子集延伸穿过电子器件的开口。电子器件和屏蔽器件中的至少一个形成在位于衬底上方的互连结构中。本发明专利技术还提供了一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步产生了多代1C，其中，每一代都具有比前一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且对于将被实现的进步，需要IC处理和制造中产生同样的发展。在集成电路演进过程中，功能密度(即，单个芯片面积中互连器件的数量)通常都在增加，同时几何尺寸(即，可使用制造工艺形成的最小组件(或线))减小。可以在半导体器件上形成各种有源或无源电子元件。例如，可以在半导体IC上形·成变压器、电感器、电容器等。然而，形成在IC上的传统电子元件可能面临多个缺点，例如，空间消耗过多、器件性能低劣、屏蔽不足、以及制造成本较高。因此，尽管在半导体IC上存在电子器件通常满足了其预期目的，但是无法在每个方面完全令人满意。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件，包括衬底；电子器件，被设置在所述衬底上方，所述电子器件包括开口 ；以及屏蔽器件，被设置在所述衬底上方并围绕着所述电子器件，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；电子器件，被设置在所述衬底上方，所述电子器件包括开口；以及屏蔽器件，被设置在所述衬底上方并围绕着所述电子器件，所述屏蔽器件包括多个伸长件，所述伸长件的子集延伸穿过所述电子器件的所述开口；其中，所述电子器件和所述屏蔽器件中的至少一个形成在位于所述衬底上方的互连结构中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卓秀英，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：