垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，在X方向和与X方向垂直的Y方向上延伸。半导体器件包括互连结构，在衬底上方在与X方向和Y方向均垂直的Z方向上形成该互连结构。该互连结构包括通过多个通孔在Z方向上互连在一起的多条金属线。互连结构包括变压器器件，该变压器器件包括初级线圈和次级线圈。初级线圈和次级线圈均至少部分地沿着Z方向缠绕。本发明专利技术还提供了一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步产生了多代1C，其中，每一代都具有比前一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且对于将被实现的进步，需要IC处理和制造中产生同样的发展。在集成电路演进过程中，功能密度(即，单个芯片面积中互连器件的数量)通常都在增加，同时几何尺寸(即，可使用制造工艺形成的最小组件(或线))减小。可以在半导体器件上形成各种有源或无源电子元件。例如，可以在半导体IC上形 成变压器、电感器、电容器等。然而，形成在IC上的传统电子元件可能面临多个缺点，例如，空间消耗过多、器件性能低劣、屏蔽不足、以及制造成本较高。因此，尽管在半导体IC上存在电子器件通常满足了其预期目的，但是无法在每个方面完全令人满意。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件，包括衬底，具有通过第一轴和与所述第一轴垂直的第二轴限定的表面；变压器，被设置在所述衬底的所述表面上方，所述变压器包括第一线圈和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，具有通过第一轴和与所述第一轴垂直的第二轴限定的表面；变压器，被设置在所述衬底的所述表面上方，所述变压器包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈具有不与所述衬底的所述表面平行的相应的缠绕定向。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卓秀英，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：