垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件。半导体器件包括具有水平面的衬底。半导体器件包括形成在衬底的水平面上方的互连结构。互连结构包括感应线圈，该电感线圈被基本上缠绕在与衬底的水平面垂直的垂直平面上。互连结构包括被设置为紧邻感应线圈的电容器。电容器具有阳极元件和阴极元件。感应线圈和电容器均包括多个水平延伸的伸长件。本发明专利技术还提供了一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步产生了多代1C，其中，每一代都具有比前一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且对于将被实现的进步，需要IC处理和制造中产生同样的发展。在集成电路演进过程中，功能密度(即，单个芯片面积中互连器件的数量)通常都在增加，同时几何尺寸(即，可使用制造工艺形成的最小组件(或线))减小。可以在半导体器件上形成各种有源或无源电子元件。例如，可以在半导体IC上形成变压器、电感器、电容器等。然而，形成在IC上的传统电子元件可能面临多个缺点，例如，·空间消耗过多、器件性能低劣、屏蔽不足、以及制造成本较高。因此，尽管在半导体IC上存在电子器件通常满足了其预期目的，但是无法在每个方面完全令人满意。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件，包括衬底，具有通过X轴和与所述X轴垂直的Y轴限定的表面；电感器，被设置在所述衬底的所述表面上方，所述电感器具有缠绕定向，所述缠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，具有通过X轴和与所述X轴垂直的Y轴限定的表面；电感器，被设置在所述衬底的所述表面上方，所述电感器具有缠绕定向，所述缠绕定向至少部分地通过与所述X轴和所述Y轴垂直的Z轴限定出；以及电容器，被设置在所述衬底上方并且邻近所述电感器。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卓秀英，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：