提供了一种化学机械抛光(CMP)装置，该装置包括用于调节CMP装置的抛光垫的调节盘。该调节盘包括多个子系统盘部分。该部分可以是同心的盘区。该盘的每个部分可操作地以不同的角速度转动。在一些实施例中，除了不同的角速度之外或者代替不同的角速度...

用于可移动兆声晶圆喷头的方法和装置。公开了一种方法，包括将可移动喷头置于晶圆表面上方，可移动喷头具有暴露晶圆表面的一部分的开放底部；通过可移动喷头的底部将液体施加在晶圆表面上方；以及以预定的扫描速度移动可移动喷头，从而穿过晶圆表面，在晶...

一种器件，包括衬底，具有至少一个有源区；绝缘层，位于衬底上方；以及电极，位于绝缘层上方的栅电极层中，该衬底、绝缘层、以及电极形成金属氧化物半导体(MOS)电容器。第一接触层设置在电极上方，该第一接触层具有延长的第一图案，该延长的第一图案...

一种时间电流转换装置和方法。包含阻抗，该阻抗具有选择性地接收时变周期信号或已知电压信号的输入；以及电流输出，连接至阻抗。透过观测在时间周期内已知电压信号流经阻抗的平均电流以及观测时变周期信号流经阻抗的平均电流，可以借着评估第一平均电流和...

一种多鳍片器件包括：衬底；在衬底上形成的多个鳍片；在相应鳍片中形成的源极区和漏极区；在衬底上形成的介电层，该介电层具有邻近第一鳍片的一侧的第一厚度，并且具有邻近鳍片的相对侧的不同于第一厚度的第二厚度；以及位于多个鳍片上面的连续栅极结构，...

公开了一种具有金属栅极的半导体器件。具有金属栅极的示例性半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的源极和漏极部件；栅叠层，该栅叠层位于半导体衬底上方并被设置在源极和漏极部件之间。栅叠层包括：HK介电层，形成在半导体衬底上方；多个金属...

本发明提供了FinFET器件。FinFET器件包括：具有第一半导体材料的半导体衬底；具有第一半导体材料的鳍片结构，该鳍片结构位于半导体衬底的上面，其中该鳍片结构具有第一晶面取向的顶面；具有第二半导体材料的类金刚石形状结构，该类金刚石形状...

一个实施例是一种包括了衬底、第一管芯、以及第二管芯的结构。该衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该衬底具有从第一表面向第二表面延伸的衬底通孔。第一管芯与衬底相接合，并且第一管芯与衬底的第一表面相连接。第二管芯与衬底相接合，并且第...

本发明公开了具有自加热结构的半导体器件、其制造方法以及测试方法。在一个实施例中，半导体器件包括工件；有源电结构，被设置在该工件上方；以及至少一个自加热结构，被设置为与该有源电结构相邻。

提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消...

本发明公开一种具有沿着信号路径的连续负载设备的集成电路中的飞跨导体片段。通过隔离离信号源更远的负载设备的子集，并且通过旁路更接近信号源的子集的飞跨导体将更远子集连接至信号，改善通过沿着导体顺序连接的多个负载设备的信号的传播延迟。该技术可...

一种器件包括金属焊盘，该金属焊盘位于衬底上方；钝化层，该钝化层包括位于金属焊盘上方的一部分；钝化后互连件(PPI)，该PPI电连接至金属焊盘，其中PPI包括位于金属焊盘和钝化层上方的一部分；聚合物层，该聚合物层位于PPI上方；以及伪凸块...

本发明涉及低功率/高速TSV接口设计以及用于设置在中介层衬底中的TSV的TSV接口电路，其在第一管芯和第二管芯之间形成连接，TSV接口电路包括设置在第一管芯中的驱动电路以及设置在第二管芯中的接收器电路，其中，驱动电路与均低于中介层衬底电...

本发明公开一种相变化存储器及其制备方法，特别是精细节距相变化随机存取存储器(phase?change?random?access?memory，PCRAM)设计以及其制备方法。在一实施例中，一相变化存储器(phase?change?me...

本发明提供了一种半导体器件及制造方法，诸如，MTJ器件及制造MTJ器件的方法。该MTJ器件可以包括底部电极、MTJ堆叠件以及顶部电极，其中，使用孔洞填充技术形成该顶部电极。该顶部电极可以具有倾斜的侧壁。可以通过沉积对应的MTJ层来形成该...

一种方法包括：图案化多个磁隧道结(MTJ)层以形成MTJ单元；在MTJ单元的顶面上方及其侧壁上形成介电保护层；在相同的真空环境中原位实施图案化的步骤以及形成介电保护层的步骤；在介电保护层上实施等离子处理以将介电保护层转变成处理过的介电保...

一种半导体器件包括：有源区域，具有沟道区域和至少一个翼区域，该至少一个翼区域与位于栅极介电层下方的沟道区域相邻。至少一个翼区域可以为在沟道区域两侧的两个对称翼区域。

MOSFET包括半导体衬底，具有：顶面；第一导电类型的体区，位于所述半导体衬底中；以及双扩散区DDD区，具有低于体区的底面的顶面。DDD区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。MOSFET进一步包括：栅极氧化物，和通过栅极氧化...

本发明涉及的是集成电路制造，并且更具体地涉及的是带有高k栅极介电层的半导体器件。用于半导体器件的示例性的结构包括衬底和设置在该衬底上方的栅极结构。该栅极结构包括介电部分和设置在该介电部分上方的电极部分，并且该介电部分包括在衬底上的碳掺杂...

制造太阳能电池的方法包括：在衬底上方形成前接触层，前接触层在特定波长下是光学透明的且是导电的；穿过前接触层划割第一划片区以暴露一部分衬底；在前接触层和第一划片区的上方形成掺杂有n型掺杂剂的缓冲层；在缓冲层上方形成掺杂有p型掺杂剂的吸收层...