太阳能收集模块包括不使用螺丝组装的框架。使用锁连件将外周框架元件连接在一起，以及一个或者多个肋沿着太阳能板的背面延伸，并连接至框架的相对侧。肋通过边缘关键紧固件连接至框架，边缘关键紧固件包括相对的第一凸缘和相对的第二凸缘，第一凸缘通过间...

本发明提供了集成电路。集成电路包括：半导体衬底，具有外围区域和存储区域；场效应晶体管，被设置在外围区域中并且具有硅化物部件；以及单浮栅非易失性存储器件，被设置在存储区域中，没有硅化物，并且具有彼此横向隔离的第一栅电极和第二栅电极。

CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法。本发明涉及集成电路制造，并且更具体地来说，涉及金属栅极结构。一种CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底、N-金属栅电极以及P-金属栅电极。该衬底包括包围着P-有源区域和N-有源区域的隔离区域...

公开了具有无方向去耦电容器的半导体器件和制造该半导体器件的方法。在一个实施例中，半导体器件包括至少一个集成电路和至少一个去耦电容器。将至少一个去耦电容器定向为与至少一个集成电路定向的方向不同的方向。

提供了导电柱的系统和方法。实施例包括：在其外部边缘周围具有沟槽的导电柱。当在导电柱上方形成导电凸块时，将沟槽用于引导导电材料，例如，焊料。然后，通过导电材料可以将导电柱电连接至另一接触件。本发明还提供了一种导电凸块的柱设计。

一种实用工具包括可制造性设计(DFM)检查器，被配置用于检查集成电路的布局图案；以及布局改变指令发生器，被配置用于基于由DFM检查器所生成的结果生成布局改变指令。在非临时性存储介质上包含DFM检查器和布局改变指令发生器。布局改变指令指定...

本发明涉及用于晶圆研磨的装置。其中，一种研磨砂轮包括：外部基底，具有第一附接的磨粒抛光垫；内部框架，具有第二附接的磨粒抛光垫；以及主轴，通过外部基底和内部框架共享该主轴，其中，外部基底和内部框架中在至少一个可以沿着共享的主轴独立的移动；...

描述了电源管理电路和方法。在该方法中，确定是否存在第一电压和/或电压源。基于该确定的第一结果，将第一电压变换为第二电压。升压变换器用于将第二电压变换为第三电压。可选地，基于该确定的第二结果，降压变换器用于将第三电压变换为第二电压。

一种RC触发ESD保护器件包括：放电晶体管、驱动电路、以及触发电路。触发电路包括与多个PMOS晶体管并联连接的多个本征NMOS晶体管，该多个PMOS晶体管作为电阻器运行。多个本征NMOS晶体管的相对较小的电阻有助于保持稳定的RC时间常数...

本发明涉及的是一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，其包括磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶部电极、设置在MTJ下方的底部电极以及设置在MTJ一侧的感应线。该感应线被配置为在MTJ处感生出垂直磁场。本发明还公开了磁阻式随机存储器及...

本发明披露的实施例包括半导体结构。半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且成分与第一III-V化合物层不同。一界面被限定在第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。栅极设置...

提供了用于识别切割管芯的取向的机制。通过在管芯的不同于其他角落的一个角落中的角落应力消除区中形成金属图案，使用者可以很容易地识别管芯的取向。本发明还提供了标记切割管芯取向的机制。

本发明提供了一种集成电路结构。该集成电路结构包括：衬底，具有形成在其中的IC器件；第一电介质材料层，被设置在衬底上并具有形成在其中的第一沟槽；以及第一合成互连部件，被设置在第一沟槽中并与IC器件电连接。该第一合成互连部件包括：第一阻挡层...

在角应力消除区域上方具有探针焊盘的半导体芯片包括：电路区域和角应力消除(CSR)区域。CSR区域位于半导体芯片的角部。被测器件(DUT)或功能电路被设置在电路区域上方。探针焊盘被设置在CSR区域上方。金属线从电路区域延伸到CSR区域，从...

公开了一种集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法。在实例中，该方法包括在衬底上方形成栅极结构；在衬底中形成掺杂区；实施第一蚀刻工艺以去除掺杂区并在衬底中形成沟槽；以及实施第二蚀刻工艺，通过去除衬底的一部分改变沟槽。本发明还提供自对准源...

本发明涉及一种在栅极介电层沉积之后的多阶段预热的高温退火工艺，该工艺减小了界面态的数量，并且改进了p-型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)的负偏压温度不稳定性(NTBI)性能。该栅极介电层可以包括界面氧化物层和高-k介电层。该多阶段预热...

描述了由展平的布局进行层次重建的系统和方法。在一个实施例中，由原始布局和修订布局生成集成电路设计的重建布局的方法包括：对原始布局的每个图案：确定对应于原始布局的图案的修订布局的图案；以及将修订布局的对应图案分配到临时实例，该临时实例对应...

探针卡包括多个探针引脚，以及连接至该多个探针引脚的交换网络。该交换网络被配置用于连接第一图案中的多个探针引脚，以及重新连接不同于第一图案的第二图案中的多个探针引脚。本发明还提供无源插件的测试方案和装置。

本发明实施例公开了一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，即揭示由底部向上的金属沉积方法，以填入内连线结构和置换栅极结构，能使具有高深宽比的细微构造的间隙填入不会造成空洞，并且提供具有良好镀膜品质的金属膜。利用GCIB工艺沉积金...

本发明提供了半导体结构的一个实施例。该半导体结构包括具有正面和背面的器件衬底、被设置在该器件衬底正面上的互连结构、以及与该互连结构相连接的接合焊盘。接合焊盘包括位于介电材料层中的凹陷区域、介于凹陷区域之间的介电材料层的介电台、以及被设置...