一种电路结构包括了具有顶面的半导体衬底。介电材料从该顶面延伸到半导体衬底中。高k介电层由高k介电材料形成，其中，该高k介电层包括在介电材料的侧壁上的第一部分和在介电材料下面的第二部分。本发明还公开了一种浅沟道隔离件中的高k介电衬里。

一种图像传感器器件包括：具有正面和背面的半导体衬底；位于半导体衬底正面上的第一介电层；位于第一介电层中的金属焊盘；位于第一介电层上方以及位于半导体衬底正面上的第二介电层；从半导体衬底的背面穿透半导体衬底的开口，其中该开口包括第一部分和第...

本发明提供了一种高电压半导体器件。该高电压半导体器件包括衬底，该衬底包括在其中设置的掺杂阱。掺杂阱和衬底具有相反的掺杂极性。高电压半导体器件包括在掺杂阱上方设置的绝缘器件。高电压半导体器件包括在绝缘器件上方设置的伸长的电阻器。该电阻器的...

一种集成电路结构包括：半导体衬底；以及介电焊盘，该介电焊盘从半导体衬底的底面向上延伸到半导体衬底中。低k介电层被设置在半导体衬底下方。第一非低k介电层位于低k介电层下方。金属焊盘位于第一非低k介电层下方。第二非低k介电层位于金属焊盘下方...

提供了用于低k介电层的系统和方法。优选的实施例包括形成基体，以及在基体内形成成孔剂。成孔剂包含具有少于15个碳原子和大比例单键的有机环结构。另外，成孔剂可以具有大于1.3的粘度以及小于0.5的雷诺数。

本发明是有关于一种制造集成电路元件的方法，其包括以下步骤：(1)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同...

本发明公开一种设备以及制造和/或设计这种设备的方法，包括：第一栅极结构，具有宽度(W)和长度(L)；以及第二栅极结构，与第一栅极结构分离大于：的距离。第二栅极结构是第一栅极结构的下一个邻近栅极结构。还描述用于设计集成电路的方法和装置，其...

本发明提供了一个照明结构的实施例。该照明结构包括位于衬底上的发光二极管(LED)器件；被固定在衬底上并且位于LED器件上方的透镜；以及被固定在衬底上并且覆盖着透镜的漫射罩，其中，该透镜和漫射罩被设计和配置为：对来自LED器件的发射光进行...

本发明揭示一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括半导体基底、N型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的表面，其中上述N型金属氧化物半导体装置具有与半导体基底具有肖特基接触的肖特基源极/漏极延伸区。上述一种半导体结构还包括P型金属氧...

公开了一种集成电路制造，更具体而言，公开了具有低电阻金属栅电极的场效应晶体管。用于场效应晶体管的金属栅电极的示例性结构包括由第一金属材料形成的下部，其中所述下部具有凹部、底部和侧壁部，其中每个侧壁部具有第一宽度；以及由第二金属材料形成的...

一种半导体器件包括衬底、位于衬底上的栅极介电层、以及位于栅极介电层上的栅电极堆叠件。栅电极堆叠件包括金属填充线、润湿层、金属扩散阻挡层、以及功函数层。润湿层与金属填充线的侧壁和底部相接触。金属扩散阻挡层与润湿层相接触，并利用金属扩散阻挡...

本披露涉及半导体器件的导电凸块结构。用于半导体器件的典型结构包括基板，其包括主表面和在基板的主表面之上分布的导电凸块。导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体，并且导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。

公开了半导体器件、封装方法和结构。在一个实施例中，一种半导体器件包括：具有表面的集成电路管芯，该表面具有外围区域和中心区域。多个凸块被设置在外围区域中的集成电路管芯的表面上。隔离件被设置在中心区域中的集成电路管芯的表面上。

一种位于半导体衬底或封装组件中的凸块结构包括：形成在半导体衬底的导电焊盘上方的凸块下金属化(UBM)层。UBM层的宽度大于导电焊盘的宽度。

凸块和凸块导线直连(BOT)结构的实施例提供了凸块，该凸块具有用于填充回流焊料的凹进区域。凹进区域位于回流焊料最可能突出的凸块区域中。凹进区域降低凸块与迹线短路的风险。因此，可以提高成品率。本发明还提供了一种新凸块结构。

本发明提供了用于在半导体衬底的上方形成光刻胶的系统和方法。一个实施例包括具有浓度梯度的光刻胶。可通过使用一系列干膜光刻胶来形成浓度梯度，其中，每个独立的干膜光刻胶均具有不同浓度。各个干膜光刻胶可以独立形成，然后在图样化之前被放置到半导体...

一种方法，包括：接收存储器编码，该存储器编码标识将要存储在半导体存储器中的逻辑0和逻辑1的数量；通过存储器编码确定将要连接至半导体存储器的第一位线的第一类型的位单元的数量；以及基于将要连接至第一位线的第一类型的位单元的数量，从多个保持器...

差分只读存储器阵列包括连接至第一和第二位线的差分读出放大器。第一位单元连接至第一字线以及第一和第二位线。至少一个位单元包括：具有连接至第一字线的栅极、连接至第一位线的漏极、以及连接至第一电源线的源极的第一晶体管。第二晶体管具有连接至第一...

一种半导体测试装置与测试半导体元件的方法，该装置包括多个测试焊盘；多个测试单元；一开关电路，耦合于测试焊盘与测试单元之间，开关电路包括多个开关元件；以及一控制电路，与开关电路耦合，控制电路可操控使选择性的开启开关元件的一子集合，以建立测...

公开了用于在诸如紫外线固化工艺腔的工艺腔中感测辐射强度的装置和方法。示例性装置包括：工艺腔，在该工艺腔中具有辐射源，其中，辐射源被配置为在工艺腔内发出辐射；辐射传感器，附接至工艺腔；以及光纤，与辐射源和辐射传感器连接，其中，光纤被配置为...