本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。在示例中，集成电路器件包括：设置在衬底上方的栅结构；设置在衬底中的源区和漏区，其中栅结构介于源区和漏区之间；以及插在栅结构中的至少一个柱状部件。

公开了一种集成电路器件及其制造方法。在一个实例中，集成电路器件包括电容器，该电容器具有设置在半导体衬底中的掺杂区域、设置在掺杂区域上方的介电层、以及设置在介电层上方的电极。至少一个柱状部件嵌入在该电极中。本发明还提供了一种大尺寸器件及其...

本发明公开了一种具有PIN二极管隔离的高压电阻器，其中，提供了一种高压半导体器件，包括形成在衬底中PIN二极管结构。PIN二极管包括设置在第一掺杂阱和第二掺杂阱之间的本征区域。第一和第二掺杂阱具有相反的掺杂极性和大约本征区域的掺杂浓度等...

一种半导体结构包括设置在衬底上方的介电层。金属线被设置在介电层中。硅通孔(TSV)结构连续地延伸穿过介电层和衬底。金属线的表面与TSV结构的表面基本上齐平。本发明还提供了一种半导体结构及其形成方法。

集成电路结构包括衬底和位于衬底上方的金属焊盘。钝化后互连(PPI)线连接至金属焊盘，其中，PPI线至少包括位于金属焊盘上方的部分。PPI焊盘连接至PPI线。聚合物层位于PPI线和PPI焊盘上方，其中，聚合物层具有大于约30μm的厚度。凸...

结构包含位于半导体衬底上方的金属焊盘、具有位于该金属焊盘上方的部分的钝化层和位于该钝化层上方的第一聚酰亚胺层，其中该第一聚酰亚胺层具有第一厚度和第一杨氏模量。钝化后互连件(PPI)包括位于第一聚酰亚胺层上方的第一部分和延伸至钝化层和第一...

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：形成具有多个第一开口的经图案化的介电层；在经图案化的介电层的上方形成导电衬层，该导电衬层部分地填充第一开口；在第一开口外面的部分导电衬层的上方形成沟槽掩模层，从而形成多个第二开口，第二开...

本发明提供一种组件，包括其中具有多个第一通孔的下导向板和处在该下导向板上方的上导向板。上导向板中包括多个第二通孔。该组件进一步包括多个探针。每个探针都穿过多个第一通孔之一和多个第二通孔之一插入。该组件进一步包括多个探针止挡件，每个都连接...

提供了形成金属凸块的系统和方法。实施例包括将导电材料附接于载体介质，然后将导电材料与衬底的导电区相接触。采用接合工艺将导电材料的部分接合至导电区以在导电区上形成导电帽，并去除剩余的导电材料和载体介质。采用回流工艺将导电帽回流成导电凸块。...

一种发光器件包括多面散热器，其中，面位于中部面向外。面形成中部封闭部分，并且散热器还具有多个鳍片，其中，每个鳍片都位于相邻面之间，并且从散热器向外突出。发光器件还具有多个电路板，其中，半导体发射器安装在该多个电路板上。每个电路板都安装在...

一种多晶硅栅极结构包括衬底、设置在衬底上方的二氧化硅层、设置在二氧化硅层上方的氮掺杂的高-k介电层以及设置在氮掺杂的高-k介电层上方的多晶硅栅极。本发明还公开了一种带有氮掺杂的高-K电介质和二氧化硅的多晶硅栅极。

本发明涉及一种设计集成电路的方法，包括提供彼此相同的第一芯片和第二芯片。第一芯片和第二芯片中的每一个都包括基底层，基底层包括逻辑晶体管单元(LTU)阵列。LTU阵列包括彼此相同并且以行和列进行配置的LTU。该方法还包括：连接第一芯片的基...

本发明涉及封装集成电路的连接件设计，其中涉及一种器件，该器件包括具有顶面的顶部介电层。金属柱具有位于顶部介电层的顶面上方的部分。非润湿的层形成在金属柱的侧壁上，其中，非润湿的层不可被熔化的焊料湿润。焊料区域被设置在金属柱上方并且与其电连接。

一种集成电路结构包括：半导体衬底，以及位于半导体衬底上方的第一金属层。第一金属层具有第一最小间距。第二金属层位于第一金属层上方。第二金属层具有小于第一最小间距的第二最小间距。本发明还提供了一种用于集成电路的非分层式金属层。

本披露提供了半导体器件。半导体器件包括：横跨X-方向和与X-方向正交的Y-方向的基板。半导体器件包括在与X-方向和Y-方向正交的Z-方向上形成在基板之上的互连结构。互连结构包括通过多个通孔在Z-方向上互连在一起的多条金属线。互连结构包括...

本发明涉及硅通孔结构和方法，公开了用于制造硅通孔的系统和方法。一个实施例包括：形成具有从衬底突出的衬里的硅通孔。钝化层形成在衬底和硅通孔的上方，并且钝化层和衬里从硅通孔的侧壁开始凹陷。然后，导电材料可以形成为与硅通孔的侧壁和顶面接触。

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成栅极。该方法包括实施第一注入工艺，从而在衬底中形成第一掺杂区域，第一掺杂区域邻近栅极。该方法包括实施第二注入工艺，从而在衬底中形成第二掺杂区域，第二掺杂区域形成得比第一掺杂区...

一种SRAM多路复用装置包括多个局部多路复用器和一个全局多路复用器。每个局部多路复用器都与内存组相连接。全局多路复用器具有多个输入端，每个都与多个局部多路复用器的对应的输出端连接。响应于经过解码的地址，在读操作期间，局部多路复用器的输入...

本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEM...

本发明涉及集成电路制造，而更具体地涉及的是带有金属合金的半导体器件。用于器件的示例性结构包括第一硅衬底；第二硅衬底；以及连接第一硅衬底和第二硅衬底中的每个的触点，其中，该触点包括与第一硅衬底邻近的Ge层、与第二硅衬底邻近的Cu层以及处在...