台湾积体电路制造股份有限公司专利技术

台湾积体电路制造股份有限公司共有17058项专利

  • LED器件或电路包括多个串联连接的LED段,其中,该LED段还额外包括并列支路,LED段的导通或关断取决于LED段的输入电压。当输入电压变化时,没有LED发光,LED的不同部分发光或者所有LED发光。响应于交流(AC)功率,LED段的输...
  • 本发明涉及完全模块化工作结超高压UHV器件。具体地,本发明提供了用于控制超高压(UHV)发光二极管(LED)器件的优选方法。在一个实施例中,方法包括:通过设置在基板上方的多个LED结模块传送第一恒定阶跃电流;彼此并联连接多个LED结模块...
  • 本发明公开一种插入件测试结构和方法。公开的实施例是包括插入件的结构。插入件具有沿着插入件的外围延伸的测试结构,并且测试结构的至少一部分在第一重分配元件中。第一重分配元件在插入件的基板的第一表面上。测试结构在中间并且电连接至至少两个探针焊盘。
  • 一种封装元件其中没有有源器件。该封装元件包括:基板;通孔,位于基板中;顶部介电层,位于基板上方;以及金属柱,具有位于顶部介电层的顶面上方的顶面。该金属柱电连接到通孔。扩散势垒层位于该金属柱顶面上方。焊帽设置在该扩散势垒层上方。本发明还提...
  • 本发明提供了一种热改善的集成电路封装件。根据实施例,集成电路封装件包括:芯片、热元件、以及模塑料。芯片包括有源面和与有源面相对的背面。热元件与芯片的背面物理连接。模塑料封装件芯片,并且通过模塑料暴露热元件的暴露面。另一实施例为形成集成电...
  • 本发明提供了一种用于提供后钝化和凸块下金属化层的系统和方法。实施例包括大于上部凸块下金属化层的后钝化层。延伸超过凸块下金属化层的后钝化层保护了下层免受由材料的热膨胀系数不匹配而产生的应力的影响。本发明还提供了一种用于芯片级封装的电连接。
  • 一种方法,包括:在半导体衬底的表面上形成晶体管,其中,形成晶体管的步骤包括:形成栅电极;以及形成与栅电极邻近的源极/漏极区域。形成第一金属部件,第一金属部件的至少一部分与栅电极处于相同层级。形成第二金属部件,第二金属部件位于第一金属部件...
  • 所描述的基于发光二极管的(基于LED的)灯泡和LED组件的实施例提供了向基于LED的灯泡的背面反射由LED发射器产生的光的机理。使用上基板和下基板来承载上部和下部LED发射器。在上基板和下基板之间的倾斜且反光的表面向基于LED的灯泡的背...
  • 快速滤波器校准系统包括多时钟发生器、模拟滤波器,该模拟滤波器包括可变电容器和快速校准装置。该快速校准装置进一步包括相位比较器、频率检测器和快速校准单元。该快速校准单元存储对应于滤波器的带宽频率的二进制代码,并通过从二进制代码校准滤波器开...
  • 一种天线包括:基板和位于基板上方的顶板。至少一条馈线连接至顶板,并且每条馈线包括穿过基板的第一硅通孔(TSV)结构。将至少一条地线路连接至顶板,并且每条地线包括穿过基板的第二TSV结构。顶板为电导体,并且将至少一条馈线配置为传送射频信号...
  • 本发明提供了一种具有远离荧光结构的蝙蝠翼透镜及其制造方法。LED发射器使用具有荧光材料的模制透镜,该荧光材料内嵌在圆环沟槽中,从而生成蝙蝠翼光束图案。在具有连接在其上的LED管芯的封装基板的上方模制透镜以后,模制、注入荧光材料,或者将荧...
  • 一种半导体结构包括带有多个管芯区域的模块、多个布置在衬底上的发光器件,使得每个管芯区域都包括一个发光器件以及处在模块上并且利用胶粘附在衬底上的透镜。透镜板包括多个微透镜,每个都与一个管芯区域相对应,并且在每一个管芯区域处胶都通过相应的一...
  • 从在封装基板上的多个LED管芯的初级LED透镜的光发射器产生蝙蝠翼光束。LED透镜包括蝙蝠翼表面,该蝙蝠翼表面通过在光发射器的中心的上方关于抛物线圆弧的端部旋转抛物线圆弧形成。将LED管芯中的每个的中心在抛物线的焦点处安装至封装基板,抛...
  • 公开了用于图案对准的器件和方法。在一个实施例中,半导体器件包括管芯,包括:集成电路区域;围绕集成电路区域的装配隔离区域;以及围绕装配隔离区域的密封环区域。器件进一步包括:设置在密封环区域或装配隔离区域内的管芯对准标记。
  • 一种互连元件包括衬底、以及穿透该衬底的有源衬底通孔(TSV)。有源金属连接件形成在衬底上,并且电连接至有源TSV。伪焊盘和伪焊料凸块中的至少一种形成在互连元件的表面上。伪焊盘位于衬底上方,并且电连接至有源TSV和有源金属连接件。伪焊料凸...
  • 用于IC钝化结构的均匀度控制。本发明涉及半导体器件。半导体器件包括包含互连结构的晶片。互连结构包括多个通孔和多个互连线。半导体器件包括设置在互连结构之上的第一导电焊盘。第一导电焊盘电连接至互连结构。半导体器件包括设置在互连结构之上的多个...
  • 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底;位于该衬底上方的接触焊盘;在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层,该开口具有第一宽度;在该开口内的导电通孔;和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱,其中第一宽...
  • 描述了在监控预清洗工艺中使用的监控晶圆和制造该监控晶圆的方法。一个实施例为监控晶圆,包括:硅基底层;覆盖层,位于硅基底层上方;以及势垒层,位于USG层的上方。监控晶圆进一步包括:铜(“Cu”)晶种层,位于势垒层上方;以及厚Cu层,位于C...
  • 一种封装方法包括在离型膜上方布置封装部件,其中,该封装部件的表面上的焊球与该离型膜物理接触。然后,对填充在离型膜和封装部件之间的模塑料进行固化,其中,在该固化步骤中焊球仍与离型膜保持物理接触。本发明还公开了一种用于涂敷模塑料的层叠封装工艺。
  • 实施例是用于半导体封装的方法。该方法包括:将芯片穿过夹具的第一侧面附接到载体基板,该芯片通过凸块附接;将球穿过夹具的第二侧面施加在载体基板上的接合焊盘;以及同时回流凸块和球。根据另一个实施例,封装夹具包括盖板、基座和连接件。盖板具有穿过...