本发明公开一种集成电路，包括用于第一类型晶体管的第一扩散区域。第一类型晶体管包括第一漏极区和第一源极区。用于第二类型晶体管的第二扩散区域与第一扩散区域分离。第二类型晶体管包括第二漏极区和第二源极区。栅电极在布线方向上跨过第一扩散区域和第...

本发明提供了发光结构的一实施例。发光结构包括：载具基板，具有第一金属部件；透明基板，具有第二金属部件；多个发光二极管(LED)，与载具基板和透明基板接合，夹置在载具基板和透明基板之间；以及金属柱，与载具基板和透明基板接合，将金属柱中的每...

本发明提供了一种图像传感器器件和用于制造图像传感器器件的方法。典型图像传感器器件包括：基板，具有前表面和后表面；多个传感器元件，设置在基板的前表面处，多个传感器元件中的每个都是可操作的，以感应朝向基板的后表面投射的辐射；辐射防护部件，设...

本发明用于增加堆叠管芯带宽的装置和方法提供一种封装结构，其包括多个彼此相同的多个管芯载具。多个管芯载具中的每一个中的各个部件与该多个管芯载具的其他管芯载具中的对应部件垂直重叠。多个管芯载具中每一个包括具有多个数据总线的多个衬底通孔(TS...

本发明提供一种集成电路及集成电路系统及其制造方法，该集成电路系统，包括一第一集成电路，及一第二集成电路、中介层、或印刷电路板的其中至少一个。第一集成电路还包括一接线堆叠、电性连接至接线堆叠的接合焊盘、及形成于接合焊盘上的凸块球体。接线堆...

半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。...

本文所公开的方法和结构的实施例提供了形成和编程未金属硅化多晶硅熔丝的机制。未金属硅化多晶硅熔丝和编程晶体管形成一次性可编程(OTP)存储器单元，该一次性可编程存储器单元可以用低编程电压编程。本发明还提供了一种未金属硅化多晶硅熔丝。

一种形成硅通孔(TSV)开口的方法包括穿过衬底形成TSV开口。利用第一化学产品去除在该TSV开口的侧壁上的衬底材料的重铸物。利用第二化学产品基本上去除第一化学产品的残留物来清洁TSV开口的侧壁。

一种用于形成字线解码器器件和具有字线解码器单元的其他器件的方法和布局，提供了使用非DPL光刻操作形成金属互连层，并且提供了使用下部金属层或中部金属层或者相邻引线材料缝合设置在末端的晶体管。可以将晶体管设置在纵向配置的字线解码器或者其他单...

本发明所公开的方法和结构的实施例提供了通过掺杂剂实施掺杂围绕栅极结构的层间电介质膜ILD0，从而针对替换栅极技术在去除伪栅电极层和/或栅极介电层的工艺期间降低其蚀刻速率。ILD0膜可以掺杂等离子体掺杂工艺(PLAD)或者离子束工艺。掺杂...

一种形成集成电路的方法包括：在栅电极线的上方形成掩模层，其中，栅电极线位于半导体衬底的阱区域的上方；在掩模层中形成开口，其中，通过开口暴露栅电极线的部分和阱区域的阱拾取区域；以及通过开口去除栅电极线的这部分。本发明还公开了一种与有源区重...

本发明涉及集成电路的制造，并且更具体地涉及一种带有多个栅极结构的半导体器件。该制造多个栅极结构的示例性方法包括：提供硅衬底；在衬底上方沉积伪氧化物层；在伪氧化物层上方沉积伪栅电极层；将层图案化，从而限定出多个伪栅极；在多个栅电极上形成含...

一种用于前馈先进工艺控制的方法包括：提供通过光刻工具处理的现有晶圆；从多个处理的晶圆选择具有过去的芯片设计的处理的晶圆，先前通过光刻工具处理该处理的晶圆，选择从在处理的晶圆上的多个区域所提取的多个关键尺寸(CD)数据点；通过CD与未处理...

本发明提供了一种差分读写回读出放大器电路和方法。存储阵列包括：配置为多行和多列的多个存储单元；连接至存储单元的多条读字线；多条写字线，连接至沿着所述存储阵列的多行所配置的存储单元；多个写字线对，连接至配置为多列的存储单元；多个写字线对，...

公开了用于改善产量的电子束光刻方法和装置。示例性光刻方法包括：接收具有图案布局尺寸的图案布局；缩小图案布局尺寸；以及材料层按缩小的图案布局尺寸过度曝光，从而在材料层上形成具有图案布局尺寸的图案布局。

本发明公开了一种形成标准光掩模的方法及装置与使用检测系统，该方法方法用于一检测系统，包括：在一反应室内提供一基板；在反应室内提供一四乙基正硅酸盐(TEOS)先驱物；以及使TEOS先驱物与一电子束反应以在基板的一或多个可控位置形成可控大小...

建立了堆叠的系统中的管芯的多组测试条件，其中，多组测试条件是管芯的温度的函数，并且其中，堆叠的系统包括多个堆叠的管芯。测量出管芯的温度。从多组测试条件中找出管芯的相应的测试条件组，其中，测试条件组对应于温度。在该温度中，使用测试条件组测...

本发明提供一种照明系统，该照明系统包括：发光二极管(LED)；以及接近该发光二极管布置的可调发光材料，其中，该可调发光材料包括碱土金属(AE)以及掺杂有稀土元素(RE)的氮化硅铝，其分子式为(AE)Si6-pAlpN8，其中，p是限定以...

一种电荷泵，包括第一节点、第二节点以及连接在该第一节点和第二节点之间的至少一个电容级。至少一个电容级中的电容级是串联连接的。至少一个电容级中的电容级包括电容器件以及与该电容器并联连接的电压限制器。该电压控制器被配置为限制电容器两端的电压...

一种金属抛光液包括化学溶液和磨料，该磨料的特征为颗粒尺寸的双峰式分布或者其他多峰式分布或者普遍存在两种或者更多种颗粒尺寸或者颗粒尺寸的范围。还提供了一种用于在CMP抛光操作中使用抛光液的方法和系统。