本公开提供实施金属化学-机械抛光(CMP)而不会带来镶嵌结构的铜和介电薄层的显著损失的机理。机理使用由带有致孔剂的低-k介电薄层制成的金属CMP停止层，其显著降低了金属CMP对金属CMP停止层的移除速率。固化(或固化)后金属CMP停止层...

提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供衬底。该方法包括在衬底上方形成互连结构的一部分。该部分互连结构具有开口。该方法包括获得没有硼-10同位素的含硼气体。该方法包括用导电材料填充开口以形成接触件。使用含硼气体实施填充开口。还提供...

本发明公开了一种装置，包括：机械臂、以及多个导销，该多个导销安装在机械臂上。多个导销中的每个都包括位于不同层上的多个晶圆支撑件，多个晶圆支撑件中的每个都配置为支撑和居中晶圆，剩下的多个晶圆支撑件配置为支撑和居中与上述晶圆尺寸不同的晶圆。...

本发明公开了一种通过使用组合外延生长减少变化的方案，其中具体公开了一种用于形成半导体结构的方法，包括：在晶圆中的半导体衬底之上形成栅极堆叠件；在半导体衬底中以及与栅极堆叠件相邻地形成凹槽；以及执行选择外延生长以在凹槽中生长半导体材料，从...

本发明公开一种一次性可编程(OTP)存储单元包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管具有：第一漏极、第一源极、第一栅极、以及高于第二晶体管的第二正常工作电压值的第一正常工作电压值。第二晶体管具有第二漏极、第二源极、以及第二栅极。将第一源极...

本发明公开一种读出放大器，其包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、以及第四NMOS晶体管。第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管...

一种电路，包括：第一反相器，包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；第二反相器，包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；第一节点，连接至第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的栅极以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极...

本发明公开了一种短路虚拟测试架构、解内嵌的方法及装置。短路虚拟测试架构包括一接地屏蔽层、至少二信号测试垫及一信号传输线。接地屏蔽层位于一基板上方。信号传输线位于接地屏蔽层上方及二信号测试垫之间。信号传输线电耦接到接地屏蔽层，且信号传输线...

一种系统，包括：夹具，在夹具的第一表面上具有固定环，第一表面和固定环为环形，固定环具有第一内圆周；压盘，具有第二表面，第二表面面向第一表面，并且能够通过操作与第一表面一起移动；以及空气区域，由第一内圆周进行限定，并且提供有效内圆周，有效...

一种低泄漏功率检测电路，并且具体地，涉及一种减小泄漏电流电路，包括传输门、反馈通道以及控制器，该控制器位于提供有第一电压电势的第一器件和提供有第二电压电势的第二器件之间。第一器件和第二器件之间的电势不匹配可能会导致产生流过第二器件的输入...

本发明公开了发光二极管封装基板及其制作方法，根据一实施例提供一种发光二极管发射器基板的制作方法，包括在一硅基板上形成多个穿硅导孔；沉积一介电层于硅基板的一第一侧与一第二侧上以及于穿硅导孔的侧壁表面上；于位于硅基板的第一侧与第二侧上的介电...

本发明公开了一种集成电路器件和形成该集成电路器件的方法。所公开的方法提供了用于在半导体器件中形成改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的工艺。具有改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的半导体器件可以防止或者降低缺陷，并且获得较...

公开了一种沟槽隔离结构和用于制作该沟槽隔离结构的方法。典型沟槽隔离结构包括第一部和第二部。第一部从半导体基板的表面至在半导体基板中的第一深度延伸，并且具有从在半导体基板的表面处的第一宽度至在第一深度处的第二宽度变窄的宽度，第一宽度大于第...

本公开提供一种图像传感器器件和形成图像传感器器件的方法。在实例中，图像传感器元件包括具有前表面和后表面的衬底；设置在衬底的前表面上的传感器元件，传感器元件可操作性地感应投射到衬底的后表面上的辐射；和设置在衬底的后表面上的透明导电层，透明...

本发明公开了一种存储器边缘单元，并且，具体地涉及一种电路，该电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管。该PMOS晶体管和NMOS晶体管被配置用于提供具...

本发明关于集成电路制造，更具体地说是关于金属栅极结构。CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底，该衬底包括P-有源区域，N-有源区域，和插入所述P-有源区域和所述N-有源区域之间的隔离区域；在P-有源区域上方的P-金属栅电极，P-金属栅电...

用于制造半导体器件的方法包括在半导体基板上形成多个栅极结构。将多个栅极结构配置在多条线路中，其中，在线路之间的端间间隙小于在线路之间的线间间隔。该方法进一步包括：在栅极结构的上方形成蚀刻停止层，在栅极结构的上方形成层间电介质，以及在形成...

一种消除错误缺陷检测方法与系统，该方法用以检查一制造产品，包括一第一测试单元将一第一测试制范应用在制造产品中，用以鉴别产品缺陷，其中第一测试制范产生缺陷候选者的一第一集合；一第二测试单元将一第二测试制范应用在制造产品中，用以鉴别产品缺陷...

一种带有多个保持器的存储电路，包括：多个第一存储阵列，以列的方式进行布置；多个第一保持器，每个第一保持器都与多个第一存储阵列中对应的一个相电连接；第一限流器，与多个第一保持器相电连接，并且多个第一保持器共享第一限流器；以及多个第一扇面开...

本发明公开了一种用于存储器的跟踪方案，其中公开了具有用于读取跟踪操作的跟踪电路的存储器，该存储器包括存储器位单元阵列、跟踪列、跟踪行，与存储器位单元阵列和跟踪行连接的读出放大器行和读出放大器启动逻辑。该存储器进一步包括与跟踪列和读出放大...