一种集成电路，包括：信号线，在第一方向上布线；第一屏蔽图案，设置为与信号线基本平行，第一屏蔽图案具有：具有第一尺寸的第一边缘和具有第二尺寸的第二边缘，第一边缘与信号线基本平行，第一尺寸大于第二尺寸；以及第二屏蔽图案，设置为与信号线基本平...

本发明提供了微器件。器件包括微电子机械系统(MEMS)可移动结构，位于MEMS可移动结构上的多个金属环，以及位于MEMS可移动结构上的压电元件。前部覆盖晶圆和背部覆盖晶圆与MEMS结构接合，前部覆盖晶圆和背部覆盖晶圆封装MEMS可移动结...

一种方法包括进行在封装结构上的第一芯片切割，并且包括形成在封装结构的沟槽中延伸的第一金属引线和第二金属引线，其中，所述第一金属引线和所述第二金属引线与在封装结构的装置中的接触焊盘的侧边缘接触。第一金属引线和第二金属引线通过连接金属部互相...

一种用于射频发射机的静电放电电路，包括：可控硅整流器(SCR)，电耦合至功率放大器的输出；ESD检测电路，响应于在ESD总线上检测到静电放电来触发SCR；以及ESD箝位电路，耦合至第一电压线。

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括基板及形成在基板上的内连线结构。内连线结构具有多个金属层。第一区及第二区各自延伸通过内连线结构及基板。第一区及第二区彼此不重叠。半导体装置包括在第一区上设置有多个接合焊盘(bond?...

本发明是有关于一种微电子装置的形成方法。此方法包含在第一基板上形成接合垫；在第一基板上形成接线垫；在第一基板上、接线垫的侧壁与顶面上以及在接合垫的侧壁形成保护层，以至少部分地暴露接合垫的顶面；借由接合垫接合第一基板与第二基板；打开第二基...

一种电路包括具有接地参考节点的存储器单元，与接地参考节点连接的开关，和具有与开关连接的输出端的模式转变电路。模式转变电路被配置成自动使输出端的逻辑状态在第一输出逻辑状态和第二输出逻辑状态之间改变以响应工作电压和/或温度中的变化，从而自动...

本发明提供一种具旁路电容器的变压器及其制造方法，该变压器包括：一第一线圈，建构于一半导体基质上的一第一金属层，该第一线圈具有一第一片段以及一第二片段；一第二线圈，建构于该第一金属层，该第一片段与该第二线圈的一第一部位相邻，而该第二片段与...

本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基板，源极，漏极，和栅极，和堆叠在晶体管上的熔丝。熔丝包括与晶体管的漏极连接的阳极触点，阴极触点，和通过第一肖特基二极管和第二肖特基二极管分别与阴极触点和阳极触点连接的电阻器。也提供了一种制造...

本发明提供用于晶圆级测试的探针卡。探针卡包括其中置入了电源线、接地线、和信号线的空间转换器，其中所述空间转换器包括各种导线，该导线具有在第一表面上的第一间距和在第二表面上的第二间距，第二间距基本上小于第一间距；接近所述空间转换器的所述第...

本发明提供了一种用于多重图案化技术的单元布局的系统和方法。把将要进行图案化的区域划分为对应于各个掩模的交替区域。在布局工艺期间，位于沿着单元的边界的位置上的区域被限制为具有与边界区域相关联的掩模中的图案。当布置时，将单个单元布置为使得邻...

本发明公开了不含有抗粘附层的接合和接合方法。示例性的方法包括形成第一接合层；形成位于第一接合层上方的隔层；形成位于隔层上方的抗粘附层；以及从第一接合层和隔层形成液体，使得抗粘附层在所述第一接合层上方漂浮。当抗粘附层在第一接合层上方漂浮时...

本公开提供了一种包括发光器件和接近发光器件排布的发光材料的照明系统。发光材料包括被铈(Ce3+)和铈(Ce3+)和锂(Li+)之一掺杂的氮化锶硅(SrSi6N8)。

本发明提供一传输线、用于去嵌入晶片上装置的测试结构及晶片。在一实施例中，此传输线包含一基材、一阱位于此基材中、一屏蔽层位于此阱上及多个中间金属层位于此屏蔽层上，且这些中间金属层彼此借由多个通孔相互耦接。此传输线还包含一顶金属层于这些中间...

一种器件，包括：中介层和射频(RF)器件，射频(RF)器件接合到中介层的第一侧。中介层包括第一侧和第二侧，第二侧相对于第一侧。中介层中没有形成中介层通孔。第一无源器件形成在中介层的第一侧上，并且电连接到RF器件。第二无源器件形成在中介层...

本发明的实施例包括一种切割半导体结构的方法。在半导体衬底上方提供器件层。器件层具有第一芯片区域和第二芯片区域。划线区域位于第一芯片区域和第二芯片区域之间。保护层形成在器件层上方。从而形成在半导体衬底的上方。对划线区域之上的保护层进行激光...

本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光...

本发明提供一种封装结构，其包括：一基底，其包括一对第一平行边以及一对第二平行边，其中该基底包括至少一边角区与至少一中央区；至少一第一晶粒，其设置于该基底的该中央区上，该第一晶粒包括一对第三平行边与一对第四平行边；以及至少一第二晶粒，其设...

一种字线跟踪驱动器电路，包括：第一NMOS晶体管，含第一NMOS栅极、第一NMOS漏极、第一NMOS源极；第二NMOS晶体管，含第二NMOS栅极、第二NMOS漏极、第二NMOS源极；第三NMOS晶体管，含第三NMOS栅极、第三NMOS漏...

本公开涉及用于工艺增强的参数化虚拟单元插入及其制造方法。根据一个或多个实施例，该方法包括：提供具有限定像素单元的集成电路(IC)设计布局；仿真包括每个像素单元的IC设计布局的热效应；生成包括每个像素单元的IC设计布局的热效应图；为IC设...