一种形成集成电路结构的方法，包括：在层间电介质(ILD)中提供栅极带。栅极带包括高k栅极电介质上方的金属栅电极。电传导结构形成在栅极带上方，且导电带形成在电传导结构上方。导电带的宽度比栅极带的宽度大。接触插塞形成在导电带上方，并被附加I...

一种系统，包括计算机可读存储介质和处理器。计算机可读存储包括代表用于模制和/或制造半导体器件的第一类型的输入/输出(“I/O”)单元的数据。第一类型的I/O单元包括用于提供第一多种功能的电路。处理器与计算机可读存储介质进行通信，并且被配...

本发明公开了一种用于传输信号的系统和方法。一个实施例包括平衡-不平衡变压器，比如Marchand平衡-不平衡变压器，具有带有主线圈和第一次级线圈的第一变压器，以及带有主线圈和第二次级线圈的第二变压器。第一次级线圈和第二次级线圈连接到接地...

本发明一实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括一基板，具有一密封环区与一电路区；至少一角落凸块，配置于电路区中；一密封环结构，配置于密封环区中；以及一连接结构，电性连接密封环结构的一金属层与至少一角落凸块，至少一角落凸块...

本发明涉及一种制造LEDs的方法，该方法在向台面结构上沉积有源层和其余外延层之前，通过为n-掺杂的外延层形成图案和蚀刻来形成n-掺杂层粗糙的表面区域以及临近粗糙的表面区域的台面结构。该方法包括生长LED的外延层，该外延层包括非掺杂层和在...

公开了一种FinFET器件以及制造FinFET器件的方法。示例性方法包括提供半导体基板；在半导体基板上形成第一鳍片结构和第二鳍片结构；在第一鳍片结构和第二鳍片结构的一部分上形成栅极结构，使得栅极结构跨过第一鳍片结构和第二鳍片结构；在第一...

用于减少栅极电阻的接触结构及其制造方法。一种衬底上具有栅极且栅极与源极/漏极(S/D)相邻的半导体器件。第一介电层覆盖栅极和S/D区域，第一介电层具有位于S/D区域上的第一接触孔且第一接触插塞由第一材料形成，第一接触插塞与各自的S/D区...

一种用于形成薄膜的蒸发喷射沉积装置包括处理室、流体线以及在处理室附近与流体线连接的喷射头。流体线被设置成向喷射头传输聚合物流体和溶剂混合物。喷射头被设置成接收聚合物流体和溶剂混合物并且雾化该聚合物流体和溶剂混合物，从而以基本上蒸发的形式...

一种集成电路系统，具有中介层以及集成电路，该集成电路具有第一接合焊盘和第二接合焊盘，第一集成电路使用第一接合焊盘管芯接合到中介层；该集成电路还具有电路模块，该电路模块在不同的工作电压下运行，该集成电路还具有电压调节模块，管芯接合于集成电...

公开了用于有效检测小延迟缺陷的系统和方法。该方法首先加载集成电路的布局信息。然后，集成电路的网络和路径基于其物理信息分成两个组。该物理信息包括各路径和各网路的长度以及各路径和各网络的通孔的数量。将时间感知自动测试模式生成器配置成第一组生...

本发明提供一种带状线，所述带状线包括：接地层，在上述衬底上方延伸穿过多个介电层；信号线，在上述衬底的上方，并且位于上述接地层的一侧；第一多条金属带，在上述信号线的下面，并且位于第一金属层中，其中上述第一多条金属带彼此平行，并且彼此以间隔...

本披露提供了半导体器件，包括：基板，具有密封环区域和电路区域；密封环结构，设置在密封环区域之上；第一钝化层，设置在密封环结构之上，第一钝化层具有在密封环结构之上的第一钝化层孔；以及金属焊盘，设置在第一钝化层之上，金属焊盘通过第一钝化层孔...

本发明提供了一种用于光刻图案化工艺中的抗蚀剂。该抗蚀剂包括：聚合材料，具有多个拉链状分子，每个拉链状分子都包括第一拉链状部分和第二拉链状部分，其中，第一拉链状部分和第二拉链状部分都包括多个拉链状支链，多个拉链状支链成对键合在一起，并且能...

一种存储器单元(100)包括一晶体管，晶体管包括：一基板(101)；一第一源极/漏极区(102)；一第二源极/漏极区(112)；一栅极(104)；及一栅极绝缘层(103)，设置于基板(101)及栅极(104)之间；其中栅极绝缘层(103...

发光二极管(LED)灯包括：散热器，具有至少部分地通过散热器的鳍片和鳍片上方的盖板限定的多个被动气流管。散热器包括：主体，具有腔体；多个鳍片，从主体向外呈辐射状展开；以及盖板，覆盖鳍片。每个被动气流管都包括用于气流的顶部开口和底部开口。...

公开了一种相变化存储器单元及其形成方法，该方法包括：在具有第一、第二、及第三介电层的第一结构上形成通过该第三介电层及该第二介电层的冠状结构；第四介电层沉积在该第一结构上，因此该第四介电层在该冠状结构上；移除该第四介电层的一部分，以形成具...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一第一掺杂区和一第二掺杂区，两者形成于一基板中，上述第一掺杂区和上述第二掺杂区具有相反导电类型的掺质。一第一栅极，形成于上述基板上方，上述第一栅极部分重叠于上述第一掺杂区的一部分和...

本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；在衬底上延伸的、在接触焊盘上具有开口的钝化层；和在钝化层的开口上方的导电柱，其中，导电柱包括与衬底基本垂直的上部和具有锥形侧壁的下部。

本发明涉及存储器元件和快闪存储器阵列读取操作方法及其结构，该存储器元件读取操作方法，适用于包括多个快闪存储器单元的存储器单元，包括：施加第一电压偏压至选取的存储器单元的控制栅极；施加第二电压偏压至电性连接至选取的上述存储器单元的第一字线...

一种时钟和数据恢复(CDR)电路包括边沿检测器、边沿选择器以及相位选择器。将所述边沿检测器设置为检测串行输入数据的边沿和提供边沿检测结果。利用多个时钟相位过采样所述串行输入数据。将为恢复的时钟选择其中一个所述多个时钟相位的所述边沿选择器...