本发明涉及高效发光二极管装置及其制造方法。依据一个或多个实施例，发光二极管装置包含一基板，其具有一个或多个凹陷特征形成于上述基板的表面上，以及形成一个或多个全方位反射器以覆盖在一个或多个上述凹陷特征上方。一发光二极管层形成于基板的表面上...

本发明公开一种形成集成电路的方法，包括提供晶片以及粘附在晶片上的胶带，其中胶带具有垂直于第一方向的主表面。使用光线对胶带进行曝光以使其失去粘附力。在对胶带进行曝光的步骤中，旋转晶片和胶带，和/或使光线倾斜地投射到胶带上，其中光线的主投射...

本发明公开一种半导体芯片，其具有一半导体基底；一第一导电接垫，形成于基底上方；一第二导电接垫，形成于基底上，且比第一导电接垫更远离半导体芯片的几何中心；一第一凸块下方金属结构，形成于第一导电接垫上方；以及一第二凸块下方金属结构，形成于第...

半导体器件具有焊料凸块下方且电连接至焊料凸块的UBM(底部凸块金属化)结构。UBM结构包括具有第一截面尺寸d1的第一金属化层、形成在第一金属化层上的具有第二截面尺寸d2的第二金属化层和形成在第二金属化层上的具有第三截面尺寸d3的第三金属...

本发明提供一种在半导体晶片中用来进行晶片测试的接合焊盘结构以及具有该接合焊盘结构的晶片。上述接合焊盘结构包括至少两个金属接合焊盘，彼此之间借由在一个或多个绝缘层中的多个导电通孔互相连接。与最底端的金属接合焊盘相接触的多个接触条，其实质上...

提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括电阻器和电压保护器件。所述电阻器具有螺旋形状。所述电阻器具有第一部分和第二部分。所述电压保护器件包括与所述电阻器的所述第一部分电连接的第一掺杂区域。所述电压保护器件包括与所述电阻器的所述第二部分电...

本发明提供一种用于提高电容器容量和兼容性的方法和装置，其包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的隔离结构、设置在隔离结构上方的导电层、设置在隔离结构上方的电容器，该电容器包括顶部电极、底部电极以及设置在顶部电极和底部电极之间的电介质，该半导...

本发明涉及一种设计集成电路的方法，此方法包括：提供在第一尺寸级上的集成电路的设计，其中此集成电路包含有可缩小的电路和不可缩小的电路，可缩小的电路包括有第一知识产权(Intellectual?Property；IP)，不可缩小的电路包含有...

本发明提供一种LED灯条模块的连接器与散热器的组装及其形成方法，在该形成方法中，其防水连接器-散热器组装采用射出成型法包括选用热膨胀系数搭配的散热器与射出成型材料。将散热器与连接器针脚置于射出模具中。当射出成型材料硬化后，连接器的射出成...

本发明公开一种具有补偿电路的读出放大器。该补偿电路包括至少一对补偿晶体管。当需要补偿时，向该至少一对补偿晶体管基极的其中之一或组合提供补偿电压的一个或组合。

一种晶体管包括被浅沟槽隔离层覆盖的带凹口的鳍片。可使用一个或多个凹口，凹口的尺寸可沿着鳍片的横向方向变化。在一些实施例中，使用根据硅取向选择性的各向异性湿法蚀刻形成凹口。示例性的湿法蚀刻剂为四甲基氢氧化铵(TMAH)或氢氧化钾。

一种器件，包括具有第一表面和处于第一表面对面的第二表面的衬底。衬底通孔(TSV)从衬底的第一表面延伸到第二表面。介电层位于衬底上。金属焊盘位于所述介电层中并与TSV物理接触，其中金属焊盘和TSV由相同的材料形成，其中没有层(由与所述相同...

第一反相器的输入端被配置为用作输入端节点。第一反相器的输出端连接至第二反相器的输入端。第二反相器的输出端被配置为用作输出端节点。第三反相器的输入端连接至第一反相器的输入端。第一NMOS晶体管的栅极连接至第三反相器的输出端。第一NMOS晶...

在控制晶片背面研磨的系统及背面研磨方法中，采用的工作台具有表面，可在背面研磨工艺中支撑半导体晶片。工作台表面中具有一个或多个孔洞，而位于这些孔洞中的一个或多个传感器可监测背面研磨的参数。计算机工艺控制工具可耦接至传感器以接收其输出信号，...

一种影像传感器装置。该装置包含：半导体衬底，具有像素区与周边区；光传感元件，形成于该像素区中；至少一个晶体管，形成于该像素区与该周边区中，具有源/漏极区；第一氧化层，在该源/漏极区形成之前形成，且覆盖于该光传感元件上；以及第二氧化层，在...

一种用于测量测试电容器电容的电容器测量电路，包括：第一晶体管，具有第一源极-漏极路径，该第一源极-漏极路径连接到测试电容器的第一电容器极板和地电位之间；第二晶体管，具有第二源极-漏极路径，该第二源极-漏极路径连接到测试电容器的第二电容器...

本公开关于一种鳍片场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括具有顶面的基板；在基板顶面上并具有锥形顶面的第一绝缘区域和第二绝缘区域；延伸在第一和第二绝缘区域之间的基板顶面上的基板的鳍片，其中鳍片包括凹陷部分，其具有低于第...

本发明提供了一种使图案化衬底退火的快速热退火方法和系统，其可以使对衬底温度非均匀性的图案效应最小化。快速热退火系统包括前侧加热源和背面加热源。快速热退火系统的背面加热源提供使衬底温度升高至峰值退火温度的主要热量。前侧加热源提供热量使靠近...

耐高压驱动器(耐高压反相器电路)，包括：第一PMOS晶体管，源极连接至VDDQ，漏极连接至第一节点；第二PMOS晶体管，源极连接至第一节点，漏极连接至输出端；第一NMOS晶体管，源极连接至VSS，漏极连接至第二节点；第二NMOS晶体管，...

本发明公开一种半导体芯片的测试结构及应用于测量电介质特性的方法，其中该测试结构用于测量一尚未封装的半导体芯片，包括一施力部件与该半导体芯片的一内连线结构耦接，可操控该施力部件以施加一力于该半导体芯片之上；以及第一以及第二测试部分与该内连...