一种发光二极管的制造方法，包括：一种发光二极管形成于一蓝宝石基板之上，该蓝宝石基板可借由研磨与接着蚀刻而自该发光二极管处移除。该蓝宝石基板采用单一或多重研磨料而先研磨至一第一特定厚度。借由干蚀刻或湿蚀刻以移除剩余的蓝宝石基板。本发明可改...

本发明提供集成电路装置及形成集成电路装置的方法，所述装置包含第一导电性的半导体基材，其中此半导体基材包含第一表面和相对于第一表面的第二表面。穿透基材介层窗由此半导体基材的第一表面延伸到第二表面。具有相对于第一导电性的第二导电性的一井区围...

本发明公开一种位于基板上的元件区域以及设计元件布局的方法，本发明所公开的电路布局，元件结构，以及各种相关技术运用虚拟元件(dummy?device)使边缘结构中虚拟元件的扩散区域(diffusion?region)获得延伸，并允许设计规...

本发明提供一种检测位错误率的电路与系统以及检测抖动容忍度的方法。检测位错误率的电路包含抖动调变电路、多相位时脉产生器以及相位选择区块。检测位错误率的系统包含传送器、接收器、数据比较器以及抖动调变器电路。在检测抖动容忍度的方法中，首先产生...

一些实施例关于存储器阵列，该存储器阵列包括排列成行和列的多个eFuse存储器单元，多个位线，以及多个字线。列包括位线选择器，与位线选择器连接的位线，以及多个eFuse存储器单元。该列的eFuse存储器单元包括PMOS晶体管和eFuse。...

一种晶圆级封装的方法包括：提供具有埋氧层和顶部氧化层的基板，以及蚀刻基板，以在埋氧层上形成开口和在开口之间形成微型机电系统(MEMS)谐振器元件，MEMS谐振器元件被包围在埋氧层，顶部氧化层，以及侧壁氧化层中。该方法进一步包括：使用多晶...

一种集成电路，包括高边驱动器和低边驱动器。高边驱动器与低边驱动器电连接。电路与高边驱动器和处于高边驱动器和低边驱动器之间的第一节点电连接。在三态模式期间，如果高边驱动器离开其截止区，则将电路配置成基本关闭高边驱动器。

本发明公开一种减少金属凸块结构下金属层底切现象的方法，于附有基板的晶片上形成下金属层，该下金属层包括一叠于基板之上的阻挡层与一叠于阻挡层之上的籽晶层。接着将金属凸块直接生长于下金属层的第一部分之上；其中，下金属层的第二部分未被金属凸块覆...

一种存储器宏，包括多个存储器阵列段，每个存储器阵列段都具有预定数量的数据输入端和输出端。段解码器电路配置为：接收指示存储器的分区数量的第一值，其中，存储器阵列段将被分割，并且基于第一值，输出多个信号，用于选择性地激活将要被存取的多个存储...

本发明提供一种半导体工艺处理系统及方法，适用于减少对于一半导体晶片在执行背面研磨胶带贴片工艺过程中所产生的工艺缺陷，该系统包括：平台，具有一个或多个孔洞在其中形成，其中平台为工作盘或支撑台，以及其中孔洞和发生预先背面研磨胶带贴片工艺时的...

一种电平移位器，包括：第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，其栅极分别连接到反相的电路输入和电路输入，其源极接地，其漏极分别连接到电路输出和反相的电路输出。第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极分别连接到反相的电路输出和电路输出...

一种片上系统半导体电路，包括：一逻辑电路，该逻辑电路具有至少一带有一薄栅极介电材料的第一晶体管；至少一连接该逻辑电路的动态随机存取存储器单元，该至少一动态随机存取存储器单元具有至少一存储电容和至少一厚栅极介电材料的存取晶体管；及，一与该...

本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上...

本发明公开了一种扫描设备，用以对一待测物进行检测，包括一轨道、一探测头、一连接装置以及一转位单元。该连接装置连接该轨道以及该探测头，该连接装置包括一推送单元，该推送单元连接该轨道，使该连接装置及该探测头沿该轨道滑动。转位单元连接于该探测...

上述在基板上形成SiC结晶的机构实现了在同一基板上形成和集成GaN基器件和Si基电子器件。通过向Si基板区域中注入碳和随后退火基板形成SiC结晶区域。在SiC结晶区域形成过程中使用注入停止层以覆盖Si器件区域。

一种包括具有正面和正面对面的背面的基板的器件。电容器形成在基板中并且其包括第一电容板；环绕第一电容板的第一绝缘层；和环绕第一绝缘层的第二电容板。第一电容板，第一绝缘层，以及第二电容板的每一个都从基板的正面延伸到背面。

本发明是有关于一种制备自我对准隔离区的方法，其制备多个自我对准隔离区于一基材上的二个邻近感测元件间，以降低邻近感测元件间的串音(Cross-talk)(或散辉现象(Blooming))。此些方法使用氧化物植入掩膜，来形成深掺杂区且也形成...

一种方法，包含确定数个集成电路的数个模型参数与数个电参数之间的映射。模型参数配置为供模拟工具所使用。提供电参数组，且上述的映射用以将所述电参数组映射至模型参数组。

本发明提供一种半导体装置及其制法，特别是关于一种焊料柱状凸块。通过电镀导电材料于集成电路端点之上，以形成导电材料的柱状物，亦即柱状凸块连接点系形成于输出/输入端点之上。柱状凸块的底端部分具有比上段部分更宽的宽度。柱状凸块的底部部分的剖面...

本发明一实施例提供一种集成电路元件与双极结晶体管。集成电路元件包括：一半导体基板；一鳍状结构，配置于半导体基板上，鳍状结构具有一集极部、一射极部与一基极部，基极部位于集极部与射极部之间，其中：集极部为一第一掺杂区，第一掺杂区包括一第一型...