本发明提供一种检测光学微影光罩的方法及系统与装置，其中接收到一设计数据库，并通过一偏向因子(Bias?Factor)来调整此设计数据库的一图形，以产生被偏置的数据库(Biased?Database)。对此被偏置的数据库进行影像显示(Im...

本发明揭露一种时序电路与控制信号时序的方法。所述时序电路包含TDC(Time?to?Digital?Conversion，时间数字转换)电路、校正模块与修正模块。TDC电路是配置来提供时序信号指针，时序信号指针是指示周期参考频率信号与可...

本发明涉及一种随机存取存储器，包括一单元阵列、至少一切断单元以及一个或多个电源开关。单元阵列具有多个位单元。至少一切断单元用以将单元阵列切分为一个或多个位单元阵列，其中切断单元用以分离一第一电压的连接以及一第二电压的连接。一个或多个电源...

本发明提供半导体装置及形成发光二极管元件的方法。上述半导体包含了一基板，其具有相反的第一侧边和第二侧边。一第一放热元件形成于此基板的第一侧边上，一第二放热元件形成于基板上与该第一放热元件共平面的第一侧边，但不接触第一放热元件。一散热器利...

本发明提供半导体元件的形成方法，首先形成开口于基板上，开口在靠近基板表面的部分具有第一宽度，在远离基板表面的部分具有第二宽度，且第二宽度大于第一宽度。接着将导电材料填入开口中以形成金属栅极。至此形成的半导体元件，其金属栅极结构具有不同的...

本发明提供一种电压移转器包括动态偏压电流源电路、第一与第二单向电流导通装置、第一与第二下拉装置以及上拉装置。动态偏压电流源电路接收第一电压。第一与第二单向电流导通装置耦接至动态偏压电流源电路。第一与一第二下拉装置分别耦接至第一与第二单向...

本发明包括半导体存储器以及位元单元追踪方法。一种半导体存储器的第一区段包括：第一存储器存储组，包括多个以行列排列的第一存储器单元以及配置在第一追踪行的第一追踪单元。第二存储器存储组，包括多个以行列排列的第二存储器单元以及配置在第二追踪行...

本发明公开了一种复合晶片半导体元件，其包含第一晶片和第二晶片。第一晶片具有第一侧与第二侧，而第二侧是实质相对于第一侧。复合晶片半导体元件亦包含隔离组与自由空间，其中隔离组是形成于第一晶片的第一侧，且于隔离组中蚀刻出上述自由空间。第二晶片...

本发明提供一种双极性晶体管(bipolar?junction?transistor，BJT)装置及其形成方法。在一实施例中，双极性晶体管装置包括：具有集电极区(collector?region)的半导体基板，及暴露在半导体基板上的材料层...

一种制造光电构件封装物的晶片级方法，其中光电构件安装于具有位于晶片的相对侧的第一与第二表面(118，119)的一半导体晶片(175)上。上述方法包括蚀刻介层物(122)于该半导体晶片的该第一表面(118)内。第一表面与该介层物内的表面经...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，本发明提供的一种采用裸片边缘接点的半导体元件。集成电路裸片具有沟槽的后保护层，而沟槽填有导电材料且自接点延伸至裸片边缘以形成裸片边缘接点。沿着裸片边缘，可视情况形成穿透基板通孔。这将使沟槽中的导电...

一种芯片接合的方法，包含提供第一工件，以及将第二工件附着在第一工件上，焊料凸块设置在第一工件与第二工件之间，使用加热工具的加热头加热第二工件，熔融焊料凸块，在加热第二工件的步骤之后，允许第一工件与第二工件中的一个在水平方向自由地移动，以...

一种半导体器件及一用于此半导体器件的栅极堆叠的制造方法。此器件包括一栅极堆叠，其具有一设置于此器件的沟道区上的栅极绝缘层及一借由此栅极绝缘层与沟道区绝缘的金属层。此金属层包含功函数调控杂质，其具有从源极区至漏极区沿着金属层的长度而变化的...

本发明一实施例提供具有不对称的应变源极/漏极区的半导体元件与其形成方法，包含提供基板并形成多晶硅栅极堆叠于基板上。接着以垂直基板的方向为准，倾斜约10°至25°进行注入工艺。接着形成侧壁间隔物于基板上的多晶硅栅极两侧。蚀刻基板中的源极/...

本发明公开了一种装置，其包括基板和对准标记，所述对准标记包括穿透所述基板的导电基板通孔(TSV)。本发明还公开了一种形成该器件的方法。通过本发明的方法和器件，基板上的基板通孔对准的准确度高。

一种存储器包括存储器单元、两条与存储器单元相连接的字线、两条与存储器单元相连接的位线、以及写辅助单元。当一条字线用于写操作、另一条字线用于读操作、两条字线同时生效时，写辅助单元被配置为将处于写操作的一条位线的数据传送给处于读操作的另一条...

一种方法包括从非易失性存储器中的多个存储器位单元的子集中读取数据。该数据显示出至少一个单个损坏的位单元的地址。该方法进一步包括将数据直接装入寄存器中，接收将要进行访问的数据的地址，确定接收到的地址是否是任一单个损坏的位单元；以及如果接收...

本发明提供一种集成电路装置，包括一裸片，其包括一金属垫；一保护层；以及一图案化缓冲层，位于上述保护层的上方，其中上述图案化缓冲层包括彼此隔开的多个分离部分；一焊球下金属层，位于上述图案化缓冲层的一开口和上述保护层的一开口中；一金属凸块，...

本发明是有关于一种半导体组件及形成多位鳍状场效晶体管组件的方法。所述半导体组件包括多个组件内绝缘区以及多个半导体鳍部，其中前述组件内绝缘区具有第一高度，前述组件内绝缘区是将前述半导体鳍部沿着水平方向各自分开设置。半导体鳍部的一部分是设于...

本发明提供一种半导体组件，包含半导体基板。半导体基板具有主动区、栅电极以及栅接触窗插塞。栅电极位于主动区的正上方上。栅接触窗插塞位于栅电极上，且电性耦合于栅电极。栅接触窗插塞包含至少一部分位于主动区的正上方上，且垂直重叠主动区。