本发明一实施例提供一种半导体元件及其形成方法，其中半导体元件的形成方法包括：提供一基底；于该基底上形成一焊料凸块；将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，具体是一种测定底胶扩展的系统和方法。该方法包括顺应着一基底的一上表面形成遮覆标记；将一半导体基底贴合至基底的上表面；将底胶材料置入半导体基底与基底之间；以及利用遮覆标记来测定基底的上表面上方的底胶...

本发明提供一种薄化晶片的方法，该方法包括借由一粘着剂结合一晶片于一载体上与执行一薄化工艺于该晶片上。于该执行该薄化工艺的步骤之后，移除该粘着剂未被该晶片覆盖的一部分，而不移除该粘着剂被该晶片覆盖的部分。本发明的方法降低了对总晶片厚度变异...

本发明公开一种集成电路以及集成电路方法，其中该集成电路包括静态随机存取存储器阵列，耦接至第一电压供应节点以及第二电压供应节点。第一以及第二电压供应节点提供保存电压跨接于静态随机存取存储器阵列。电流限制器，配置于静态随机存取存储器阵列以及...

本发明揭露一种集成电路、装置及其制造方法。此集成电路包含存储阵列电路，此存储阵列电路具有数条位线，这些位线是以一共享布局间隙高度来耦接至数条位存储单元列。此存储阵列电路包含数个次阵列、数条多重分开位线以及感应放大器。在制造方法中，首先提...

本发明提供了接合晶片至具有面向基板或载具的薄板的表面轮廓为可就由借由重新塑形、高度调整器、增加垫片、或借由区域温度控制而得到修改的基板接合系统及接合系统设计的修改方法。该基板接合系统包括：上部构件，其中该上部构件包括上部本体和上部薄板；...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置及其制造方法是一种具有外延层的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括一基底，其内形成一沟槽且沟槽下方形成一凹口。凹口的侧壁具有(111)晶面取向(crystal?orientation...

一种方法包括：提供载体，该载体上设置有粘结层；以及提供管芯，该管芯包括第一表面、相对于第一表面的第二表面。管芯进一步包括邻近第二表面的多个接合焊盘；以及多个接合焊盘上方的介电层。该方法进一步包括：将管芯置于粘结层上，使得第一表面面向粘结...

本发明揭示一种装置及其制造方法，该装置包括：一第一芯片，具有一第一侧及与其相对的一第二侧，第一侧具有一第一区及一第二区，且一第一金属凸块形成于第一芯片的第一区上，具有一第一平面尺寸。一第二芯片通过第一金属凸块而接合至第一芯片的第一侧。一...

本发明提供一种凸块结构的形成方法及装置，其中该方法包含提供第一工件，其包含具有上表面的介电层，面对第一工件放置第二工件，放置加热工具接触第二工件，以及使用加热工具加热第二工件，进行回焊工艺，在第一与第二工件之间的第一焊锡凸块熔融，形成第...

本发明提供一种字符线译码器、内存装置与其电路布局的布置方法。字符线译码器包含驱动电路、字符线、主要输入线、次要输入线、区域译码线、译码线与丛集译码线。在此布置方法中，首先提供驱动器丛集，其包含驱动电路，每一驱动电路的输出是提供字符线中的...

一种输送装置，包括一本体、至少一滚轮、至少一承载架以及至少一微减震单元。本体包括一支撑结构以及一承载结构，该承载结构连接该支撑结构。滚轮连接于该本体。承载架由该承载结构所承载。微减震单元设于该承载架与该承载结构之间。应用本发明的输送装置...

本发明公开一种内连线结构及其制作方法，该内连线结构，包括一第一栅极电极，具有一第一功函数金属层的一第一部分，第一部分位于一信号金属层的一第一部分之下；以及一第二栅极电极，具有第一功函数金属层的一第二部分，第二部分插置于一第二功函数金属层...

本发明公开了一种用以产生与放大差动信号的电路与方法。关于电路的一些实施例包含：第一左晶体管，其具有第一左汲极、第一左闸极和第一左源极；第二左晶体管，其具有第二左汲极、第二左闸极、和第二左源极；第三左晶体管，其具有第三左汲极、第三左闸极和...

本发明提供一种静态随机存取存储器，该静态随机存取存储器包括：至少二存储器单元，共用一读取位元线以及一写入位元线。各存储器单元耦接至各别的读取字线以及各别的字线。一写入追踪控制电路，耦接至上述存储器单元以决定上述存储器单元的一写入时间。上...

关于存储阵列的多个实施例，该存储阵列具有多个行和列。每列包括可编程控制器件，该列中的多个电熔丝存储单元，读出放大器，以及与可编程控制器件连接的位线，该列中的多个存储单元，以及读出放大器。每行包括该行中的多个电熔丝存储单元，与该行中的多个...

本发明提供一种产生系统模型的方法与在此系统模型中传输数据的方法。在此产生系统模型的方法中，首先于模型化系统单芯片的系统方块为无计时功能性模型于无计时功能层级上。接着，使用无计时功能性模型于交易层级上来产生交易层级模型。然后，使用交易层级...

本发明提供一种半导体元件的制造方法及形成半导体元件的方法，半导体元件的制造方法在一些实施例中，进行背面退火程序，例如设置第一热源于基材的背面。在其他实施例中，使用第一热源结合一抗反射沉积层(ARD?layer)设置于基材之上。在又一实施...

一种布局系统，包括：布局单元，设置为基于特定工艺节点的库单元，将单元布置在半导体芯片的掩模设计中；非关键路径确定单元，设置为确定半导体芯片中的非关键路径；单元确定单元，设置为确定所述掩模设计中的一组单元，用于形成非关键路径的一部分并确定...

一种存储器阵列以及存储器阵列方法，该存储器包括由多行以及多列组成的多个存储器单元。上述多列中至少一列包括：一第一电源供应节点用以提供一第一电压，一第二电源供应节点用以提供一第二电压，多个内部供应节点耦接在一起并用以接收上述第一电压或上述...