本发明公开了一种半导体结构及形成元件的方法。本发明提供用于半导体元件的基底支撑架，在第一基底上形成有源支柱与伪支柱，使得伪支柱的高度大于有源支柱的高度，当第一基底接合至第二基底时，使用伪支柱作为支撑架可产生较佳的均匀性。在一实施例中，借...

本发明提供一种半导体元件的制造方法，其可改善电阻率下降效应和可靠度，包括：提供一半导体基板；形成一栅极介电质于该半导体基板上；形成一栅极于该栅极介电质上；形成一第一掩模层覆盖于该栅极上；形成一源/漏极区于邻接于该栅极；形成一源/漏极硅化...

本发明公开了一种电子元件及其制作方法，其中一实施例提供一种电子元件，包括一第一基板，具有一接点；一凸块底部金属结构，电性接触接点；以及一凹陷的导电柱，位于凸块底部金属结构上并电性接触凸块底部金属结构，凹陷的导电柱具有一形成于其中的凹槽，...

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法。在一实施例中，半导体结构包含具有组件区与对准区的基材；位于对准区中且具有第一深度D1的第一浅沟渠隔离(STI)特征；位于组件区中且具有第二深度D2的第二STI特征；具有图案化特征的对准标记...

本发明提供一种湿浸式光刻系统，包括：湿浸液体座架，用于包含湿浸液体；夹片台，用于将涂布有光致刻蚀剂的半导体晶片放置在该湿浸液体座架内；以及镜头，紧邻该湿浸液体座架并且可被放置用于通过该湿浸液体而将影像投影在该涂布有光致刻蚀剂的半导体晶片...

本发明实施例公开了一种半导体芯片及其制造方法，其中半导体芯片包含一导电凸块位于一半导体芯片上。提供一基材，其上具有一连接焊盘，该连接焊盘上具有一凸块下金属层。铜柱具有一顶面及凹型侧壁，该顶面具有一第一宽度。一镍层，具有一顶面及一底面，位...

本发明一实施例公开了一种半导体管芯与导电柱的形成方法，该半导体管芯包含导电柱位于半导体管芯上。首先提供基板。接合垫位于基板上，且导电柱位于接合垫上。导电柱具有上表面、边缘侧壁、与高度。盖层位于导电柱的上表面上，并沿着导电柱的边缘侧壁延伸...

本发明揭示一种具有对准标记的结构及堆叠装置的制造方法，该结构包括：一基底，具有一第一区及一第二区。一基底通孔电极(through?substrate?via，TSV)，位于基底内且穿过基底的第一区。一隔离层，位于基底的第二区，隔离层具有...

一种半导体结构及其制造方法、电阻结构，该半导体结构用以将一具有相邻元件和内连线的电阻的热量消散，包括：一半导体基底；一电阻，设置于半导体基底上；及一热保护结构，设置于电阻上。热保护结构具有多个散热单元，上述散热单元具有与热保护结构热导接...

本发明提供一种半导体装置与半导体元件的制法，制法包括：形成第一与第二凸起；形成第一结构占据第一凸起，且包括一非金属导电层，以及第一开口位于导电层之上；形成第二结构占据第二凸起，且包括：第二开口；以及顺应性沉积纯金属于第一开口与第二开口中...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法包含形成含有阻挡层及晶种层于阻挡层上的凸块下金属层；及形成掩模于凸块下金属层上。掩模覆盖凸块下金属层的第一部分，并借由掩模中的开口暴露出凸块下金属层的第二部分，其中凸块下金属层的第一部分包含阻挡...

本发明揭示一种集成电路组件及此集成电路组件的制造方法。所揭示的方法提供集成电路组件在表面近接与顶端深度的改量控制。在一实施例中，此方法通过形成轻掺杂源极与漏极(LDD)区来达成改良的控制，此LDD区作为一蚀刻终止。此LDD区可在进行来形...

本发明提供一种多鳍式静态随机存取存储器(SRAM)单元的布局。该SRAM单元包括半导体基底上的多个鳍式有源区，其中鳍式有源区包括一对相邻且具有第一间隔的鳍式有源区以及与相邻鳍式有源区间具有第二间隔的一鳍式有源区，该第二间隔大于该第一间隔...

本发明提供一种发光装置芯片封装物及支撑结构的形成方法，该发光装置芯片封装物包括：发光装置芯片；以及支撑结构，其中该发光装置芯片设置于该支撑结构之上，且其中该支撑结构具有用于提供该发光元件芯片的电性连结的一第一组贯穿硅介层物以及用于提供该...

一种图案化集成电路构件的光阻材料及方法，其使用紫外光以及极紫外光微影法。此方法包括提供基板；于基板上形成第一材料层；于第一材料层上形成第二材料层，第二材料层具有发光剂；以及曝光第二材料层的一或多个部分。

一种只读存储器单元阵列，包括多个鳍式有源区、多个栅极以及多个只读存储器单元。鳍式有源区形成于半导体基板上，沿着第一方向延伸。栅极形成于鳍式有源区，沿着第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。只读存储器单元由鳍式有源区以及栅极形成，并且编码...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该方法包括提供一具有第一表面的基板、形成一隔离结构，其部分设置于基板中且具有高于第一表面一阶梯高度的一第二表面、移除隔离结构的一部分以在其中形成一具有一底部表面，且以低于阶梯高度的距离与第一基板间隔...

本发明提供一种光伏电池以及半导体元件的制作方法，该光伏电池的制作方法包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面与一第二表面，该第二表面相对于该第一表面；在该半导体基板中形成一邻近该第一表面的第一掺杂区；进行一纳米压印工艺与一蚀刻...

本发明涉及一种具有调节接地节点的存储器单元、阵列及其存取方法。本发明涉及存储器阵列的实施例，包括：配置在多个行和多个列中的多个存储器单元；其中此多个列中的一列包括列接地节点；至少二电压源配置为选择性地耦接至此列接地节点；以及具有多个内部...

本发明提供一种包含中介层的半导体元件，其中中介层包括：一基板；以及至少一介电层形成于基板上。多个基板穿孔(TSVs)穿过基板。第一金属凸块形成于介电层中且与多个基板穿孔电性耦合。第二金属凸块位于介电层上。裸片埋设于介电层中且接合到第一金...