台湾积体电路制造股份有限公司专利技术

台湾积体电路制造股份有限公司共有17058项专利

  • 本发明提供预测半导体可靠度的方法与装置以及半导体测试系统。在一实施例中,预测半导体可靠度的方法包括接收半导体装置的劣化参数输入,以及根据此劣化参数输入并利用劣化方程式决定在经过一小段时间后劣化的多个偏压依存斜率值。此多个斜率值包括经过时...
  • 一种半导体装置及其制造方法,该装置包括:一基板,具有一密封环区与一电路区;多个假栅极,位于该基板的该密封环区之上;以及一密封环结构,设置于该密封环区内的所述多个假栅极之上。该制造方法包括:提供一基板,具有一密封环区与一电路区;形成多个假...
  • 一种探针卡及其制作方法以及测试半导体元件的方法,所述探针卡包括:一接触垫界面,包括多个正面接点与多个背面接点,正面接点与背面接点彼此电性连接,正面接点排列成同时电性连接一晶片上的多个芯片的各自的多个凸块,且背面接点排列成电性连接一测试结...
  • 本发明提供具有聚合物层的半导体装置及其制造方法。用于聚合物表面的两步骤等离子体处理包含一第一等离子体工艺用以使聚合物层表面粗糙化并释放出使结构松散一产生的松散结构污染物,及一第二等离子体工艺用以使聚合物层光滑或较不粗糙。可在第一等离子体...
  • 本发明的实施例改进基底的平坦度,其中基底的平坦度对于图案化和良率的提升相当的重要。在达到最终厚度或研磨所有的薄膜之前,使用化学机械研磨法平坦化基底。之后测量基底的轮廓和薄膜厚度,气体团簇离子束(gas?cluster?ion?beam,...
  • 本发明揭露一种具有泄漏与数据保存控制的电路及内存泄漏与数据保存的控制方法,所述电路包含在一第一内存阵列的至少一内存单元。此至少一内存单元耦合至一第一电源供应电压与一虚拟地。此电路包含一电流源与一NMOS晶体管。NMOS晶体管的漏极耦合至...
  • 根据实施例,一种半导体器件包括半导体晶片、中介层以及将半导体晶片结合至中介层的导电凸块。半导体晶片包括第一金属化层,并且第一金属化层包括第一导电图案。中介层包括第二金属化层,并且第二金属化层包括第二导电图案。一些导电凸块将第一导电图案电...
  • 一种器件包括硅衬底,以及在硅衬底之上并与其接触的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体区域。该Ⅲ-Ⅴ化合物半导体区域与硅衬底具有U形界面,U形界面的半径小于大约1000nm。
  • 本发明一实施例提供一种集成电路装置,包括:一第一工件,包括:一防焊层,位于该第一工件之上,其中该防焊层包括一防焊层开口;以及一接垫,位于该第一工件之上,且位于该防焊层开口之中;一第二工件,包括一不可回焊的金属凸块,位于该第二工件之上;以...
  • 本发明提供了在背照式半导体器件中减少暗电流的方法和器件。在一个实施例中,制造半导体器件的方法包括提供一种具有前表面和后表面的基板,和在基板中形成多个传感器元件,对多个传感器元件的每一个都进行配置成能够接收直接照在背表面的光。所述方法进一...
  • 本发明提供一种字符线驱动器电路,用以驱动在一内存阵列中的一字符线。此字符线驱动器电路包含一NAND电路具有一对地址输入与一输出;一输出反向器具有一反向器电源供应节点、一输入耦合至NAND电路的输出、以及用以提供一字符线信号的一输出;一电...
  • 本发明提供一种熔丝程序化电路及熔丝的程序化方法。该电路包括一电性熔丝,耦接于一MOS晶体管及一电流源节点之间,以及一感测控制电路,耦接于MOS晶体管的一栅极。感测控制电路用以接收一程序化脉冲以及输出一已修正程序化脉冲至MOS晶体管的栅极...
  • 本发明提供具有激光蚀刻通孔的半导体装置及其制造方法。在一实施例中,半导体装置的制造方法包含提供一具有一前侧及一后侧的基材,及提供一膜层于此基材的前侧上,此膜层具有与此基材不同的组成。此方法还包含控制激光功率及激光脉冲次数,以激光蚀刻出一...
  • 本发明提供一种基板布局,该基板布局包括:第一电源回圈(first?power?loop)的接地层(ground?plane),位于基板的一层上;第一线路轨(first?trace?rail),位于该层上且沿着接地层的一第一外围延伸;以及...
  • 本发明提供了一种位于基板上的沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其形成方法,其采用自对准接触物因而可降低沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管的间距尺寸。该晶体管结构包括:第一沟槽与第二沟槽,位于基板上,第一沟槽与第二沟槽衬覆有栅极介电...
  • 本发明公开了一种排列电流源单元的方法与应用此方法的电流源单元阵列。此电流源单元阵列包含多个电流源单元群组,每一电流源单元群组包含多个电流源单元。在排列电流源单元的方法中,首先提供初始的电流源单元阵列。接着,将电流源单元阵列中的电流源单元...
  • 本发明提供一种直立式电镀设备及其电镀方法,该设备包括用以对一晶片进行电镀,包括一电镀槽、一晶座以及一磁致动单元。电镀槽呈放一电镀液。晶座夹持该晶片,并将该晶片浸入该电镀液之中。磁致动单元旋转该晶座,借此以在该电镀液中旋转该晶片,以均匀化...
  • 本发明揭示晶片级回焊设备和焊料球体与倒装芯片组装体的制造方法。所述晶片级回焊设备包括多个受热区及一传输带将一晶片传送至各受热区。各受热区包括一加热盘具有同心圆配置的多个加热体,一红外线温测装置,及一控制器分别控制各加热体的输出,其中该红...
  • 本发明公开了一种半导体芯片分离装置及半导体芯片分离方法,该装置用以使贴附于粘着层上半导体芯片与粘着层分离,包括基座,用以承载粘着层及半导体芯片,具有至少一开口露出半导体芯片下方的部分的粘着层;中间上顶部件,设置于半导体芯片的中间区域正下...
  • 本发明提供一种二级数字模拟转换器与液晶显示器源级驱动器。源级驱动器包含二级数字模拟转换器。此二级数字模拟转换器是根据M位数字输入码来输出模拟电压。源级驱动器包含1位串行电荷重布数字模拟转换器和电压选择器。1位串行电荷重布数字模拟转换器具...