本发明提供一种二级数字模拟转换器与液晶显示器源级驱动器。源级驱动器包含二级数字模拟转换器。此二级数字模拟转换器是根据M位数字输入码来输出模拟电压。源级驱动器包含2位串行电荷重布数字模拟转换器和电压选择器。2位串行电荷重布数字模拟转换器具...

本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。本发明的集成电路装置的工作件(work?piece)包括具有上表面和侧壁的铜凸块。在铜凸块的侧壁上形成保护层，但其上表面没有保护层。保护层包括铜的化合物和聚合物，且为介电层。本发明提供的集成电路...

一种封装系统，包括设置在中介层之上的第一集成电路。该中介层包括至少一个模制化合物层，其包括通过该至少一个模制化合物层的多个电连接结构。第一互连结构设置在该至少一个模制化合物层的第一表面之上并与多个电连接结构电连接。第一集成电路与第一互连...

一种微机电系统电路和控制微机电系统电路的方法，该方法包括根据微机电系统装置的移动以产生一电流，其中此移动被一控制信号所控制；根据该电流以产生一峰值电压；以及当该峰值电压超出一预定范围时调整该控制信号。本发明的微机电系统电路的操作电压是根...

本发明提供一种集成电路及其电源布局与电源布局方法。所述集成电路的电源布局包含至少一电源网格单元。每个电源网格单元包含：配置以耦合至高电源供应电压的至少一第一电源层与配置以耦合至低电源供应电压的至少一第二电源层。第一电源层具有位于至少二不...

本发明公开了一种利用经处理的硬罩幕制造半导体元件的闸极电极的方法。首先，提供复晶硅闸极电极层于基材上。在一实施例中，对前述复晶硅闸极电极层进行一处理，以将一物种导入至复晶硅闸极电极层内，并于复晶硅闸极电极层内形成一电性中和区。然后，形成...

本发明涉及一种液晶显示器(LCD)来源驱动器的内建自测试(built-inself-test，BIST)电路及方法，所述电路包括：至少一数字模拟转换器(DAC)；和至少一缓冲器，其耦接到个别DAC，其中该缓冲器可重新配置为一比较器。一第...

描述了反射屏的结构以及制造这种结构的方法，其能够反射没有被图像传感器器件中的光电二极管吸收的光并增加光电二极管的量子效率。这种结构可以应用或使用于任何图像传感器以提高图像质量。这种结构对于具有更小像素尺寸的图像传感器以及对于其吸收长度或...

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括在一封盖(encapsulating)层上方形成一凸块下金属(under-bump?metallurgy，UBM)层，接着在封盖层的开口内的凸块下金属层上形成一凸块(bump)层。在从...

本发明的实施例包括鳍式场效应晶体管(fin?field-effect?transistors，FinFET)的掺杂方法。在该方法中，形成一包含掺质的富掺质层(dopant-richlayer)在基板的半导体鳍板(semiconducto...

本发明提供一种带有背面像素衬底偏置的背面照射型图像传感器。图像传感器包括具有前侧和后侧的衬底。图像传感器还包括设置于衬底中的隔离部件。图像传感器进一步包括在衬底中并且临近隔离部件设置的辐射感应区。辐射感应区能感应从背侧投射向辐射感应区的...

一种器件包括中介层，中介层包括具有顶面和底面的衬底。多个衬底通孔(TSV)穿过衬底。多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV，以及具有不同于第一长度的第二长度和不同于第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV。互连结构被形成为置...

一种具有改进连接的基板通孔包括基板以及基板上方的多个电介质层。在多个电介质层中形成多个金属化层，其中，多个金属化层中的至少一个包括金属焊盘。基板通孔(TSV)从多个电介质层的最上层延伸到基板的底面。深传导通孔从多个电介质层的最上层延伸落...

本发明提供一种半导体装置，上述半导体装置包括一基板，其中具有多个浅沟槽隔绝区和多个源/漏极区；一栅极堆叠结构，位于上述基板上，且介于上述源/漏极区之间；一第一间隙壁，其具有一第一介电常数，位于上述栅极堆叠结构的一侧壁上，其中该第一间隙壁...

本发明提供一种具有区域性应力单元的半导体元件如PMOS元件或NMOS元件及其形成方法。首先，在栅极的相反两侧形成凹陷。之后沿着凹陷底部形成应力诱导区，再形成应力区于应力诱导区上。若应力诱导区的晶格结构大于应力区，将使沟道区具有拉伸应力并...

本发明提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一基底；一电极，位于基底上方；一压电层，设置于基底和电极之间，当电极产生一电场时，压电层使基底产生应变。本发明提供的半导体元件和方法，能够于不同的操作下调整沟道的应变。

本发明揭示一种集成电路装置及该集成电路装置的制造方法。一范例方法包括提供一基板，于基板上形成用于第一元件的一第一栅极，其具有一第一临界电压特性。所述第一栅极包括具有一第一型功函数的第一材料。于该基板之上形成用于第二元件的第二栅极，其具有...

本发明提供一种背照式传感器的隔绝感测元件及其制造方法。在一实施例中，上述半导体装置的制造方法包括提供一感测层，其具有一前表面和一后表面，且于上述感测层的上述前表面中形成多个前侧沟槽。上述方法可还包括将氧注入上述感测层中穿过上述前侧沟槽，...

本发明提供一种栅极介电层的制造方法，该方法包含：形成一高介电常数介电层于一基材上；以原子层沉积工艺形成一含氧层于此高介电常数介电层上；及在此含氧层上进行一惰性等离子体处理。本发明可避免在基材顶部表面生成不欲形成的氧化硅，因此可保持装置效...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含：一底电极接触形成于一基底之上；一介电层形成于该底电极接触之上；一加热元件形成于该介电层中，其中该加热元件配置于二个气隙之间，且该气隙将该加热元件与该介电层分隔；以及，一相变化元件形...