半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括在一封盖(encapsulating)层上方形成一凸块下金属(under-bump?metallurgy，UBM)层，接着在封盖层的开口内的凸块下金属层上形成一凸块(bump)层。在从封盖层的上表面去除多余的凸块层材料之后，去除封盖层直至凸块层的一顶部突出于封盖层的上表面。本发明专利技术可避免UBM底切问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种凸块(bump)结构的制造方法。
技术介绍
现今的集成电路都是由数百万个有源(active)及/或无源(passive)装置所组成，例如晶体管及电容。这些装置在初始时彼此隔离，但后来会内连在一起而构成功能性电路。通常内连结构包括横向内连接(例如，金属线(导线))及直向内连接(例如，介层连接窗(via)及接触窗(contact))。而这些内连线对于现今集成电路的效能及密度限制产生越来越多影响。接合垫形成于内连结构的顶部并露出于各个芯片的表面。芯片通过了接合垫而电性连接至封装结构或另一芯片。接合垫可用于打线接合工艺(wire bonding)及倒装芯片接合工艺(flip-chip bonding)。在典型的凸块工艺(bumping process)中，内连线结构形成于金属化层上，接着形成底层凸块金属化(UBM)层及进行焊球(solder ball)植入。倒装芯片封装利用凸块进行芯片的1/0接合垫与基底之间或与封装的引线架 (lead frame)之间的电性连接。就结构上来说，凸块实际上包括了凸块本身及位于凸块与1/0接合垫之间的凸块下金属(under-b本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体装置的制造方法，包括：在具有一金属垫区的一半导体基底上方形成一封盖层，其中该封盖层具有一开口露出一部分的该金属垫区；在该露出的金属垫区部分上方的该封盖层的该开口内形成一凸块下金属层；在该凸块下金属层上方形成一凸块层，以填入该封盖层的该开口且延伸至该封盖层的上表面；以及自该封盖层的该上表面去除该凸块层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐君蕾，何明哲，郑明达，刘重希，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71