基板的制作方法及其结构技术

一种在基板的制作方法，包括：提供一金属基板；形成一氧化层于金属基板的一表面；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于中间层上，以蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层以形成一金属线路层；形成一表面金属层；以及其后再形成一芯片层于表面金属层上。此外，本发明专利技术亦可以蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层并使部分化学阻障层露出后；再压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的化学阻障层上；进行蚀刻以移除部分的金属层，使金属层亦形成一金属线路层；在未移除的金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于表面金属层上。本发明专利技术并提供一种根据前述方法制作的基板结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种在基板的制作方法及其结构，尤其是指一种在基板上制作金属线路的方法及其结构。
技术介绍
近年来由于电子产业的蓬勃发展，电子产品需求渐增，因此电子产品进入多功能及高效能发展等方向。尤其是可携式电子产品种类日渐众多，需求使用量日渐增加，也使得电子产品的体积与重量的规模也越来越小，因此在电子产品中基板及其金属线路间的设计重要性亦随的增加。因此，基板及其金属线路间绝缘性、以及避免制作金属线路时湿式蚀刻对基板产生影响等问题，变得值得重视。公知技术中，欲在金属基板(如铝基板)表面制作金属线路时，由于后续工艺中蚀刻等步骤往往会造成铝基板的侵蚀作用，故而大幅降低了铝基板的实用性。为解决此问题，若使用此铝基板时必须使用金属胶及涂布印刷方式来制作金属线路。然而，用此方式制作的金属线路会导致导电度低及无法制作所欲形成的金属线路，进而应用上受到很大的限制。中国台湾申请第94117337号公开一种携带式电子装置外壳及其制造方法，其揭示使用类钻石薄膜层形成于铝基材表面以作为保护电子装置外壳的用途；然而，该所属领域并非如本专利技术应用在电路基板。另，中国台湾申请第94221298号公开一种可于导热基材表面设置绝缘散热层的特征，其中该导热基材可为一金属材料或一陶瓷材料，该绝缘散热层可为陶瓷材料、纳米碳管等。然而，若使用该申请的结构应用于基板及其金属线路的制作时，仍会造成因湿式蚀刻对基板的侵蚀，且无法有效抑止金属线路与基板之间的电性绝缘。据此，如何改善基板制作方法以增加金属线路层与金属基板之间的电性绝缘，防止金属基板于后续制作金属线路工艺中，因湿式蚀刻所造成的破坏，进而提升在基板上制作金属线路的方法实为重要的课题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基板的制作方法及其结构，以增加后续工艺中金属线路层与金属基板之间的电性绝缘，并防止金属基板于后续制作金属线路工艺中，因湿式蚀刻所造成的破坏，进而解决公知金属基板无法形成薄膜线路的问题。为实现上述目的，本专利技术提供的基板制作方法，包括下列步骤提供一金属基板；形成一氧化层于金属基板的至少一表面；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于中间层上，其中该金属层可为铜或其合金，以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式，移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层；在未移除的金属线路层上亦可经表面处理形成镍、金、银、锡或其合金的一表面金属层，用以增加金属线路层与芯片的黏着性；以及其后再形成一芯片层于部分表面金属层上。此外，根据本专利技术的方法，可依实际需要，于该金属基板的另一表面还包括形成一氧化层；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上； 形成一金属层于中间层上，其中，该金属层可为铜或其合金，以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层，在未移除的金属线路层上亦可经表面处理形成镍、金、银、锡或其合金的一表面金属层，用以增加金属线路层与芯片的黏着性；以及其后再形成一芯片层于部分表面金属层上。于此，根据本专利技术的方法，可在金属基板两侧皆制作金属线路的结构，亦可依需要形成复数个通孔贯穿于整体结构中，以增加其散热效果。本专利技术提供的基板的制作方法，包括下列步骤提供一金属基板；形成一氧化层于金属基板的至少一表面；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于该中间层上，其中该金属层可为铜或其合金，以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层，并使部分化学阻障层露出；压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的化学阻障层上；进行蚀刻以移除部分的金属层，使金属层亦形成一金属线路层；在未移除的金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于部分表面金属层上；至于表面金属层可为镍、金、银、锡或其合金。此外，根据本专利技术的方法，可依实际需要，于该金属基板的另一表面还包括形成一氧化层；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于中间层上，其中该金属层可为铜或其合金；以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层，并使部分化学阻障层露出；压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的化学阻障层上；进行蚀刻以移除部分的金属层，使金属层亦形成一金属线路层；在未移除的金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于部分表面金属层上；至于表面金属层可为镍、金、银、锡或其合金。于此，根据本专利技术的方法，可在该金属基板两侧皆制作金属线路的结构，亦可依需要形成复数个通孔贯穿于整体结构中，以增加其散热效果。换言之，根据本专利技术在基板上制作金属线路的方法，可选择性地将金属线路层形成于绝缘黏着层上，由此增加金属线路层与下方金属基板之间的电性绝缘。根据本专利技术的方法，若有需要，还可包括形成防焊层于金属线路层上，该防焊层使用种类没有限制，较佳为一类钻碳层，以增加在基板上制作金属线路整体结构的散热性及耐用性。根据本专利技术的方法，中间层是以蒸镀法或溅镀法形成于化学阻障层上，而该中间层的使用材料没有限制，其是用以增加化学阻障层与后续制作的金属线路层或芯片层的附着性，较佳为使用铬、钛、钼、钨、或其合金。根据本专利技术的方法，绝缘黏着层的使用材料没有限制，只要可耐高温如250°C以上的热固性树脂皆可，较佳为使用至少一选自由环氧树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、氨基树脂及硅脂树脂所组成群组的热固性树脂。再者，根据本专利技术的方法，金属基板可包括一铝金属基板或一铝基复合材料基板； 而形成于金属基板上的氧化层可为于金属基板的表面以阳极化处理方式形成，或直接于金属基板的表面以涂布氧化物的方式形成，该氧化层较佳为氧化铝。根据本专利技术的方法，化学阻障层的形成方式没有限制，较佳为由化学气相沉积法、 物理气相沉积法或涂布法形成于氧化层上；其中，化学气相沉积法可包括等离子体辅助化学气相沉积法或微波等离子体化学气相沉积法，至于物理气相沉积法可包括蒸镀法、溅镀法或阴极电弧(cathodicarc)。根据本专利技术的方法，化学阻障层的使用种类及厚度没有限制，只要其可防止氧化层或金属基板于后续工艺中，因湿式蚀刻而造成的破坏，较佳地使用厚度为0. 01 50 μ m 的氧化物、碳化物、氮化物、环氧化物、硅胶或聚亚酰胺。其中，碳化物可使用如类钻碳膜或钻石膜；氮化物可使用如氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、或氮化硼(BN)；氧化物为二氧化硅 (SiO2)、二氧化钛(TiO2)，氧化铍(BeO)。特别是类钻碳膜作为化学阻障层时，亦可视需要添加一掺杂物，该掺杂物的浓度小于20原子百分比(at0m%)，包括氟、硅、氮、硼或其混合物， 以增加化学阻障层的附着性。根据本专利技术的方法，氧化层的厚度没有特别限制，较佳为3 100 μ m。在该氧化层的表面还包括有封孔处理的步骤，其中该封孔处理包括使用Ni (CH3COO)2或NiF2等无机金属盐类，使其与氧化层产生水合作用后，将该氧化层表面所具有的孔洞填平，以增加金属基板与后续制作金属线路层间的绝缘性。本专利技术提供的根据前述方法所制作的基板结构，其包括一金属基板；一氧化层形成于金属基板的一表面；一化学阻障层形成于氧化层上；一中间层形成于化学阻障层上；一金属线路层，是以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基板的制作方法，包括：提供一金属基板；形成一氧化层于该金属基板的至少一表面；形成一化学阻障层于该氧化层上；形成一中间层于该化学阻障层上；形成一金属层于该中间层上；以及以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，移除部分的该中间层及该金属层，使该金属层形成一金属线路层；其中，于该氧化层的表面包括有一封孔处理的步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡绍中，甘明吉，宋健民，
申请(专利权)人：中国砂轮企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71