本发明揭示一种半导体装置及其制作方法，该方法包括提供一基底，形成多个鳍于基底上方，上述鳍借由一隔离结构彼此隔离，形成一栅极结构于每个鳍的部分上方，分别于栅极结构的侧壁形成间隙壁，于每个鳍的暴露部分外延成长硅，其中外延工艺加入一不纯物元素...

本发明一实施例中，提供一种半导体结构金属栅极堆叠的制造方法，该方法包括：形成一第一伪栅极与一第二伪栅极于一基板上；移除该第一伪栅极的一多晶硅层，以形成一第一栅极沟槽；形成一第一金属层与一第一铝层于该第一栅极沟槽中；对该基板实施一化学机械...

主从保持触发器包括：主锁存器，用于锁存输入数据信号并基于输入时钟信号输出锁存的主锁存器数据信号；从锁存器，与主锁存器的输出端相连，并用于基于输入时钟信号输出锁存的从锁存器数据信号；以及保持锁存器，嵌入主锁存器和从锁存器之一中，用于基于断...

本发明提供一种半导体元件与其形成方法，应用于堆叠裸片形态的多层内连线结构。首先形成多个穿透基板通孔于半导体基板中。接着薄化半导体基板的背面以露出穿透基板通孔。之后形成绝缘膜于半导体基板背面上与露出的穿透基板通孔上。之后形成的第一导电单元...

一集成电路结构，包括一基板以及一鳍式场效应晶体管。该鳍式场效应晶体管包括一鳍，于该基板上，且具有一第一鳍部分与一第二鳍部分。一栅极堆叠，形成于该第一鳍部分的一上表面与侧壁上。一外延半导体层，具有一第一部分，直接形成于该第二鳍部分上，以及...

一种双向静电放电保护电路及相关的射频识别标签，该电路包括一双向硅控整流器，形成在一基板中，双向硅控整流器包括一第一P型阱区及一第二P型阱区，位于一N型阱区的两侧；一深N型阱区，位于第一P型阱区、第二P型阱区及N型阱区之下；一第一N型区及...

本发明提供一种用以更新决策回授等化器的阀系数的方法，包括取样从一决策回授等化器的取样器所接收的一第一输入信号；以及决定第一输入信号的振幅是否落在一定义在一第一预定电压电平和一第二预定电压电平间的范围内，其中若第一输入信号的振幅落在此范围...

本说明书提供一种半导体制造方法与系统。该方法包括从多个半导体工艺分别收集多个制造数据组。上述方法包括以一方法标准化每个上述制造数据组使上述制造数据组统计上的差异减少。上述方法包括建立一数据库包括上述标准化后的制造数据组。上述方法包括以一...

本发明是有关于一种集成电路装置的制造方法，该制造方法包含下列步骤：提供半导体基板；形成栅极物质层在半导体基板上；形成硬屏蔽层在栅极物质层上；对硬屏蔽层进行图案化，以形成硬屏蔽图形；形成间隙壁层在硬屏蔽图形上；对间隙壁层进行回蚀以形成间隙...

本发明提供在半导体元件的制造过程中移除硬掩模的方法，该方法包括如下步骤：于基底上的结构之上形成保护层，例如为底部抗反射涂层或其他介电层，并沿着结构的侧边形成间隙壁。在一实施例中，这些结构为栅极电极，具有硬掩模形成于其上，以及间隙壁沿着栅...

本发明揭示一种使用转接板(interposer)的三维半导体封装。本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一转接板具有电性耦接至其第一侧的一第一芯片以及电性耦接至其第二侧的一第二芯片。转接板电性耦接至下方的基底，例如封装基底...

本发明提供集成电路结构，包括半导体芯片，金属垫在半导体芯片的主要表面上，以及凸块下金属层在金属垫之上与金属垫接触，金属凸块形成于凸块下金属层之上与凸块下金属层电性连接，伪图案形成在与金属垫相同的水平面上，且由与金属垫相同的金属材料形成。...

本发明提供一种半导体装置封装体及其制造方法，其中，具有穿硅插塞(或导孔)的基板可不需使用导电凸块。工艺流程非常简单且有成本效益。本结构将个别的硅穿孔、重分布层及导电凸块结构结合至单一结构中。经由结合个别的结构，可以得到一具有高散热能力的...

本发明公开了一种存储器单元及非易失性存储器装置及其形成方法，所述非易失性存储器装置是含有多个纳米晶体的电荷存储层的非易失性存储器装置。该存储器单元提供具有源极区及漏极区的基板。在基板上形成选择栅极及控制栅极。在选择栅极及控制栅极之间提供...

本发明提供的半导体封装基板具有穿透硅插塞(或通孔)可提供需要热管理的半导体芯片水平与垂直的散热途径。具有高负载比设计的穿透硅插塞能有效增加散热性。当穿透硅插塞采用双面梳图案时，其负载比可高达大于或等于50％。具有高负载比的封装基板可用于...

本发明提供了一种内连线结构的形成方法，在内连线结构的形成中，于介电层内形成金属图形，使用前驱物以及包含碳的碳源气体作为前驱物，在金属图形及介电层之上形成蚀刻停止层，碳源气体中不含有二氧化碳，前驱物则选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3...

本发明公开了一种控制回路电路。控制回路电路比较输出入号与反馈输出信号，且产生两信号的误差。控制回路电路通过累加多个延迟的误差来积分误差，且量化积分的误差使得量化噪声的频谱整形成高频率而被LC低通滤波器滤除。因此，需要的低频信号几乎不受影响。

本发明提供一种微机电系统装置，该装置适用于感测机械位移，包括至少一第一电容器，具有第一和第二电容器极板，第一和第二电容器极板设置于彼此相距为一间距的位置，第一和第二电容器极板具有不同功函数并且互相电性连接，其中第一和第二电极板之一可相对...

本发明公开了一种制作半导体元件的方法与设备。此设备包含第一光罩与第二光罩。第一光罩上具有多个第一特征形成，且第一光罩具有第一全域图案密度。第二光罩上具有多个第二特征，且第二光罩具有第二全域图案密度。这些第一特征与第二特征共同定义出半导体...

本发明提供一种图案化方法，包括于基底上形成光致抗蚀剂图案，光致抗 蚀剂图案于基底上包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中，于光致抗蚀 剂图案与基底上形成图案化感光材料层，其中图案化感光材料层覆盖光致抗蚀 剂图案的留白开口，以及对光致抗...