集成电路装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术是有关于一种集成电路装置的制造方法，该制造方法包含下列步骤：提供半导体基板；形成栅极物质层在半导体基板上；形成硬屏蔽层在栅极物质层上；对硬屏蔽层进行图案化，以形成硬屏蔽图形；形成间隙壁层在硬屏蔽图形上；对间隙壁层进行回蚀以形成间隙壁在硬屏蔽图形的侧壁上；利用间隙壁及硬屏蔽图形做为刻蚀屏蔽，对栅极物质层进行刻蚀以形成一栅极结构；在半导体基板进行斜向离子注入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种利用硬屏蔽层以制造。
技术介绍
半导体集成电路工业经历了十分快速的成长。在半导体集成电路技术的演进过程中，功能性密度(functional density，意即芯片上每单位面积所具有的组件数目)在几何尺寸(在制造工艺下所能制造的最小组件或线宽)的缩小下，持续地上升。组件尺寸的下降使产能效率提升，并减少面积成本。但是相对的，制造工艺的复杂度也跟着升高，制造工艺技术也需持续的进步，以达成上述的优点。由此可见，上述现有的在制造、加工与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般制造方法又没有适切的方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，克服现有的存在的缺陷，而提供一种新的利用硬屏蔽层以制造，所要解决的技术问题是使其提供一种，包含下列步骤提供基板；形成物质层(material layer)在基板上；形成硬屏蔽图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种集成电路装置的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基板；形成一物质层在该基板上；形成一硬屏蔽图形在该物质层上；形成多个间隙壁在该硬屏蔽图形的多个侧壁上，其中该硬屏蔽图形及上述间隙壁形成一组合硬屏蔽特征图样；以及利用该组合硬屏蔽特征图样做为一刻蚀屏蔽，对该物质层进行图案化。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王祥保，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71