【技术实现步骤摘要】
具有呈弯曲部形状的浮动栅的闪存背景本专利技术一般涉及闪存。闪存是具有浮动栅和覆盖在该浮动栅上的控制栅的半导体存储器。可以由控制栅 来控制浮动栅上的电荷积累，以将该单元编程为至少两种状态中的一个。特别是随着设备尺寸变得越来越小，存储器元件阵列中相邻的栅之间的电容耦合 变成越来越重要的问题。电容耦合导致设备速度变慢。一般而言，尺寸缩小的一个优点是 成本降低，但是，另一个优点通常是速度提高。如此，随着缩小栅极尺寸和缩小相邻的存储 器单元的浮动栅之间的间隔，栅耦合就变成了更大的问题。附图简述附图说明图1是在制造的初期阶段本专利技术的一个实施例的放大的截面图；图2根据一个实施例的在随后的阶段的放大的截面图；图3是根据一个实施例的图2所示的阶段之后的阶段的放大的截面图；图4是本专利技术的一个实施例的理想化的截面图；图fe是沿图4中的线5-5截取的本专利技术的一个实施例的截面图；图恥是本专利技术的另一实施例的沿图4中的线5-5截取的截面图；以及图6是一个实施例的制造初期阶段的描绘。详细描述根据一些实施例，可以改善或至少维持浮动栅和控制栅之间的电容耦合，而同时 降低相邻的浮动栅之间...
【技术保护点】
一种方法，包括：形成具有面向控制栅的弯曲表面和面向基础衬底的基本上平直表面的闪存浮动栅。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·唐，K·K·帕拉特，H·刘，
申请(专利权)人：英特尔公司，微米技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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