电路装置的制造方法制造方法及图纸

在通过晶圆级工艺技术制造电路装置的情况下，抑制半导体衬底的弯曲。为使设于半导体衬底（50）的元件电极（52），和被薄型化前的铜板（200）所连接的突起电极（32）电连接，在以130℃以下的温度（第1温度）贴合半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）后，在将铜板（200）薄膜化为布线层的厚度的状态下，以170℃以上的高温（第2温度）压接半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）。此后，通过使薄膜化后的铜板（200）布线成形，来形成布线层（再布线）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将热膨胀率不同的半导体衬底和布线衬底贴合来制造电路装置的方法。
技术介绍
以往有被称作CSP(Chip Size Package :芯片尺寸封装)的电路装置。该CSP的电路装置通过对在一个主面上形成有LSI (电路元件)及与其连接的外部连接电极的半导体晶圆(半导体衬底)进行芯片切割、使它们个体化而形成。因此，电路装置能够以和LSI芯片同等的尺寸固定于布线衬底，能够使安装电路装置侧的布线衬底(母插件板Mother board)小型化。近年，随着电子设备的小型化、多功能化，寻求电子设备所使用的电路装置的进ー步的小型化。随着这样的电路装置的小型化，用于安装于母插件板的电极之间的窄间距化是不可缺少的。作为电路装置的表面安装方法，已知有在电路装置的外部连接电极处形成焊接球，将焊接球和母插件板的电极片焊接的倒装芯片安装方法。在倒装芯片安装方法中，焊接球自身的大小、焊接时的桥连发生等成为制约，外部连接电极的窄间距化是有限度的。近年来，为了突破这样的限度，通过在电路装置上形成再布线而进行外部连接电极的重新配置。作为这样的重新配置的方法，例如已知有将通过对金属板进行半蚀而形成的突起构造作为电极或者过孔(Via)，介由环氧树脂等绝缘层将电路装置安装在金属板上，使电路装置的外部连接电极连接于突起构造的方法(參照专利文献I)。在先技术文献专利文献专利文献I :日本特开平9-289264号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在半导体衬底上配设有多个电路元件的晶圆阶段通过压カ(press)加工而形成再布线后，因半导体衬底与构成再布线的金属、例如与铜的热膨胀率的差异，在压力加工后的冷却过程中会发生弯曲。若晶圆发生弯曲，则会出现如下问题晶圆产生裂痕，在之后所进行的光刻(lithography)エ序中，在面内发生焦深上的偏移，无法妥当地进行曝光等。本专利技术是鉴于这样的课题而研发的，其目的在于提供ー种在利用晶圆级加工技术制造电路装置的情况下，能够抑制半导体衬底的弯曲的技木。用于解决课题的手段本专利技术的一个方案是。该的特征在干，包括准备在ー个面上设有元件电极的半导体衬底，和在ー个面上设有金属板、在另ー个面上设有与上述元件电极对应的衬底电极的布线衬底的エ序，以及将上述金属板薄膜化为布线层的厚度的エ序；该中，在准备上述布线衬底的エ序后、进行上述薄膜化的エ序前，具有为使上述元件电极与上述衬底电极连接而施加第I温度地贴合上述半导体衬底和上述布线衬底的第I压接エ序；在上述进行薄膜化的エ序后，具有施加比上述第I温度高的第2温度地压接以上述第I温度贴合后的上述半导体衬底和上述布线衬底的第2压接エ序。通过该方案的，在贴合布线衬底和半导体衬底时将温度定为低温，由此能減少因薄膜化前的金属板与半导体衬底的热膨胀率的不同而施加于半导体衬底的应力。由此，能够抑制半导体衬底出现弯曲和损坏。此外，在以低温使布线衬底和半导体衬底贴合后，将设置于布线衬底的金属板薄膜化，并以高温压接布线衬底和半导体衬底，由此，在高温压接时，热膨胀率相对较大的金属的比例被降低。由此，能够减小加于半导体衬底的应力，抑制半导体衬底出现弯曲和损坏，并提高配线衬底和半导体衬底的粘接强度。在上述方案的中，可以在上述第2压接エ序时，在与电极形成面相反侧的上述元件电极的面上贴合与被薄膜化了的上述金属板同等厚度的其它金属板。也可以在上述第2压接エ序后，还具有将上述被薄膜化后的金属板布线成形而形成布线层的エ序。此外，可以在进行上述第2压接エ序时，在与电极形成面相反侧的上述元件电极的面上贴合与被薄膜化后的上述金属板同等厚度的其它金属板，并在上述第2压接エ序后，并行地进行将上述被薄膜化后的金属板布线成形而形成布线层的エ序和除去上述其它金属板的エ序。专利技术效果通过本专利技术，能够在制造通过贴合半导体衬底和布线衬底而薄型化了的电路装置时，抑制弯曲的产生和半导体衬底的损坏。附图说明图I是表示实施方式的电路装置的构成的概略剖面图。图2是表示实施方式的的エ序剖面图。图3是表示实施方式的的エ序剖面图。图4是表示实施方式的的エ序剖面图。图5是表示实施方式的的エ序剖面图。图6是表示实施方式的的エ序剖面图。图7是表示实施方式的的エ序剖面图。图8是表示实施方式的的エ序剖面图。图9是表示低温贴合时的温度与铜板膜厚的面内偏差的关系的图表。具体实施方式 下面，參照附图对本专利技术的实施方式进行说明。在所有附图中，对同样的构成要素附加同样的标号，并适当省略说明。图I是表示实施方式的电路装置10的构成的概略剖面图。电路装置10具备布线衬底12及与布线衬底12相贴合的半导体衬底50。布线衬底12具备绝缘树脂层20，以绝缘性树脂形成；布线层30，被设于绝缘树脂层20的ー个主表面；与布线层30电连接的多个突起电极32，从布线层30向绝缘树脂层20侧突起。作为构成绝缘树脂层20的材料，例如可以例示BT树脂等的三聚氰胺衍生物、液晶聚合物、环氧树脂、PPE树脂、聚酰亚胺树脂、含氟树脂、苯酚树脂、聚酰胺双马来酰亚胺等的热固化性树脂。从提高电路装置10的散热性的角度出发，绝缘树脂层20优选具有高热传导性。因此，绝缘树脂层20优选含有银、铋、铜、铝、镁、锡、锌、及它们的合金、氧化铝等作为高热传导性填充物。布线层30被 设在绝缘树脂层20的ー个主表面，由导电材料、优选由轧制金属、更优选由轧制铜形成。布线层30的绝缘树脂层20侧突出地设有多个突起电极32。在本实施方式中，布线层30与突起电极32是一体地形成的，但并不限定于此。突起电极32例如俯视看是圆形，并具有越接近顶部、直径就越变细地形成的侧面。此外，突起电极32的形状不特别限定，例如也可以是具有预定直径的圆柱状。此外，也可以是俯视看呈四角形等多角形。突起电极32的顶部面设有Au/Ni层34。Au/Ni层34由作为暴露面的Au层和介于Au层与突起电极32的顶部面之间的Ni层构成。在与布线层30的绝缘树脂层20相反的一侧的主表面，设有用于防止布线层30的氧化等的保护层70。作为保护层70，能够举出阻焊层等。在保护层70的预定区域，形成有开ロ部72，通过开ロ部72，布线层30的一部分暴露。在开ロ部72内形成作为外部连接电极的焊接球80，焊接球80和布线层30电连接。形成焊接球80的位置、即开ロ部72的形成区域例如是用再布线(布线层30)所引至的目的地的端部。元件电极52、Au/Ni层54及保护层56被形成在半导体衬底50的ー个主表面。具体来讲，半导体衬底50是P型硅衬底等硅衬底，其热膨胀率与布线层30不同。一般来讲，硅衬底的线膨胀系数比铜要小一个位数左右。在半导体衬底50的ー个主表面，形成有预定的集成电路(未图示)及位于其外周边缘部的元件电极52。元件电极52的材料采用铝、铜等金属。在半导体衬底50上的除元件电极52处以外的主表面上，形成有用于保护半导体衬底50的绝缘性保护层56。作为保护层56，采用氧化硅膜(Si02)、氮化硅膜(SiN)、聚酰亚胺(PI)等。此外，元件电极52上形成有Au层为暴露面的Au/Ni层54。此外，有时也将半导体衬底50叫做半导体元件。通过设于突起电极32的顶部面的Au/Ni层34的金与设于元件电极52的表面的Au/Ni层54的金进行金-金粘接，突起电极32和与其对应的元件电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤浩一，冈山芳央，柳瀬康行，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：
国别省市：