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本发明是有关于一种集成电路装置的制造方法，该制造方法包含下列步骤：提供半导体基板；形成栅极物质层在半导体基板上；形成硬屏蔽层在栅极物质层上；对硬屏蔽层进行图案化，以形成硬屏蔽图形；形成间隙壁层在硬屏蔽图形上；对间隙壁层进行回蚀以形成间隙壁在...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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