【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及场效应晶体管(FET)
，尤其是一种制作U型栅脚T型栅结构的方法。
技术介绍
随着场效应晶体管(FET)高频应用需求的急剧增长，提升器件截止频率fT就显得越发重要。作为表征晶体管高速性能的重要参数，器件截止频率fT的近似公式为其中Vs为载流子的饱和迁移速率，Lg为器件栅长。可以看出，栅长对器件的截止频率有着决定性的影响。缩小器件栅长是提升其频率性能的最直接的方法，但该方法同时会导致栅电阻的增大，栅电阻增大会恶化器件噪声性能、降低器件最大振荡频率等，T型栅结构由于可以减小栅电阻而被研究人员广泛采用。目前，通常的T型栅制备方法为运用复合胶工艺以及电子束直写曝光方式，采用多次曝光的方法，利用不同显影液对胶的显影速度的差别，形成T型栅结构。为了提升器件的频率性能，T型栅的栅长已经步入深亚微米级(< 200nm)，当前国际上已有30nm栅长的相关报道。目前，常规T型栅工艺主要存在着以下不足第一、根据等比例缩小原则，栅长缩小时，器件各项尺寸均会相应缩小，相同的偏压下器件内部电场会更大，图1为采用2D器件仿真软件Atlas对器件内部电场进行模拟的结果...
【技术保护点】
１．一种制作Ｕ型栅脚Ｔ型栅结构的方法，其特征在于，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备ＳｉＮｘ钝化层；使用ＺＥＰ５２０Ａ电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀ＳｉＮｘ钝化层形成Ｕ型栅脚结构；再刻蚀ＡｌＧａＮ势垒层，并通过双层胶二次曝光得到栅帽；以及经过蒸发、剥离形成Ｕ型栅脚Ｔ型栅结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孔欣，魏珂，刘新宇，黄俊，刘果果，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11
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