本发明提供静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）与内容定址存储器（ＣＡＭ）位单元的装置。在实施例中，一个位单元部分具有厚栅极氧化层的存储晶体管，读取部分具有薄栅极氧化层的晶体管。使用厚栅极氧化层于存储单元晶体管提供了稳定的数据存储与低漏电流。使...

一种具有嵌入式静态随机存取存储器的集成电路及其工艺方法，该集成电路包括一第一核心，包括一第一逻辑区域，具有一第一栅极介电层厚度和多个第一ＮＭＯＳ晶体管，其中第一ＮＭＯＳ晶体管具有以一第一轻掺杂漏极光掩模所注入的轻掺杂漏极区域；一单端口型...

本发明揭露一种微影方法，包括：在一基板上提供一能量敏感光阻材料层；提供一待刻图案；及在该基板上进行一微影制程，其中该微影制程包括：将该能量敏感光阻材料曝光至一带电粒子束，以将该待刻图案转移至该能量敏感光阻材料；将该带电粒子束由关闭状态切...

本发明为一种半导体晶圆与图案对准的方法。此半导体晶圆可包含一曝光区；一晶粒位于曝光场内，其中晶粒包含集成电路区、密封环区以及角落应力解除区；以及一晶粒对准标记位于密封环区与角落应力解除区之间。

本发明提供一种半导体制造方法及系统，该方法包括：提供一产品的产品数据，该产品数据包括一敏感产品参数；依据该敏感产品参数搜寻既存产品以从既存产品识别出相关产品；使用该相关产品的对应数据消除一处理模型参数的一初始值；将该处理模型参数的该初始...

一种电源启动检测电路，包括第一与第二比较器电路、分压器电路、检测电路以及逻辑电路。第一与第二比较器电路各包括第一与第二输入，所述第一输入自参考电压源端点接收参考电压。分压器电路包括第一端点耦接至第一比较器电路的第二输入，以及第二端点耦接...

本发明一实施例提供一种集成电路元件，包括一半导体基板；一接垫部分，位于半导体基板上；以及一金属化结构，位于接垫部分上并与接垫部分电性连接，其中金属化结构包括一第一金属层，位于接垫部分上；一第一保护层，位于第一金属层上；以及一第二金属层，...

本发明揭示一种半导体装置、互补式金属氧化物半导体装置及集成电路，该半导体装置包括：一第一金属氧化物半导体结构及一第二金属氧化物半导体结构。第一金属氧化物半导体结构，包括：一第一栅极介电层，位于一基底上；一第一功函数金属层，位于第一栅极介...

本发明提供了一种半导体封装工艺，以粘着层在载板上贴附晶片，而在邻近晶片边缘处暴露出部分粘着层。在晶片薄化之后，提供保护层以覆盖粘着层暴露出的部分。在薄化晶片上接合数个裸片，而后以成型化合物（ｍｏｌｄｉｎｇｃｏｍｐｏｕｎｄ）封装薄化晶片及...

一种集成电路结构，包括一半导体基板，具有一正面与一背面；一导孔，贯穿半导体基板；一金属结构，位于半导体基板的背面上，金属结构包括一金属垫，覆盖并接触导孔；以及一金属线，位于导孔上，其中金属线包括一双镶嵌结构；以及一凸块，于金属线上。使用...

本发明提供了一种用于ＣＭＯＳ图像传感器的结合处理。本发明还提供了一种制造集成电路（ＩＣ）的方法。该方法包括：在衬底的前侧上形成电器件；在衬底的前侧上形成顶部金属焊盘，该顶部金属焊盘连接至电器件；在衬底的前侧上形成钝化层，顶部金属焊盘被嵌...

一种制造反熔丝的方法，包括提供具有位线扩散区域和电容器扩散区域的衬底。在衬底之上形成栅极电介质层，并且在栅极电介质层上形成字线。在独立于形成栅极电介质层处理步骤的处理步骤中，在电容器扩散区域上形成氧化物层。选择线接触插塞形成在氧化物层之...

本发明提供一种集成电路结构，包括：以第一半导体材料形成的半导体基板；两个绝缘体在半导体基板中；两绝缘体之间且邻接侧壁的半导体区。由不同于第一半导体材料的第二半导体材料形成半导体区，其宽度小于５０ｎｍ。本发明中，在再生长的半导体区中差排的...

一种微机电系统及其操作方法，该微机电系统包括：一微机械结构，用于产生一第一电信号；以及一模拟数字转换器（ＡＤＣ），耦接该微机械结构，其中该微机电系统不包括任何放大器位于该微机械结构与该模拟数字转换器之间。本发明的微机电系统以及其操作方法...

本发明提供集成电路结构及其形成方法，该结构包含第一裸片，其包含穿透基底的导孔；第二裸片粘合至第一裸片之上，第一裸片具有一表面，面对第二裸片；以及模塑料，其包含一部分在第一裸片与第二裸片之上。模塑料接触第二裸片的表面，此外，模塑料包含一部...

本发明提供一种包括ｎ型鳍式场效晶体管与ｐ型鳍式场效晶体管的集成电路结构。ｎ型鳍式场效晶体管包括：第一锗鳍（ｆｉｒｓｔ　ｇｅｒｍａｎｉｕｍ　ｆｉｎ）位于一基板之上；一第一栅极介电层，位于第一锗鳍的顶表面与侧壁上；以及一第一栅极电极，位于第...

在形成集成电路的方法中，设置包括第一智力特性件（ＩＰ）的芯片表征件的布局。生成与第一ＩＰ重叠且从第一ＩＰ的边缘伸出的切割线。切割线将芯片表征件划分为多个电路区域。多个电路区域相对于第一ＩＰ的位置向外偏移，以生成空间。第一ＩＰ被放大到该空...

半导体装置。本发明揭露一种静态随机存取内存，在一基板上具有一ＰＭＯＳ结构及一ＮＭＯＳ结构。每一ＭＯＳ结构包含一ｐ型功函数金属层及一ｎ型功函数金属层。ｐ型功函数金属层及ｎ型功函数金属层是加总形成ＰＭＯＳ结构及ＮＭＯＳ结构的一结合后功函数。

应用于金属氧化物半导体场效应晶体管的定功率密度缩放方法，用以制作一集成电路。该方法包括：针对一第一工艺计算定值缩放参数，其中计算基于一第二工艺；为了以该第一工艺制作该集成电路，计算出可设定缩放参数；基于上述可设定缩放参数决定该集成电路的...

本发明揭露一种用于图案化半导体组件的光阻及半导体组件的制造方法，其中所述用于图案化半导体组件的光阻包括聚合物以及光酸产生剂，其中此聚合物具有一骨架，此骨架为可断裂的，且此光酸产生剂不与此聚合物键结。其次，一种半导体组件的制造方法，其包括...