一种嵌入式静态随机存取存储器芯片，包括一第一ＳＲＡＭ阵列，各个第一ＳＲＡＭ单位晶格包括至少六个晶体管及至少二个传输栅，各单位晶格占有一晶格面积，由一第一Ｘ间距及一第一Ｙ间距所界定，其中该第一Ｘ间距长于该第一Ｙ间距；以及多个逻辑晶体管形成...

本发明揭示一种堆叠装置的制造方法及装置晶片处理方法，该堆叠装置的制造方法包括经由第一粘着层及第二粘着层而将一晶片接合至一承载板，其中晶片与承载板的边缘区被第一粘着层覆盖，但未被第二粘着层覆盖。进行晶片边缘清洁工艺，以去除邻近晶片边缘的第...

本发明提供一种集成电路的形成方法。上述集成电路的形成方法包括提供一半导体晶片，以及形成一金属氧化物半导体元件。形成金属氧化物半导体元件的步骤包括于半导体晶片上形成一栅极堆叠结构；于半导体晶片的温度低于０℃时进行一低温注入工艺，以形成一注...

本发明提供一种处理定价决策的方法及处理议价谈判的方 法。通过一全球定价系统处理定价决策，包括由数据库中撷取 客户数据及议价数据。其中该客户数据及议价数据储存于一手 持式电子装置中。该客户数据及该议价数据用以产生一议价范 围数据，再依据该...

本发明提供了一种用于半导体晶体管的垂直鳍状结构及其制造方法，该鳍状结构包括：一半导体基板；一鳍型层，位于该半导体基板的顶部；以及一上盖层，覆盖该鳍型层，其中该半导体基板包括一ＩＶ族半导体材料，该鳍型层包括一ＩＶ族半导体材料。该半导体基板...

本发明提供一种晶体管与其制法。此晶体管包括：一栅极电极，设置于一基材之上；以及至少一复合应力结构，设置于该栅极电极下方的沟道旁，其中复合应力结构包括：一第一应力区域，位于基材中；以及一第二应力区域，设于第一应力区域之上，且至少一部分的第...

本发明提供一种电路装置，包括一区域控制电路，具有一电平偏移器，其中该电平偏移器将该第一地址信号由一第一电压电平偏移至一第二电压电平，以回应所接受的一第一地址信号，该区域控制电路可提供一准偏移过的第一地址信号；以及一字线驱动器，具有至少一...

本发明提供一种微电子封装体，在一实施例中，微电子封装体包括一芯片，具有一第一表面和一第二表面，第一表面耦接至一基板；一热界面材料，与芯片的第二表面导热接触；一散热器，用来消散芯片的热量，散热器与界面材料导热接触，散热器包括一盖板，具有由...

本发明公开了一种形成硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构，该方法包括：沉积一第一硅锗层于一半导体基板上的一源极区与一漏极区的至少其中之一中，半导体基板具有位于源极区与漏极区之间的一沟道；以及使第一硅锗层的一顶部转变成一氧化层以及使第一硅...

本发明有关一种场效应晶体管及间隙壁结构的制作方法，一场效应晶体管示范性的结构包括一基底；一位于基底上包括侧壁的栅极结构；一位于基底中栅极结构的一侧的硅化区，硅化区具有一最靠近栅极结构的内部边缘；一邻接栅极结构的侧壁的第一氧密封层；一邻接...

本发明提供一种用于管理生产可承诺量的系统及方法。一储存装置储存包含需求简况数据及生产可承诺量简况数据的生产数据。需求简况数据界定在预定期间内的产能配置支援需求，其包含未预定产能配置支援需求数据和已预定产能配置支援需求数据。该生产可承诺量...

本发明揭示一种薄化晶片的方法。于一实施例中，提供一晶片，其具有多个半导体芯片。此晶片具有第一面和第二面，其中各个芯片包括一组穿硅导孔。各穿硅导孔实质上被衬垫层和阻障层封住。提供晶片承载体贴附于所述晶片的第二面。将晶片的第一面薄化至预定的...

本发明公开具有预对准图案的半导体晶片和预对准半导体晶片的方法，在该晶片的边缘具有两个或多个刻痕的预对准图案，该方法于制造过程中利用刻痕。于一实施例中，沿着半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的所有距离中，至少两个距离是不同的。于另一实施例...

本发明提供一种半导体元件及其制法，该半导体元件包括：一半导体基材；一接合焊盘位于该半导体基材之上；一应力缓冲结构部分地覆盖该接合焊盘并暴露一部分的接合焊盘，其中该应力缓冲结构包括一阶梯状侧壁，该阶梯状侧壁从该暴露的接合焊盘逐渐地向上延伸...

本发明公开了一种半导体装置和集成电路装置的制造方法，该方法包括：提供一基板；形成一高介电常数介电层于基板上；形成一第一顶盖层于高介电常数介电层上；形成一第二顶盖层于第一顶盖层上，其中第二顶盖层与第一顶盖层不同；形成一虚置栅极层于第二顶盖...

本发明提供一种数字模拟转换电路及数字模拟转换方法，该电路包括第一、第二数字模拟转换解码器以及缓冲器。第一数字模拟转换解码器，用以根据数字输入码的第一位数，输出具有第一电压电平的第一输出信号，而第一电压电平相应于多个第一输入端之一所接收的...

本发明揭示一种集成电路与背面及正面受光型图像传感器，该集成电路包括一基底，其具有一接合焊盘区及一非接合焊盘区。一相对大的介层窗（ｖｉａ）形成于接合焊盘区的基底上，称之为“巨型介层窗”。巨型介层窗在朝向基底的俯视外观中具有一第一尺寸（ｄｉ...

本发明提供一种制造半导体装置的系统及方法。该系统包括半导体生产机台。半导体生产机台可整合的输入／输出信号，以及测量生产机台的第一工艺参数的界面。该系统也包括无线传感器。无线传感器可拆卸地耦接生产机台。无线传感器测量生产机台的第二（额外）...

本发明提供一种形成半导体装置的方法及形成半导体晶片电性连接的方法。该形成半导体晶片电性连接的方法包含：提供一半导体晶片，该半导体晶片包含一绝缘层，其中该绝缘层具有一表面；一图形化掩模层形成于该绝缘层的该表面上，并经由多个贯孔露出该绝缘层...

本发明是有关于一种集成电路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ，ＩＣ）设计方法，包括下列步骤：提供一电路设计布局，其具有多个功能区块设置在彼此相距一距离处；在该电路设计布局中，在距离一功能区块一预定距离内，对一邻近虚拟区域确定一区域图...