本发明提供一种集成电路及其制造方法，该集成电路包含一第一存储器阵列及一耦接至此第一存储器阵列的逻辑电路。此第一存储器阵列中所有存储单元的所有晶体管及此逻辑电路的所有晶体管皆为鳍式场效应晶体管，且皆具有沿着一第一纵向排列的栅极电极。本发明...

一种半导体存储器单元阵列及半导体只读存储器单元阵列，该半导体存储器单元阵列包含一延伸连续有源区。第一以及第二传输晶体管形成于延伸连续有源区上且分别形成于半导体存储器单元阵列中的一列存储器单元的第一及第二相邻存储器单元的一部分。一隔离晶体...

本发明提供一种半导体元件金属栅极堆叠的制造方法。该方法包括：形成高介电常数材料层；形成多晶硅层；图案化高介电常数材料层与多晶硅层，分别形成第一伪栅极与第二伪栅极；形成层间介电材料；对半导体基板实施第一化学机械研磨工艺，以露出第一与第二伪...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基材，包含一第一导电层；一柱体，具有一非平坦表面，电性连接至此第一导电层；以及一焊料，位于此柱体上并电性接触此第一导电层。柱体形成非平坦的顶部表面，在一些实施例中，此顶部表面可为...

一种集成电路，其包括一第一电流源。一第二电流源通过一导线电性耦接至该第一电流源。一开关电路耦接于该第一电流源与该第二电流源之间。一第一电路耦接于一第一节点与一第二节点。该第一节点配置于该第一电流源与该开关电路之间。该第二节点配置于该导线...

本发明提供一种集成电路及其制法。此集成电路包括半导体基材与无源多晶硅元件设置于半导体基材之上。无源多晶硅元件还包括多晶硅特征结构，与多个电极埋设于多晶硅结构特征中。由于重掺杂多晶硅电极及／或硅化物形成于电极的上部分，因此，接触电阻大体上...

本发明提供一种半导体倒装芯片封装以及半导体倒装芯片封装的形成方法。在一实施例中，半导体倒装芯片封装包含第一基板，其具有第一表面与位于第一表面相反侧的第二表面；半导体芯片以焊料凸块安装于第一基板的第一表面上；导热固定物安装于第一基板的第一...

本发明提供集成电路的制造方法，在一实施例中，此方法包括提供基底，于基底之上形成硬掩模层，于硬掩模层之上形成图案化光致抗蚀剂层，使得部分的硬掩模层暴露出来，以干蚀刻工艺移除暴露出来的硬掩模层，使用氮气等离子体灰化与氢气等离子体灰化其中至少...

本发明涉及装置及其形成方法。本发明是利用多重基板穿孔插销以电性连接形成于基板上的发光装置。一第一基板穿孔插销自基板的一后侧至一前侧而延伸穿透基板，且包括电性连结于发光装置的一第一覆盖层的一第一基板穿孔插销导体。一第二基板穿孔插销自基板的...

本发明实施例公开了一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，即揭示由底部向上的金属沉积方法，以填入内连线结构和置换栅极结构，能使具有高深宽比的细微构造的间隙填入不会造成空洞，并且提供具有良好镀膜品质的金属膜。利用ＧＣＩＢ工艺沉积金...

本发明公开了一种n相位电压控制振荡器、整数n注入锁定分频器及电路结构，其中该电路结构用于n相位电压控制振荡器或注入锁定分频器，其中包括一环状传输线结构，以n条传输延迟线段借n个连接点连接成环状，其中n为大于或等于3的整数。每一传输延迟线...

本发明涉及一种用于场效应晶体管的栅极电极以及场效应晶体管，且特别涉及一种具有低电阻值金属栅极电极的场效应晶体管。在一实施例中，一种用于场效应晶体管的栅极电极，包括：由第一金属材料形成的下方部，具有凹口及第一电阻值；以及由第二金属材料形成...

本发明提供一种封装系统，该封装系统包括：一基板，具有穿过该基板的至少一第一导热结构；至少一第二导热结构，设置于该至少一导热结构之上；以及至少一发光二极管，设置于该至少一第二导热结构之上。本发明的封装系统可期望地逸散于发光二极管操作中所产...

本发明实施例提供一种集成电路的形成方法，该方法包括：提供半导体晶片；形成鳍式场效应晶体管，包括：使用热注入对半导体晶片进行注入以于鳍式场效应晶体管中形成注入区。本发明可显著地减少双晶晶界缺陷。

本发明提供半导体装置及其制造方法，具体地，提供制造ＩＣ装置的氟钝化方法及装置。在一实施例中，一种半导体装置的制造方法，包含提供一基材及以氢氟酸及醇类的混合物钝化此基材的一表面，以形成一氟钝化表面。此方法还包含形成一栅极介电层于此氟钝化表...

本发明提供一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基材；形成一虚设栅极（ｄｕｍｍｙ　ｇａｔｅ）于该基材之上；形成一介电材料围绕该虚设栅极；移除该虚设栅极，以于该介电材料中形成一开口；之后，形成一功函数金属层以部分地填充该开口；用一导电层填...

本发明提供一种集成电路及其设计方法，所述方法包括将芯片分为多个功能区块如核心区域及至少一功能单元，并将设计规则实施于核心区域而非其他功能单元。上述实施于核心区域而非所有功能区块的设计规则包括以ＣＡＤ或其他自动化设计系统，设计上述半导体Ｉ...

本发明提供一种制造半导体装置的设备及方法。此设备包括便携式装置。便携式装置包括第一及第二传感器，分别测量第一及第二工艺参数，第一工艺参数不同于第二工艺参数。便携式装置也包括无线收发器，耦接第一及第二传感器，无线收发器接收第一及第二工艺参...

本发明提供一种薄膜电阻器的制造方法，包括：形成一掺杂区于一半导体基板中；形成一介电层于该基板上；形成一薄膜电阻器于该介电层上；于该薄膜电阻器进行回火之前，形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出一部分的该掺杂区；以及于形成该接触孔之后...

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括一半导体基材，其中此半导体基材具有多个微电子构件；一内连线结构形成于前述半导体基材上，其中此内连线结构包括多个金属层及用以一一隔离前述金属层的多个内金属介电层，前述金属层包括一顶金属...