本发明揭示一种半导体结构及半导体装置的制造方法，所述半导体结构具有Ｔ型立柱（ｐｏｓｔ）。Ｔ型立柱具有底层凸块金属化（ｕｎｄｅｒ　ｂｕｍｐ　ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ，ＵＢＭ）部及延伸自ＵＢＭ部的一柱体部。ＵＢＭ部及柱体部可由相同或不同的...

本发明提供一种半导体元件及其形成方法，该半导体元件包含：半导体基板；栅极结构形成于基板上；侧壁间隔物形成于栅极结构两侧的侧壁上；源极及漏极形成于半导体基板中，位于栅极结构两侧，且具有第一型导电性；轻掺杂区形成于基板中，对准栅极结构的侧壁...

本发明提供一种集成电路结构的制造方法，包括：形成一下电极层于一基板上；形成多层磁性穿隧结层于该下电极层上；图案化所述多层磁性穿隧结层，以形成一磁性穿隧结堆叠；形成一介电层于该磁性穿隧结堆叠，形成一开口于该介电层中，以露出部分该磁性穿隧结...

本发明提供一种管理系统，管理方法，制造方法和半导体产品。本发明有关于一管理系统和方法，为一预处理订单保留产能。该管理系统包含一调度引擎，一订单管理模块，以及一产能管理模块。该调度引擎为一产品家族安排一预处理操作和多个后处理操作，该产品家...

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一半导体基板、多个有源区以及多个虚拟有源区。半导体基板具有一元件区以及一邻接于元件区的虚拟区。有源区位于元件区内。虚拟有源区位于虚拟区内。其中这些有源区的每一个在一第一方向具有第一尺...

本发明揭示一种集成电路结构，包括：一第一工作部件及一第二工作部件。第一工作部件包括一半导体基底以及位于半导体基底上方的一铜凸块。第二工作部件包括一接合垫。一焊料邻接于第一工作部件与第二工作部件之间，其中焊料将铜凸块电性连接至接合垫。焊料...

本发明提供一种隔离结构（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）的制法，且特别是有关于一种不存在缺角（ｄｉｖｏｔ）的隔离结构的电子元件。此种隔离结构的制法，包括以下步骤：形成垫氧化层（ｐａｄ?ｏｘｉｄｅ?ｌａｙｅｒ）于基材的上表面上；形...

一种鳍式场效应晶体管元件的制作方法，本发明一示范实施例的方法包括提供一基底；形成一鳍结构于基底上方；形成一栅极结构，其中栅极结构位于部分鳍结构上；形成一牺牲偏移保护层于鳍结构的另一部分上方；之后，进行一离子注入工艺。

本发明涉及一种具有双重镶嵌结构的集成电路组件，双重镶嵌结构包含具有一低介层窗部分和一高导线部分。低介层窗部分形成在一个聚酰亚胺层之内，高导线部分形成在由ＵＳＧ或聚酰亚胺所形成的内金属介电层上。保护层形成于内金属介电层上，以及一焊垫位于保...

本发明为一种封装组合与应用此封装组合的集成电路装置。例示性的封装组合包含第一基材、第二基材以及设置于第一基材与第二基材间的连接结构。每一连接结构包含位于第一基材和第二基材间的内连接柱体以及位于此内连接柱体与第二基材间的焊料，其中内连接柱...

本发明提供一种高介电常数介电层和／或金属栅极元件的制造方法，该方法包括提供一半导体基板；形成一栅极结构于该半导体基板之上，该栅极结构包括一虚置介电层及一虚置栅极设置于该虚置介电层之上；自该栅极结构移除该虚置栅极和虚置介电层，由此形成一沟...

本发明提供了背照式图像传感器的制造方法，包括：设置具有前侧和背侧的器件衬底，在前侧形成多个像素，并在前侧的上方形成互连结构；在互连结构的上方形成重新分布层（ＲＤＬ）；将玻璃衬底结合至ＲＤＬ；从背侧减薄器件衬底；以及去除玻璃衬底。

本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法，该制造方法包含：形成虚置栅极于基材上；形成源极及漏极于基材上的虚置栅极两侧；形成第一硅化物于源极上；形成第二硅化物于漏极上，以使源极或漏极至少其一的未硅化区与虚置栅极相邻，漏极的...

本发明涉及一种凸点焊盘结构的多方向设计，提供了一种集成电路结构，包括：半导体芯片，具有第一区域和第二区域；介电层，形成在半导体芯片的第一区域和第二区域上；第一伸长凸点下金属化(UBM)连接件，形成在半导体芯片的第一区域上的介电层中，并且...

本发明提供了一种半导体芯片以及一种形成导体柱的方法。该半导体芯片包含一钝化层，该钝化层具有位于基板上的一金属接触开口。一接合焊垫，具有位于金属接触开口内的一第一部分以及一位于钝化层上方的一第二部分。接合焊垫的第二部分具有一第一宽度。接合...

本发明关于一种n沟道晶体管及反相器电路。在一实施例中，n沟道晶体管包括一分立空穴能阶(H0)的第一半导体层：具有一导电带最小值(EC2)的第二半导体层；设置于第一和第二半导体层之间的宽能隙半导体阻障层；设置于第一半导体层之上的栅极介电层...

本发明一实施例提供一种集成电路元件及其形成方法，该集成电路元件包括：一中介层，大抵不具有集成电路元件，其中该中介层包括：一基底，具有一第一侧及相反于该第一侧的一第二侧；多个穿基底导电结构，位于该基底之中；一第一内连线结构，位于该基底的该...

本发明实施例提供了一种半导体元件、封装结构、及半导体元件的形成方法，本发明实施例的半导体元件中提供的焊料凸块，位于焊盘区上并电性连接至焊盘区。此外，形成金属盖层于至少部分的焊料凸块上。金属盖层的熔点高于焊料凸块的熔点。本发明实施例中，金...

本发明提供一种半导体装置，包含一具有一顶部表面的中介物，及一凸块位于此中介物的顶部表面上。一开口，自此中介物的顶部表面延伸至此中介物中。一第一裸片与此凸块接合。一第二裸片，位于此中介物的开口中，并与此第一裸片及此第二裸片接合。本发明可避...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置，包含至少两个导电垫，其中，一导电垫形成于至少两个导电垫之中的另一个导电垫上，及从至少一个导电垫延伸出来的一重分布层。该半导体装置也包含了一形成于导电垫之上且与导电垫电性连接的凸块结构...