本发明提供一种形成集成电路的方法，包括：提供具有硅基板的晶片；在硅基板中形成数个浅沟槽隔离区（ＳＴＩ）；以及移除在硅基板浅沟槽隔离区的相对侧壁间的上面部分，以形成凹槽。在硅基板中各凹槽的长边朝相同方向延伸。而后Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料在...

本发明提供一种半导体元件，该半导体元件包括：衬底，具有至少一个导孔；介电层，设置于该衬底和该至少一个导孔之上，其中该至少一个导孔内填充气体；以及多个导体，形成于该衬底的上表面上，且其中该介电层形成于所述多个导体之上，该至少一个导孔设置于...

本发明提供一种集成电路结构及其形成方法。上述集成电路结构包括一基板；两个隔绝区，位于上述基板上方，其中两个上述隔绝区的其中之一包括位于其中的一孔洞；以及一第一半导体条状物，介于两个上述隔绝区之间且邻接于两个上述隔绝区，其中上述第一半导体...

本发明揭示一种集成电路及三维堆叠的多重芯片模块，该集成电路包括：一基底，具有一上表面及一下表面，而一电路形成于上表面上；多个焊盘，形成于下表面的周边；以及一背侧金属层，形成于下表面上。焊盘中的一第一次组焊盘经由多个硅通孔电极而电性耦接至...

本发明提供一种半导体元件的形成方法，包括提供芯片及基板。在接合芯片及基板后，施加封装材料至基板与芯片之间。在上述接合及封装的步骤之间，维持基板及芯片的温度下限高于约两倍室温。半导体元件及基板不会因热膨胀系数差异导致收缩，可减少两者之间的...

本发明提供了于一集成电路的基板上形成多重凹陷浅沟槽隔离结构的系统与方法。一集成电路，包括一基板；至少两个浅沟槽隔离物结构形成于该基板内；氧化物填充物，设置于所述至少两个浅沟槽隔离物结构内；以及多个半导体装置，设置于所述至少两个浅沟槽隔离...

本发明揭示一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成具有一开口的一保护层；通过开口而在一基底区内注入一掺杂物，该保护层保护不同的基底区；以及缩减保护层的厚度。一不同的型态包括：蚀刻一基底，以在其内形成一凹口；通过位于基底上方的一保...

本发明公开了一种用于产生数字保持电压的系统和方法，该系统包括：比较器，用于将工作电压与参考电压进行比较；控制逻辑单元，用于基于比较器对工作电压与参考电压的比较结果，选择性地将增量信号或者减量信号作为控制信号进行输出；以及设备模块，用于基...

一种栅极结构的制造方法，包括：于一基板上依序沉积与图案化一假氧化物层与一假栅极电极层；使一含氮介电层与一层间介电层环绕该假氧化物层与该假栅极电极层；移除该假栅极电极层；于一第一温度下，暴露该假氧化物层的一表面于含氨气与含氟化合物的一气态...

本发明一实施例公开集成电路的形成方法包括形成栅极介电结构于基板上，形成含钛牺牲层以接触栅极介电结构，以及实质上移除全部的含钛牺牲层。本发明中，多晶硅层表面的多晶硅隆起缺陷数量可减少至所需的程度。

本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，该鳍式场效应晶体管在一基底的上方具有一鳍式沟道本体。一栅极置于上述鳍式沟道本体的上方。至少一源／漏极区邻接于上述鳍式沟道本体。上述至少一源／漏极区实质上未包含任何鳍式结构。本发明可使存储单元的...

一种集成电路结构包括半导体芯片，该半导体芯片包括拐角、边缘、和中心。该半导体芯片进一步包括：分布在基板的主表面上的多个凸块焊盘结构；基板的第一区域，在其上形成有第一凸块焊盘结构，该第一凸块焊盘结构具有与其相连的第一数量的支撑金属焊盘；以...

提供具有延伸了一部分基板的通孔，与通孔电连接的互连结构，和形成在互连结构上的聚酰亚胺层的晶圆。聚酰亚胺层的表面改性是通过涂层，等离子体处理，化学处理，或沉积法在聚酰亚胺层上形成薄介电层而完成的。将薄介电层牢固地粘结在聚酰亚胺层上，其可减...

本发明提供一种发光二极管装置及其形成方法，该装置包括：一基板；一发光二极管结构，形成在该基板上，该发光二极管结构具有一下方发光二极管层、一有源层与一第一上方发光二极管层；以及多个嵌入元件，至少延伸穿过部分该发光二极管结构的该第一上方发光...

本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括：一半导体基底；一沟道层，设置在该基底的顶表面上；一栅极介电层，插入一栅电极与该沟道层之间；以及介电延伸层，设置在该沟道层的顶部上，并插入该栅电极与欧姆接触之间；其中该...

本发明揭示一种于半导体装置（３００）的额外层（１１４，３２０）上形成介电层（３００）的方法。该方法包括于额外层（１１４，３２０）上方沉积介电前驱化合物和额外前驱化合物，介电前驱化合物包括择自由钇系元素和镧系元素组成的族群的金属离子，且额...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：在一硅基底上定义一掩模，该掩模包括多个穿过其中的纳米尺寸开口；在定义该掩模之后，在该硅基底穿过所述多个掩模开口而露出的表面部分建造实质上无缺陷的非硅半导体纳米岛；在建造所述多个纳米岛之后，在所述...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该方法包含提供一具有一栅极沟槽的半导体基底，及以物理气相沉积工艺沉积金属层于该沟槽上，以部分填满此沟槽。此金属层包含一底部部分及一侧壁部分，其中侧壁部分较底部部分薄。此方法也包含形成一涂布层于此金属...

本发明提供集成电路元件的制造方法，在一实施例中，此方法包括提供基底，于基底之上形成包含第一伪栅极的栅极结构，从栅极结构移除第一伪栅极形成沟槽，形成界面层、高介电常数介电层与覆盖层，部分地填充沟槽，于覆盖层之上形成第二伪栅极，其中第二伪栅...

一种集成电路装置的制造方法及其光致抗蚀剂去除组成物，该制造方法包括：提供一基底；形成一第一材料层于该基底上；形成图案化的第二材料层于该基底上；以及采用一液体以移除该图案化的第二材料层，其中该液体包括一立体障碍有机碱以及一有机溶剂。本发明...