本发明提供了一种在半导体集成电路中的内连结构的形成方法。本发明的内连结构的形成方法通过双镶嵌工艺形成内连导线与介层物，包括：于一基板的表面上形成一介层物介电层；形成一蚀刻停止层于该介层物介电层之上；图案化该蚀刻停止层，以形成多个穿透该蚀...

本发明提出一种用于控制电源转换器的系统和方法。一个实施例包括连接至模拟－数字转换器的模拟差分电路，数字脉冲发生器和前置驱动器以控制所述电源转换器。另一实施例还包括作为控制环路一部分的数字滤波器，该控制环路用于控制所述控制电路的环特性。另...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该结构包括一半导体衬底，一平面晶体管，位于半导体衬底的第一部分，其中半导体衬底的第一部分具有第一上表面。一多栅晶体管，位于半导体衬底的第二部分。半导体衬底的第二部分从第一上表面凹入，以形成多栅晶体管...

本发明提供一种光致抗蚀剂去除机台以及光致抗蚀剂去除工艺，光致抗蚀剂去除机台包括加热器、晶圆载具、马达以及高度控制单元。晶圆载具供晶圆相对于加热器作垂直位移，马达分别与晶圆载具以及高度控制单元电性连接，利用高度控制单元控制晶圆停留于至少三...

本发明涉及一种超纯空气过滤净化系统及空气过滤方法、空气净化的方法。所述空气过滤系统包括第一通风路径、第二通风路径与第三通风路径。第一通风路径连接于至少一外部气体供应器与一洁净室之间。第一通风路径用以将来自于至少一外部气体供应器的空气导向...

本发明是有关于一种形成浅槽隔离区的方法，此方法包括提供一半导 体基材，其中半导体基材至少包含一上表面；形成一开口，其中此开口从 前述的上表面延伸至半导体基材中；进行一共形沉积步骤，以利用一介电 材料填入前述的开口中；对介电材料进行一第一...

本发明涉及一种集成电路的制造方法，包括形成多个磁性隧道结层；蚀刻 这些磁性隧道结层，以形成一磁性隧道结单元；以及形成一介电覆盖层在磁性 隧道结单元的多个侧壁上，其中形成介电覆盖层的步骤与蚀刻磁性隧道结层的 步骤是原处进行。

本发明公开一种形成半导体结构的方法，该方法包括：提供一半导体基底；形成一栅极介电层于该半导体基底上，其中该半导体基底与该栅极介电层的一侧壁具有一接合点；形成一栅极电极于该栅极介电层上；形成一掩模层于该半导体基底与该栅极电极上，其中邻接该...

本发明是有关于一种电路结构及其形成方法，其包含一基板；一第一非晶硅层，位于所述基板上；一第一粘着层，位于所述第一非晶硅层上于且邻接于所述第一非晶硅层；以及一第二非晶硅层，位于所述第一粘着层上于且邻接于所述第一粘着层。本发明由于接线柱由非...

本发明提供一种形成浅沟槽隔离的方法，尤其是一种圆化浅沟槽隔离边角的方法。在一优选实施例中，包括以一介电材料填入沟槽，并凹蚀介电材料以露出邻近衬底表面的部分沟槽侧壁。接着在一氢气气氛下对衬底进行回火，借由硅迁移圆化浅沟槽隔离的边角。本发明...

本发明涉及一种集成电路结构的形成方法，包括：提供一底部晶片，包括多个底部半导体芯片；提供多个上裸片，所述多个裸片接合至所述多个底部半导体芯片；形成一包围环于该底部晶片之上，且靠近该底部晶片的一外围；涂覆一保护材料以填充所述多个上裸片的间...

本发明公开了一种注入虚置图案的方法及掩模，该方法包括提供包括主要图案的窗口区，其中主要图案包括具有第一结构类型的第一图案及具有第二结构类型的第二图案，且第一结构类型与第二结构类型是不同的类型，全面性地于窗口区注入第一虚置图案，其中第一虚...

本发明涉及一种线圈电感的形成方法，包含下列步骤：形成多个底部导电结构于第一电介质层上；接着形成多对侧部导电结构，其中每对侧部导电结构分别直立形成于每个底部导电结构的第一端点及第二端点上；形成第二电介质层于该第一电介质层上，该第二电介质层...

本发明涉及一种蚀刻超薄膜的方法，其步骤为提供衬底，其上有超薄膜；形成光敏层在超薄膜上；图形化光敏层；依照光敏层的图形蚀刻超薄膜；以及移除图形化的光敏层。蚀刻工艺中利用具有抗扩散性质的蚀刻液，以防止蚀刻液中的蚀刻剂扩散至光敏层下面的区域而...

一种图案化光敏层的方法包括：提供一个其上形成有第一层的衬底，利用阳离子处理包括所述第一层的衬底，在所述第一层上形成第一光敏层，图案化所述第一光敏层以形成第一图案，利用阳离子处理所述第一图案，在所述已处理第一图案上形成第二光敏层，图案化所...

本发明公开了一种等离子体损伤检测测试结构。该等离子体损伤检测测试结构包括：第一天线，电压源，地线，含有第一源、第一栅和第一漏的第一晶体管。所述等离子体损伤检测测试结构还包括包含有第二源、第二栅和第二漏的第二晶体管。第一栅被电连接到所述第...

本发明涉及一种半导体装置、金属氧化物半导体场效应晶体管及其栅极的制造方法。金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极包含栅极金属层形成在高介电常数介电层之上。利用低含氧量沉积工艺在不以带电离子撞击晶片基板的情形下，形成上述金属栅极。利用上述工艺...

本发明提供磁阻随机存取存储器装置与其切换方法与存储器阵列，即具有非正交切换写入线的一种双态模式磁阻随机存取存储器装置（双态ＭＲＡＭ装置）、切换此存储器装置的磁态的方法、以及此技术的存储器矩阵的布局方式。本发明以两条非正交的写入线切换双态...

本发明揭示一种半导体装置，适用于先进内连线的超低介电常数介电膜层结构，其包括：具有不同折射率的一上层ＥＬＫ介电层及一下层ＥＬＫ介电层。上层ＥＬＫ介电层的折射率大于下层ＥＬＫ介电层的折射率。本发明提供一种应用于先进内连线的内层金属介电层的...

本发明涉及一种集成电路结构的制造方法，至少包括：提供一衬底；形成一金属特征于衬底上；形成一介电层于金属特征上；以及形成一开口于介电层中。通过开口暴露出金属特征的至少一部分。因此，一氧化层形成在金属特征的一暴露部分上。此方法还包括，在具有...