本发明提供一种工作排程管理系统与方法。上述工作排程系统包括排程管理子系统及进度管理子系统。其中上述排程管理子系统包含工作排程表建立模块及工作指派通知模块。上述工作排程表建立模块是依据一工作设定数据及工作状态数据建立一工作排程表，其是作为...

本发明涉及半导体装置及半导体结构的制造方法。第一半导体结晶材料的一表面具有减少的粗糙度。半导体装置包括位于第一结晶材料的该表面上的一低缺陷、经应变的第二半导体结晶材料。经应变的第二半导体结晶材料的一表面具有一减少的粗糙度。于一实施例中包...

一种电子元件（１００），包括一第一电极（１０１）、一第二电极（１０２）、以及一转换结构（１０３），该转换结构电性耦接在上述第一电极（１０１）和上述第二电极（１０２）之间，并可经由加热方式在至少两个状态之间转换，且在至少两个状态中的不同状...

用于无线、数字和微波应用的高频电路，对于其信号线、互连和封包的阻抗均有所要求。当为这些信号线设计及设置基板时，使用超材料有益于提供所需的阻抗。超材料提供一种手段来为基板提供改进的介电常数和导磁系数，而这些改进的介电常数和导磁系数不同于所...

本发明涉及一种晶圆级测试方法、半导体装置测试系统及其方法，该晶圆级测试方法包含下列步骤：提供具有集成电路的晶圆。施加信号使集成电路作动，信号包含增加步级或减少步级，且增加步级或减少步级的范围介于第一位准和第二位准之间。在施加信号后，判定...

本发明公开一种半导体结构，包括：一有源区（ａｃｔｉｖｅ　ｒｅｇｉｏｎ）、位于有源区上方的一栅极带层、以及一金属－氧化物－半导体（ＭＯＳ）装置。一部份的栅极带层构成ＭＯＳ装置的栅极。一部份的有源区构成ＭＯＳ装置的源极／漏极（ｓｏｕｒｃｅ／...

本发明揭示一种接合晶片的装置及方法，包括：一接合承座、一接合头、以及一薄片发送器。接合承座用以承载晶片。接合头位于接合承座上方，其中接合承座与接合头具有彼此相对移动的配置。薄片发送器用以发送一薄片至晶片上。本发明也揭示一种整平接合晶片的...

本发明提供一种半导体元件，包括一硅基材；多个硅刻面结构形成于硅基材的上表面；以及一Ⅲ族氮化层位于所述多个硅刻面结构上。所述多个硅刻面结构彼此分离，且具有重复的图案。本发明折衷考虑了基材的价格、性能表现、及／或工艺复杂性。

本发明涉及半导体器件，包含形成金属氧化物半导体（ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，简称ＭＯＳ）器件的金属栅的混合方法。一半导体结构包含一具有一第一栅的第一ＭＯＳ器件，及一个具有一第二栅的第二ＭＯＳ器件。该第一栅包括一个...

一种存储电路，包括一位线、一字线、一具有一第一电源供应电压的第一 电源供应节点、一第一电源供应线耦接至该第一电源节点、一第二电源供应节 点，其由一浮动节点和具有低于该第一电源供应电压的一第二电源供应电压的 节点所选出、一第二电源供应线，...

本发明提供一种微条状线结构，其包括一导电接地面具有一条状开口被接地面所环绕，其中条状开口自接地面的一顶表面向一底表面延伸，以及其中接地面为一导体。微条状线结构还包括一介电条填入条状开口中，一介电层位于接地面之上且与其接触，以及一信号线位...

本发明提供一种可消除漏电流并降低寄生电阻的半导体二极管。此半导体二极管包括一半导体基板，一半导体层设置于此半导体基板之上，其中此半导体层包括一第一杂质及一具有肖特基区的第一阱；以及一多晶硅元件设置于此半导体层上并邻接此具有肖特基区的第一...

一种集成电路结构，包括：一半导体基底；具有一第一导电特性的一第一阱区，位于该半导体基底上；具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性的一第二阱区，环绕该第一阱区；一含金属膜层，位于该第一阱区之上并与之相邻，并延伸于至少该第二阱区的至少一内...

本发明是有关于一种半导体结构，其包括：一半导体基材；一第一高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，具有一第一电性；一第二高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，具有与该第一电性相反的一第二电性，并横向地邻接该第一高电压掺杂井区；一栅介电层，从该...

本发明是有关于一种掩膜表面化学处理方法及系统。该掩膜表面化学处理方法包括以下步骤：在一掩膜上形成一吸收材质层；于形成该吸收材质层后，对该掩膜进行一等离子体处理以减少化学污染物；对该掩膜进行一化学清洗过程；以及对该掩膜进行一气体喷射过程。...

本发明是有关于一种半导体装置及其形成方法，该一种半导体接触结构包括铜插塞及复合阻障层，铜插塞是形成在介电材料中的双镶嵌、单镶嵌、或其它开口部之中，而复合阻障层是位在铜插塞及开口部的侧壁与底面之间。虽然其它适当的原子层沉积层亦可使用，但复...

本发明是有关于一种用于制造集成电路掩模的工具和方法。此工具至少包含灵敏度模块和检测单元。灵敏度模块是设计来指派图案特征至不同的资料型态，而检测单元是设计来根据相关的灵敏度来修复图案特征，其中每一灵敏度是藉由至少一阈值和像素来决定。此方法...

本发明提出一种耐高压反相器电路，包括ＰＭＯＳ晶体管，其源极和漏极分别与第一高压电源ＶＤＤＱ和输出端相连，其栅极由第一信号控制，该第一信号具有在所述ＶＤＤＱ和低压电源（ＶＳＳ）之间的电压摆幅；和ＮＭＯＳ晶体管，其源极和漏极分别与ＶＳＳ和所...

本发明提供设计集成电路（ＩＣ）的方法及使用该方法的计算机系统，包括：进行ＩＣ设计的布局（ｐｌａｃｉｎｇ），其中ＩＣ设计包括第一元件、第二元件，以及路径耦接第一和第二元件；进行ＩＣ设计的布线（ｒｏｕｔｉｎｇ）；取得关于一路径的电阻数据和电...

本发明提供一种电子系统及其操作方法，该电子系统包括一中央处理单元（ＣＰＵ）、一存储器装置以及一直接存储器存取（ＤＭＡ）控制器。存储器装置与中央处理单元联系，并且包括多个垂直堆叠的集成电路芯片与多个输入／输出（Ｉ／Ｏ）端口，输入／输出端口...