本发明是有关于一种微影图形成形方法，包含下列步骤：形成一第一光阻图形于一基板上，第一光阻图形包含多个开口；形成一第二光阻图形于该第一光阻图形的该等开口间，且该第二光阻图形至少包含一开口；以及移除第一光阻图形以曝露第一光阻图形所覆盖的基板...

本发明是有关于一种半导体装置，包含一栅极叠层；一气隙，位于所述栅极叠层下；一半导体层，垂直位于所述栅极叠层与所述气隙之间；以及一第一介电层，位于所述的半导体层之下且邻接于所述半导体层。而所述的第一介电层是暴露于所述的气隙，藉由在气隙中形...

本发明包括存储器电路和电荷感测方法，揭示一种感测放大器的电路和方法，用以感测存储单元所存储的电荷。存储单元耦接到位线和互补位线，差动感测放大器耦接到位线和互补位线。在感测放大器使能之前，正预充电电压加到位线和互补位线上。存储单元对应字线...

本发明提供了一种半导体器件，所述器件包括：衬底；形成在衬底中的前端结构；形成在前端结构上的后端结构；嵌入在后端结构中并用于产生热量的加热器；嵌入在后端结构中并用于检测半导体器件温度的传感器。

本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括通过一个循环从位于衬底上的栅极结构去除硅材料，该循环包括：蚀刻硅材料以去除其一部分，其中，衬底以旋转速率旋转，将清洁剂施加至衬底，并干燥衬底；以及重复该循环，其中，随后循环包括用于使衬底在蚀...

本发明提供一种制造半导体装置的方法，包括：提供一基底，其具有一个或更多个栅极结构设置于其上；形成一蚀刻停止层以及层间介电层于该基底上，包括于该一个或更多个栅极结构上，其中该层间介电层设置于该蚀刻停止层上；于该层间介电层上进行一部分化学机...

一种在半导体衬底上形成湿溶性光刻层的系统，包括提供衬底，在衬底上淀积包括第一材料的第一层，在衬底上淀积包括第二材料的第二层。在一个实施例中，第一材料与第二材料包括不同的成分，第一层和第二层之一包括硅。

本发明提供一种半导体制造过程中的成品管理方法和其设备。所述方法包括如下步骤。获得并采集晶片的某一层的瑕疵数据，其中所述瑕疵数据包括该层的瑕疵的尺寸和位置。获得关于该层的布局图。根据所述瑕疵数据和布局图，通过多个处理装置并行进行该层的临界...

用于一半导体制造的一真空系统以及一真空控制系统。真空系统包括一真空室、一真空源与一管路系统。真空室用于执行一半导体加工。真空室经由管路系统而流动连接于真空源。在一实施例中，管路系统设计为具有非水平的流路段部。在部分实施例中，管路系统包括...

本发明是有关于一种用以测试具有负载阻抗的集成电路的方法、设备及系统。该用以测试具有负载阻抗的集成电路的方法，包括：产生一具有第一频率的第一测试信号和一具有一第二频率的第二测试信号，其中第二频率大于第一频率；将第一测试信号传送至一基板，此...

一种包括３ＤＩＣ叠层中的冷却通道的集成电路结构，该管芯包括：半导体衬底；第一介电层，在半导体衬底之上；互连结构，包括介电层中的金属线和通孔；多个通道，从半导体衬底内部延伸到介电层内部；以及介电膜，在互连结构之上并密封多个通道的一部分。多...

提供了改进的半导体芯片制造的系统和方法。优选的实施例提供了一种用于制造可堆叠芯片的方法，该方法包括：设置第一衬底；以及在第一衬底中形成硅通孔。硅通孔从第一衬底的第一表面延伸出，其中，硅通孔连接至第一衬底的第一表面上的导电层，并且导电层具...

本发明涉及一种集成电路结构，包括：半导体基底、第一低介电系数材料层、第二低介电系数材料层、第一反射金属垫以及焊垫。第一低介电系数材料层位于半导体基底之上，其中第一低介电系数材料层是一种上方低介电系数材料层。低介电系数材料层直接位于第一低...

本发明是有关于一种集成电路结构，包括：一基底；一金属化层，位于该基底之上，且该金属化层包括一介电层，以及位于该介电层之中的一金属线；以及一感应元件，位于该金属化层之上。该集成电路结构，包括：一半导体基底；多个金属化层，位于该半导体基底之...

本发明涉及一种集成电路形成方法，尤其是形成包含一连通气隙的半导体封装的方法。半导体封装包含一介电层、一金属连通道、一沉积于介电层及金属连通道间的气隙以及一间隙壁位于气隙及金属连通道间，其中间隙壁支撑金属连通道，且间隙壁隔离金属连通道及气...

本发明提供一种制造半导体装置的方法，包括：提供一具有第一区域与第二区域的半导体基底；于该第一区域上形成一第一栅极结构，并于该第二区域上形成一第二栅极结构，该第一、第二栅极结构相应包括一第一、第二虚置介电质与第一、第二虚置栅极；从该第一、...

本发明涉及被测试装置电路、集成电路以及半导体晶圆工艺监视电路。发明公开一种数字工艺监视的电路及方法。公开对应具有工艺相关特性的装置比较电流或电压对电流或电压的电路，转换正比于工艺相关电路特性的电流或电压测量为数字信号以及输出数字信号作为...

薄体双极器件包括：半导体衬底、构造在半导体衬底之上的半导体鳍片、半导体鳍片的具有第一导电类型的第一区域、用作薄体双极器件的基极的第一区域、以及半导体鳍片的具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二和第三区域，第二和第三区域与第一区域并置...

一种管芯，包括衬底下的密封环结构。所述密封环结构被配置在至少一个衬底区域的四周。至少一种有效阻止离子扩散进入所述衬底区域的装置。所述装置与所述密封环结构相连接。

本发明公开了源／漏碳注入和ＲＴＡ退火，预ＳｉＧｅ淀积。还公开了一种阻挡掺杂杂质从应力结构向外扩散的半导体器件系统、结构和源／漏的制造方法。说明性实施例包括半导体衬底、器件、和阻挡源／漏区中掺杂杂质侧壁外扩散的方法。提供具有栅结构、和具有...