源/漏碳注入和RTA退火,预SiGe淀积制造技术

本发明专利技术公开了源／漏碳注入和ＲＴＡ退火，预ＳｉＧｅ淀积。还公开了一种阻挡掺杂杂质从应力结构向外扩散的半导体器件系统、结构和源／漏的制造方法。说明性实施例包括半导体衬底、器件、和阻挡源／漏区中掺杂杂质侧壁外扩散的方法。提供具有栅结构、和具有在所述栅结构相对两侧的源和漏的半导体衬底。在所述源和漏的一部分蚀刻凹槽区。在所述凹槽区埋植掺杂的应力结构。将阻挡掺杂杂质并入所述源和漏的其余部分。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　在半导体衬底上的栅结构；和　在所述栅结构相对两侧的所述半导体衬底中的源区和漏区；　其中，所述每个源区和漏区包括：埋植在所述半导体衬底中的掺杂应力结构，和在所述掺杂应力结构和所述半导体衬底之间形成的含 掺杂杂质的部分，所述含掺杂杂质的部分包括氮。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：温伟源，聂俊峰，陈静怡，张绚，杨宗儒，林立德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]