本发明提供了用于触发双重ＳＣＲ？ＥＳＤ保护的ＲＣ电源箝位电路的电路和方法。在集成电路中，保护焊垫连接到上ＳＣＲ电路和下ＳＣＲ电路；它们都连接到连接在正电源和接地电源之间的ＲＣ电源箝位电路。本发明公开了ＥＳＤ保护的结构，其具有邻接第二导电...

本发明提供了一种用于ＩＣ器件的熔丝结构以及制造该结构的方法。该熔丝结构包括形成在半导体衬底的一部分上的含金属导电带。一个介电层形成在半导体衬底上，覆盖该导电带。第一互连和第二互连形成在延伸通过该介电层的通孔中，第一互连和第二互连都物理且...

本发明是有关于一种蚀刻基材的方法及系统，首先，提供多个制程室， 其中所述制程室的至少一者是适用于容置至少一电浆过滤平板，且所述制 程室的至少一者中具有一电浆过滤平板库。接着，自此电浆过滤平板库选 出一电浆过滤平板。然后，将此电浆过滤平板...

本发明是有关于一种形成集成电路的方法，其至少包括以下步骤：提供 一半导体基材；形成一介电层于该半导体基材上；形成一开口于该介电层 中；形成一铜合金晶种层于该开口中，其中该铜合金晶种层完全接触该介电 层，且其中该铜合金晶种层至少包括有一铜...

本发明涉及一种半导体元件，至少包括：一基材具有一上表面，该基材由具有一第一晶格常数的一第一半导体材料所组成；一第一区至少包括形成在该基材中的一第一凹陷，且该第一凹陷填设有一第二半导体材料，该第二半导体材料具有一第二晶格常数；一第二区至少...

本发明提供一种制造半导体器件栅极的方法。实施例中，本方法包括在半导体衬底上形成栅极电介质层。在栅极电介质层上形成界面层。实施例中，栅极电介质层包含ＨｆＯ２，界面层包含Ｈｆ－Ｎ。功函数金属层可形成在界面层上。本发明同时提供了一种器件。

本发明是有关于一种堆叠集成电路半导体晶粒的形成方法，是在集成电路晶粒或晶圆上形成穿硅介层窗（ｔｈｒｏｕｇｈ－ｓｉｌｉｃｏｎ？ｖｉａｓ；ＴＳＶｓ），其中穿硅介层窗形成在金属化制程前的整合制程中。可制造具有增加的高宽比的穿硅介层窗，而更深入...

本发明涉及一种半导体结构，包含一晶体管于一基材上，该晶体管包含一栅极及一接触区，接触区与栅极相邻且在基材中。一第一介电层位于接触区上。一接触结构位于第一介电层中且位于接触区上。一第一电极位于第一介电层中，一第二介电层位于第一电极上。一相...

本发明涉及一种电压电平转换器，该电压电平转换器包括：一第一Ｐ型金属氧化物半导体（ＰＭＯＳ）晶体管，该第一ＰＭＯＳ晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源和一第二正电压电源连接的一栅极、一源极和一基质；以及一第二ＰＭＯＳ晶体管，该第二Ｐ...

一种在器件上执行偏置温度不稳定性测试的方法包括在器件上执行第一应力。第一应力后，执行第一测量来确定器件的第一参数。第一测量后，在器件上执行第二应力，其中第一应力和第二应力之间仅测量第一参数。该方法还包括在第二应力后执行第二测量来确定器件...

一种具有启动电路的锁相环，包括压控振荡器（ＶＣＯ），其包括具有输入电压的电压输入节点；以及启动电路。启动电路包括第一电流通路和第二电流通路。第一电流通路具有第一电流，并配置为第一电流随输入电压的降低而升高，随输入电压的升高而降低。第二电...

一种具有高掺杂源／漏极和应变增强器（ｂｏｏｓｔｅｒ）的Ｎ－ＦＥＴ结构和制造方法，该方法提供具有锗沟道区的衬底，在所述锗沟道区上方形成栅极电介质，并且在所述栅极电介质上方形成栅电极。牺牲栅电极间隔物设置在所述栅极电介质和所述栅电极的侧壁上...

本发明是有关于一种光掩模储放装置，包括有底座和上盖。此光掩模储放装置包括有聚醚醚酮材料。一锁扣组件用以耦接底座和上盖。光掩模固定组件设置于上盖上，而光掩模支撑组件则设置于底座上，用以避免光掩模震动。此光掩模储放装置设计有通气孔结构使气体...

本发明提供一种减少工艺套件上沉积薄膜剥离的方法，包括：提供一包括靶材的工艺腔室，其中该靶材具有一第一热膨胀系数；选择一具有第二热膨胀系数的表面层的工艺套件，其中该第一热膨胀系数与第二热膨胀系数之间的差异比率小于约３５％；以及将该工艺套件...

本发明提供一种半导体装置及传输接口系统，该半导体装置包括：一密闭容器，包括一气体与至少一门盖，该门盖覆盖通往该密闭容器内的一开口，该气体包括至少一还原气体、非反应气体或惰性气体；一机械手臂，设置于该密闭容器内；一平台，设置于相邻于该开口...

本发明涉及一种集成电路结构及应用该结构的芯片组。所述集成电路结构包括存储器。该存储器包括了第一内存宏和第二内存宏，第二内存宏和第一内存宏是相同的。第一电源模块被连接到第一内存宏且用于为第一内存宏提供一个稳定电压。第一电源模块具有一个第一...

一种集成电路结构包括具有前面和背面的半导体衬底。穿透硅通孔（ＴＳＶ）穿透该半导体衬底。该ＴＳＶ具有延伸到半导体衬底背面的后端。再分配线（ＲＤＬ）在半导体衬底背面上并且与ＴＳＶ的后端连接。硅化物层在该ＲＤＬ的上并且与ＲＤＬ接触。

一种集成电路结构包括字线、列选择线和锁存器。锁存器包括互补的第一存储节点和第二存储节点、和工作电压节点。控制电路连接在工作电压节点和锁存器之间。控制电路包括连接到字线的第一输入；和连接到列选择线的第二输入。当字线和列选择线都被选取时，控...

一种静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）电路结构，包括：一对互补的全局位线，和一对互补的局部位线。全局读／写电路连接到全局位线对，写操作中，被配置以将小摆幅信号写入到全局位线对。ＳＲＡＭ电路还包括第一多路复用器和第二多路复用器，每个多路复用器...

本发明是有关于一种制造半导体元件的方法。形成一闸介电质层于一基材上，然后形成一未掺杂的第一电极层于该闸介电质上。使用原子层掺杂技术以掺杂此未被掺杂的含硅层。形成一第二电极层于该第一电极层上。此工艺方法可扩展而包括在同一晶圆上形成ＰＭＯＳ...