本发明是有关于一种回转仪感测系统、回转仪感测器及用于回转仪感测器的结构的制造方法。该回转仪感测器，包含一回转盘；第一光源配置用以提供第一光束，第一光束邻近于回转盘的第一边缘；以及第一光接收器配置用以接收第一光束，以感应回转盘在第一方向的...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括一半导体基底与形成于半导体基底上的一晶体管。此晶体管具有一栅极结构，包括：一界面层，位于半导体基底上；一高介电常数介电层，位于界面层上；一盖层，位于高介电常数介电层上；以及一多晶硅层...

本发明提供一半导体装置及其制造方法，该装置包含一形成在基材上的晶体管，此晶体管具有一栅极堆叠，其包含形成在基材上的一金属栅极、一高介电常数介电质及一双重第一接触结构。该双重第一接触结构包括一第一接触元件、一位于该第一接触元件上的第二接触...

本发明公开一种清洁与整修加工反应室组件的方法，包含：将在一外表面具有工艺沉积物的一反应室组件，置于一等离子体气相沉积（ｐｌａｓｍａ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＶＤ）反应室中；以及在足以从上述反应室组件的上述外表面移除上述工艺沉...

本发明公开了一种用于三维ＩＣ互连的衬底对衬底键合装置和方法。本发明的装置包括键合头、辅助支撑、还原模件和变换器。键合头抓住第一衬底，所述第一衬底包括第一金属衬垫组。辅助支撑抓住第二衬底，所述第二衬底包括第二金属衬垫组。对准器通过将所述第...

一种集成电路（ＩＣ）设计方法，包括基于ＩＣ器件的ＩＣ设计布图和ＩＣ制造数据来提供ＩＣ布图轮廓；生成有效矩形布图来代表ＩＣ布图轮廓；以及利用有效矩形布图来仿真ＩＣ器件。

本发明实施例提供一种半导体元件的制造方法，包括于半导体基底上形成目标层，于目标层上形成蚀刻剂层，以及使用蚀刻剂层来蚀刻目标层的一部分。本发明可更加精准地控制蚀刻工艺。

本发明提供一种半导体制造方法，该方法包括在制造工艺中界定及／或修改栅极结构高度的步骤。上述栅极高度可在制造工艺中一个或以上的阶段，借由蚀刻包含于上述栅极结构中的多晶硅层的一部分而修改（例如降低）。本发明的方法包括于基板上形成一涂层，且该...

本发明提供一种半导体元件的制法，包括以下步骤：形成具有第一晶体管与第二晶体管的半导体基材，其中第一晶体管具有第一虚设栅极的第一栅极结构，第二晶体管具有第二虚设栅极的第二栅极结构；移除第一与第二虚设栅极，以分别形成第一与第二沟槽；形成第一...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供半导体基底，形成多个晶体管于半导体基底中，各晶体管具有虚置栅极结构，形成接触蚀刻终止层（ＣＥＳＬ）于包括虚置栅极结构的基底之上，形成第一介电层以填入相邻的虚置栅极结构...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一半导体基板，其具有一源极区和一漏极区，上述半导体基板定义从上述源极区至上述漏极区的一第一尺寸；一栅极堆叠结构，设置于上述半导体基板上，且水平地部分介于上述源极区和上述漏极区之间。...

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括：于一基底前侧上的半导体基底的上方形成一界面层；于该界面层上形成高介电常数（ｈｉｇｈ－ｋ）介电层；于该高介电常数介电层上形成一盖层；于该盖层上形成一金属层；于该金属层上形成一第一多晶硅层；以及于该...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，该方法包括提供含有伪栅极结构形成于其上的基底，移除伪栅极结构形成沟槽，形成第一金属层在基底之上，填充沟槽的一部分，形成保护层在沟槽剩余的部分内，移除第一金属层未受到保护的部分，从沟槽内移除保护层，以...

本发明提供一种半导体元件的制法，其制法包括以下步骤：形成一材料层于一基材之上；形成一牺牲层于材料层之上，其中材料层与牺牲层各自具有小于１００埃的厚度；形成一图案化光致抗蚀剂层于牺牲层之上；利用图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，施加一第一湿式...

本发明提供一种无掩膜光刻设备及图案化多个基材的方法。此设备包括多个写入腔室，每一写入腔室包括：一晶圆座，用以固持一待写入晶圆；以及一多波束模块，用以提供多道辐射束以对该晶圆进行写入；一接口，可在每一该些写入腔室与一阻剂涂布显影机之间传输...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件的高介电常数金属栅极中具有一缓冲层，此缓冲层介于界面氧化层与高介电常数栅极介电层之间。于一实施例中，缓冲层包括氧化铝。缓冲层与高介电常数栅极介电层可使用原子沉积工艺于原处形成。本发明的半...

一种半导体元件及其制造方法。该方法提供一具有一第一区和一第二区的半导体基底，形成一高介电常数介电层于半导体基底上方，形成一盖层于第一区的高介电常数介电层上方，形成一第一金属层于第一区的盖层上方和第二区的高介电常数介电层上方，形成一第一栅...

一种半导体元件的金属栅极堆叠的形成方法及具有金属栅极堆叠的集成电路，该方法包括于半导体基底上形成高介电常数材料层；于高介电常数材料层上形成导电材料层；采用多晶硅于ｎ型场效应晶体管区形成第一虚置栅极及于ｐ型场效应晶体管区形成第二虚置栅极；...

本发明提供一种图像感测装置及其制造方法，上述图像感测装置的制造方法包括提供一装置基板，其具有一前侧和一后侧；于上述装置基板中形成一第一辐射线感测区和一第二辐射线感测区，上述第一辐射线感测区和上述第二辐射线感测区以一隔绝结构隔开；于上述装...

一种半导体装置，包括：一沟道区；一栅介电层，位于该沟道区之上；一栅电极，位于该栅介电层之上；一第一源极／漏极区，邻近该栅介电层，其中该第一源极／漏极区具有一第一导电性，而至少该沟道区与该第一源极／漏极区之一包括一超晶格结构；以及一第二源...