半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体元件的制造方法，包括于半导体基底上形成目标层，于目标层上形成蚀刻剂层，以及使用蚀刻剂层来蚀刻目标层的一部分。本发明专利技术可更加精准地控制蚀刻工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体元件，例如半导体集成电路，尤其涉及包括蚀刻工艺的半导体元件制造方法。
技术介绍
一般的半导体制造工艺包括于将被图案化的材料层上形成掩模结构(mask element),例如是光致抗蚀剂结构(photoresist feature)。掩模结构保护其下材料层的一部分，而使材料层的开放部分(openportions)或未被保护部分得以被蚀刻。公知的蚀刻工艺包括湿式蚀刻及干式蚀刻。然而，蚀刻工艺的各向同性特性(isotopic nature),特别是湿式蚀刻，可造成自掩模结构转移图案至目标层(targetlayer)时发生问题。特别是当目标层非常薄时，此问题更为重要。借着各向同性蚀刻的横向蚀刻可能造成底切(undercutting)的问题，例如将掩模结构下面的目标层移除。底切可造成目标层的图案化上的缺陷，例如是不准确的尺寸控制。底切也可减小掩模结构与基底间的粘着表面积(surfacearea of adhesion),可能会在紧接的工艺期间导致缺陷，例如掩模结构的脱落(peding)。虽然干式蚀刻工艺的蚀刻各向同性特性较少，然其可能引入其他问题，例如伤害掩模结构、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件的制造方法，包括如下步骤：　于一半导体基底上形成一目标层；　于该目标层上形成一蚀刻剂层；以及　使用该蚀刻剂层来蚀刻该目标层的一部分。

【技术特征摘要】
US 2008-9-12 61/096,490;US 2009-1-29 12/362,1741.一种半导体元件的制造方法，包括如下步骤于一半导体基底上形成一目标层；于该目标层上形成一蚀刻剂层；以及使用该蚀刻剂层来蚀刻该目标层的一部分。2. 如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，还包括于该目标层上形成一掩模结构。3. 如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中形成该蚀刻剂层的 步骤包括一旋转涂布工艺。4. 如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该蚀刻剂层包括一 高分子。5. 如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该蚀刻剂层包括一 蚀刻官能基。6. 如权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其中该蚀刻官能基包括Cl、 so4、 so3、 co2、或前述的组合。7. —种半导体元件的制造方法，包括如下步骤提供一半导体基底；于该半导体基底上形成一高介电常数层； 于该高介电常数层上形成一覆盖层； 于该覆盖层上形成一第一蚀刻剂层；以及 使用该第一蚀刻剂层来蚀刻该覆盖层。8. 如权利要求7所述的半导体元件的制造方法，还包括移除该第一蚀刻 剂层。9. 如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉仁，陈薏新，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]