本发明提供了一种校准数模转换器（ＤＡＣ）的方法。ＤＡＣ包括最低有效位（ＬＳＢ）块，和与ＬＳＢ块相邻的虚拟ＬＳＢ块。ＤＡＣ具有最高有效位（ＭＳＢ）块，其包括ＭＳＢ温度计宏。该方法包括测量虚拟ＬＳＢ块以获得虚拟ＬＳＢ总和；以及校准ＭＳＢ块，...

本发明公开了一种利用后栅极工艺形成金属栅极的方法。沟槽形成在衬底上，修正沟槽的轮廓从而在沟槽的开口处提供第一宽度以及在沟槽的底部提供第二宽度。该轮廓可以通过包括锥形侧壁形成。金属栅极可以形成在具有修正轮廓的沟槽中。并且本发明还提供了一种...

一种半导体器件包括至少一个位于衬底上的第一栅电介质层。第一含过渡金属碳氧化物（ＭＣｘＯｙ）层形成在所述至少一个的第一栅电介质层上，其中过渡金属（Ｍ）原子的原子百分比是４０ａｔ．％或者更高。第一栅形成在第一含过渡金属碳氧化物层上。至少一个...

本发明提供一种集成电路的制造方法，该方法包括一电子束检测。上述方法包括形成一硅化物区域于一半导体基底上。于一实施例中，形成硅化物以提供接触至一元件构造例如一源极或漏极区域。接着实施一电子束扫描于该半导体基底，该电子束扫描包括一第一扫描和...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一半导体基板；上述半导体基板的一有源区，其中上述有源区包括至少一晶体管；上述半导体基板的一无源区，其中上述无源区包括至少一电阻结构，设置于一隔绝区中，上述至少一电阻结构位于较上述至...

本发明实施例提供一种用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置及加热器，该晶片承载装置包括导热层，设置于支撑基座上，导热层耦接至加热电路；多个孔洞，穿过导热层及支撑基座；以及多个导热支撑杆，耦接至加热电路且延伸穿过孔洞并超出导热层，每一导热支...

本发明提供一种动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）元件，其具有金属－绝缘层－金属电容，此电容经由金属桥电性连接至ＰＮ结二极管，用以保护后段工艺（ＢＥＯＬ）中等离子体工艺所造成的电荷伤害。

本发明提供一种静电吸附承盘及等离子体装置。该静电吸附承盘包含：下部元件、上部元件、凹口、以及可替换的侧壁防护物。此可替换的侧壁防护物填满位于下部元件及上部元件之间的凹口，以使此可替换的侧壁防护物可保护在此凹口中的环氧树脂或可取代此凹口中...

本发明公开了一种小螺距焊垫结构，其包括分别专用于连接第一、第二和第三探针衬垫的第一、第二和第三焊垫，其中第一焊垫、第二探针衬垫和第三焊垫基本上线性地排列，其中第二探针衬垫位于第一和第三焊垫之间。

本发明公开了一种判决反馈均衡器（ＤＦＥ）的加法器中的抽头电路，该抽头电路包括：接收信号线路的差分对，具有与连接在第一节点和地之间的抽头权基本成比例的量级的电流源，可控制地将电流源连接到接收信号线路之一的数个ＮＭＯＳ晶体管，只连接到所述数...

本发明提供一种制造半导体元件的方法与半导体元件。该方法提供一半导体基底，其具有一第一区与一第二区；形成一高介电常数介电层于该半导体基底上；形成一第一盖层与一第二盖层于该高介电常数介电层上，该第一盖层覆盖该第一区而该第二盖层覆盖该第二区；...

本发明公开了一种用于具有内部低压电源（ＶＣＣＬ）和外部高压电源（ＶＣＣＨ）的集成电路系统的电压电平转换电路，该电压电平转换电路包括：一对连接到ＶＣＣＨ的交叉耦合的ＰＭＯＳ晶体管；ＮＭＯＳ晶体管，其源极连接到地（ＶＳＳ），其栅极连接到在Ｖ...

本发明是有关于一种具有晶圆黏片胶带的集成电路及其封装方法。该集成电路包含晶片及连接于晶片背部表面的异方性导电膜。晶片具有前表面、位于晶片前表面的反面的背部表面以及暴露于晶片背部表面的硅贯通电极。本发明利用异方性导电膜做为晶片的电性连接层...

本发明关于一种半导体装置及形成该半导体装置的方法。该具低能带间隙层的半导体装置包括：含一半导体材质；一栅介电层，位于低能带间隙层上，其中低能带间隙层的能阶低于硅能阶；一栅极，覆盖于栅介电层上；一与栅介电层邻接的第一源／漏极区，其中第一源...

一种通过从ＭＯＳ器件的高Ｋ／金属栅极去除界面层缩小ＥＯＴ的集成电路结构，包括：半导体衬底以及半导体衬底上方的声子屏蔽层。在半导体衬底与声子屏蔽层之间基本不存在界面层。高Ｋ介电层位于声子屏蔽层上方。金属栅极层位于高Ｋ介电层上方。

本发明提供一种用以形成浅沟槽隔离结构的方法及浅沟槽隔离结构。在本发明实施例中，沟槽形成于基板内，沟槽具有第一侧壁以及相对第一侧壁的第二侧壁，前述这些侧壁向下延伸至沟槽的底部。沉积绝缘材料以共同形成前述这些侧壁与沟槽的底部的衬垫层。回蚀刻...

本发明公开了一种形成集成电路结构的方法与集成电路结构，该形成集成电路结构的方法提供一晶片，其具有一芯片侧与一非芯片侧，该芯片侧包括多个半导体芯片。提供多个裸片，各个所述裸片结合至所述多个半导体芯片之一。形成一或多个沟槽于该晶片的该芯片侧...

本发明提供一种ｎ型场效应晶体管的金属栅极、ｎ型场效应晶体管及其制造方法，该ｎ型场效应晶体管的金属栅极包括：一盖层；一包含Ｔｉ与Ａｌ的第一金属层，位于盖层上；一金属氧化层，位于第一金属层上；一阻挡层，位于金属氧化层上；以及一第二金属层，位...

本发明公开了一种金属柱凸块结构及其形成方法，该方法包括：形成一保护层于一半导体基板之上；形成一导电层于该保护层之上；提供经图案化与经过蚀刻的一阻剂层于该导电层之上，该阻剂层中定义有至少一开口；沉积一金属层于该至少一开口内；沿着介于该阻剂...

本发明揭示一种集成电路结构，包括：一芯片，包括一基底；以及一电源分配网络。电源分配网络包括：多个电源硅通孔电极，穿过基底，其中电源硅通孔电极构成一栅网；以及多个金属线，位于一底层金属化层（Ｍ１）中，其中金属线将电源硅通孔电极耦接至位于基...